发光单元及其驱动方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:19429624 阅读:45 留言:0更新日期:2018-11-14 11:27
本发明专利技术提供一种发光单元及其驱动方法、显示装置,属于有机发光场效应管(OLET)显示技术领域,其可至少部分解决现有的有机发光场效应管显示技术能耗较高的问题。本发明专利技术的发光单元包括:用于发光的有机发光场效应管,其栅极连接写入模块,第一极连接补偿模块,第二极连接第一定压端;写入模块,其用于向有机发光场效应管的栅极提供数据电压;补偿模块,其用于根据数据电压产生补偿电压,并将补偿电压提供给有机发光场效应管的第一极。

【技术实现步骤摘要】
发光单元及其驱动方法、显示装置
本专利技术属于有机发光场效应管(OLET)显示
,具体涉及一种发光单元及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
有机发光场效应管(OLET,OrganicLightEmittingTransistor)也称有机发光晶体管,其是有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)结合形成的器件。如图1所示,有机发光场效应管具有源极S、漏极D、栅极G、栅绝缘层GI、有机半导体层9(可包括空穴传输层91、电子传输层92),其中,两种载流子在有机半导体层中复合即可发光,其发光亮度一般通过控制栅极电压调整。相对于OLED,有机发光场效应管有更高的载流子迁移率,可有效降低激子猝灭,获得更高的发光效率和亮度。因此,有机发光场效应管在平板显示、光通讯、固体照明、电泵浦有机激光器等领域有着广泛的应用前景。但是,有机发光场效应管是靠空穴和电子复合发光的,故其发光亮度由数量较少的载流子决定;同时,经过有机发光场效应管的沟道电流Isd实际由电子电流Ie和空穴电流Ih组成,虽然当其栅极电压Vgg改变时沟道电流Isd确实变化,但其中电子电流Ie和空穴电流Ih的变化方向却不同(一个增大则另一个减小)。由此,当栅极电压Vgg改变时,电子电流Ie和空穴电流Ih间的差距会增大,导致不能用于发光的那部分电流比例增大,发光效率降低,能耗增大。
技术实现思路
本专利技术至少部分解决现有的有机发光场效应管显示技术能耗较高的问题,提供一种能耗较低的发光单元及其驱动方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种发光单元,其包括:用于发光的有机发光场效应管,其栅极连接写入模块,第一极连接补偿模块,第二极连接第一定压端;写入模块,其用于向有机发光场效应管的栅极提供数据电压;补偿模块,其用于根据数据电压产生补偿电压,并将补偿电压提供给有机发光场效应管的第一极。优选的是,所述补偿电压与数据电压正相关。进一步优选的是,所述补偿电压Vb与数据电压Vdata间的关系满足:Vb=βVdata,其中β为大于1的常数。优选的是,所述补偿模块包括电压提供源,其第一输出端与写入模块连接,第二输出端与有机发光场效应管的第一极连接;所述电压提供源用于在第一输出端提供数据电压,并用于根据数据电压产生补偿电压,以及在第二输出端提供补偿电压。优选的是,所述补偿模块包括电压提供源,其输出端与写入模块连接,并通过变压电路与有机发光场效应管的第一极连接;所述电压提供源用于在第一输出端提供数据电压;所述变压电路用于将数据电压转变为补偿电压。进一步优选的是,所述变压电路为运算放大器。优选的是,所述补偿模块包括:分压电阻,其第一端连接第二定压端,第二端连接有机发光场效应管的第一极;分压晶体管,其栅极连接有机发光场效应管的栅极,第一极连接有机发光场效应管的第一极,第二极连接第三定压端。进一步优选的是,所述分压晶体管的栅极通过保护电阻与有机发光场效应管的栅极连接。优选的是,所述写入模块包括开关晶体管,所述开关晶体管的栅极与控制端连接,第一极与数据电压端连接,第二极与有机发光场效应管的栅极连接。优选的是,所述发光单元还包括:存储电容,其第一端与有机发光场效应管的栅极连接,用于维持有机发光场效应管的栅极的数据电压。进一步优选的是,所述存储电容的第二端与有机发光场效应管的第一极连接。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,其包括:上述的发光单元。优选的是,当发光单元具有电压提供源的发光单元时,多个发光单元的补偿模块的电压提供源集成为一个驱动芯片。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种上述发光单元的驱动方法,其包括:向有机发光场效应管的栅极提供数据电压,向有机发光场效应管的第一极提供根据数据电压产生的补偿电压,向第一定压端提供固定的第一电压,使有机发光场效应管发光;其中第一定压端的电压小于补偿电压。附图说明图1为有机发光场效应管的剖面结构示意图;图2为有机发光场效应管在不同状态下的工作原理图;图3为本专利技术的实施例的一种发光单元结构示意框图;图4为本专利技术的实施例的另一种发光单元的电路结构示意图;图5为本专利技术的实施例的另一种发光单元的电路结构示意图;图6为本专利技术的实施例的另一种发光单元的电路结构示意图;图7为本专利技术的实施例的一种显示装置的结构示意图;其中,附图标记为:1、补偿模块;11、电压提供源;12、变压电路;2、写入模块;9、有机半导体层;91、空穴传输层;92、电子传输层;STFT、开关晶体管;FTFT、分压晶体管;RD、分压电阻;RG、保护电阻;OLET、有机发光场效应管;VSS、第一定压端;VDD、第二定压端;V3、第三定压端;VGATE、控制端;VDATA、数据电压端;CST、存储电容;DriverIC、驱动芯片;S、源极;D、漏极;G、栅极;GI、栅绝缘层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:如图2至图6所示,本实施例提供一种发光单元,其包括:用于发光的有机发光场效应管OLET,其栅极连接写入模块2,第一极连接补偿模块1,第二极连接第一定压端VSS;写入模块2,其用于向有机发光场效应管OLET的栅极提供数据电压Vdata;补偿模块1,其用于根据数据电压Vdata产生补偿电压Vb,并将补偿电压Vb提供给有机发光场效应管OLET的第一极。如图3所示,本实施例的发光单元是靠有机发光场效应管OLET发光,故其本质上为OLET发光单元。在有机发光场效应管OLET发光时,通过向其栅极提供电压(数据电压Vdata)控制其发光亮度,而且,该发光单元中还具有补偿模块1,用于向有机发光场效应管OLET的第一极提供与数据电压Vdata相关的补偿电压Vb,即此时有机发光场效应管OLET的第一极的电压不固定,而是随着其栅极电压改变。当然,应当理解,为使以上有机发光场效应管OLET能发光,其第二极应连接一个确定的电压(即第一定压端VSS,可为接地而电压为0)。当有机发光场效应管OLET的栅极电压改变时,其中的空穴电流和电子电流向相反方向变化,二者的差距增大,而通过调整其第一极的电压,可降低两种电流的差距,从而减少无法用于复合发光的电流的比例(或使无法用于复合发光的电流的增加值变少),以尽量保持发光效率,使能耗较低。具体的,有机发光场效应管OLET通过栅极电压Vgg可调整载流子的注入势垒,从而控制两种载流子的注入量;而通过控制其漏源电压Vds可产生横向电场,使载流子在横向电场的作用下运动形成沟道电流Isd。如图2所示,根据各极电压关系的不同,有机发光场效应管OLET可在以下几个状态工作:状态1:当0<Vds<Vgs-Vth时(Vgs为栅源电压,Vth为阈值电压),电子可克服注入势垒由源极注入,相对的,空穴无法克服势垒从漏极注入,故器件处于电子传输状态,沟道电流Isd主要为电子电流Ie,其不发光。状态2:随着Vds增大,得到0<Vgs-Vth<Vds,故漏极处的空穴势垒逐渐减小,最终空穴可从漏极成功注入,并在横向电场作用下向源极运动,而电子运动规律与状态1相同,由此器件处于电子和空穴同时传输的状态,沟道电流Isd为电子电流Ie和空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光单元,其特征在于,包括:用于发光的有机发光场效应管,其栅极连接写入模块,第一极连接补偿模块,第二极连接第一定压端;写入模块,其用于向有机发光场效应管的栅极提供数据电压;补偿模块,其用于根据数据电压产生补偿电压,并将补偿电压提供给有机发光场效应管的第一极。

【技术特征摘要】
1.一种发光单元,其特征在于,包括:用于发光的有机发光场效应管,其栅极连接写入模块,第一极连接补偿模块,第二极连接第一定压端;写入模块,其用于向有机发光场效应管的栅极提供数据电压;补偿模块,其用于根据数据电压产生补偿电压,并将补偿电压提供给有机发光场效应管的第一极。2.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,所述补偿电压与数据电压正相关。3.根据权利要求2所述的发光单元,其特征在于,所述补偿电压Vb与数据电压Vdata间的关系满足:Vb=βVdata,其中β为大于1的常数。4.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,所述补偿模块包括电压提供源,其第一输出端与写入模块连接,第二输出端与有机发光场效应管的第一极连接;所述电压提供源用于在第一输出端提供数据电压,并用于根据数据电压产生补偿电压,以及在第二输出端提供补偿电压。5.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,所述补偿模块包括电压提供源,其输出端与写入模块连接,并通过变压电路与有机发光场效应管的第一极连接;所述电压提供源用于在第一输出端提供数据电压;所述变压电路用于将数据电压转变为补偿电压。6.根据权利要求5所述的发光单元,其特征在于,所述变压电路为运算放大器。7.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,所述补偿模块包括:分压电阻,其第一端连接第二定压端,第二端连接有机发光场效应管的第一极;分压晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈亮王磊陈小川玄明花肖丽刘冬妮杨盛际卢鹏程丛宁赵德涛
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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