大电流功率MOS封装装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的环境，包括基体，基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，输入通道、接地通道和输出通道连通控制电路，电流从输入通道进入控制电路并从输出通道输出，控制电路调节输出电流的大小。输出通道的宽度为2.55毫米‑3.61毫米。本实用新型专利技术中，宽度为2.55毫米‑3.61毫米的输出通道增加了通道和通道内导电元件的接触面积，减小了产生的接触电阻，从而减小了电流在输出通道处产生的损耗，提高了本实施方式中的大电流功率MOS封装装置的电流通过效率。同时，输出通道的横截面积增大也增大了空气对流面积，提高了大电流功率MOS封装装置的散热效果，降低了温升，保证了使用安全和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
大电流功率MOS封装装置
本技术涉及电流封装领域，尤其涉及一种大电流功率MOS封装装置。
技术介绍
在BMS(锂电保护领域)、直流无刷控制器领域等电流产品封装领域，一般采用传统的铜框架封装结构，输出通道的横截面积较小，一般为0.78毫米-0.82毫米，导电元件和输出通道的接触面积较小，因此产生的电阻较大，产生了较多的电流损耗，造成了能源浪费，同时，输出通道处的电流损耗还导致了输出通道等部位发热严重，温升较快，带来了安全隐患。
技术实现思路
本技术实施方式提供的一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的工作环境，所述大电流功率MOS封装装置包括基体，所述基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道连通所述控制电路，电流从所述输入通道进入所述控制电路并从所述输出通道输出，所述控制电路调节输出电流的大小，所述输出通道的宽度为2.55毫米-3.61毫米。本技术实施方式中，宽度为2.55毫米-3.61毫米的输出通道增加了通道和通道内导电元件的接触面积，减小了产生的接触电阻，从而减小了电流在输出通道处产生的损耗，提高了本实施方式中的大电流功率MOS封装装置的电流通过效率。同时，输出通道的横截面积增大也增大了空气对流面积，提高了大电流功率MOS封装装置的散热效果，降低了温升，保证了使用安全和使用寿命。在某些实施方式中，所述控制电路包括调压电路、伺服电机和调压器，所述调压电路对所述输入通道内的电流进行取样、比较和放大，所述伺服电机转动并带动所述调压器调节所述输出通道内的电流以使所述输出通道输出的电流保持稳定。在某些实施方式中，所述输入通道的宽度为0.78毫米-0.82毫米。在某些实施方式中，所述输入通道的宽度为0.8毫米。在某些实施方式中，所述输出通道包括自所述控制电路向电流输出方向依次包括第一段、第二段和第三段，所述第一段的宽度大于所述第二段的宽度，所述第二段的宽度大于所述第三段的宽度。在某些实施方式中，所述第一段的宽度为3.57毫米-3.61毫米。在某些实施方式中，所述第二段的宽度为3.07毫米-3.11毫米。在某些实施方式中，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道表面涂覆有镍或银。在某些实施方式中，所述控制电路、输入通道、接地通道和输出通道分别有多个且对应连接。本技术实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本技术实施方式的大电流功率MOS封装装置的平面结构示意图；图2是本技术实施方式的大电流功率MOS封装装置的另一平面结构示意图；图3是本技术实施方式的大电流功率MOS封装装置的动态随脉冲宽度变化的示意图；图4是本技术实施方式的大电流功率MOS封装装置的散热板动态随脉冲宽度变化的示意图；图5是本技术实施方式的大电流功率MOS封装装置的通道温度随电流大小变化的示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参阅图1-图5，本技术实施方式提供的一种大电流功率MOS封装装置100，用于工作电压低于200V的工作环境，所述大电流功率MOS封装装置包括基体10，基体10设置有控制电路20、输入通道30、接地通道40和输出通道50，输入通道30、接地通道40和输出通道50连通控制电路20，电流从输入通道30进入控制电路20并从输出通道50输出，控制电路20调节输出电流的大小。输出通道50的宽度为2.55毫米-3.61毫米。本技术实施方式中，宽度为2.55毫米-3.61毫米的输出通道50增加了通道和通道内导电元件的接触面积，减小了产生的接触电阻，从而减小了电流在输出通道50处产生的损耗，提高了本实施方式中的大电流功率MOS封装装置100的电流通过效率，解决了大电流产品受封装限制问题，增加了并管产品的可靠性。同时，输出通道50的横截面积增大也增大了空气对流面积，提高了大电流功率MOS封装装置100的散热效果，降低了温升，保证了使用安全和使用寿命。具体地，大电流功率MOS封装装置100能自动调整供电电路或供电设备的输出电压，用于将波动较大和达不到电器设备要求的电源电压稳定在电器设备的设定值范围内，使各种电路或电器设备能在额定工作电压下正常工作，从而保证电器设备的使用安全，延长使用寿命。请参考图3-图5，根据公式R＝P*L/A计算，本实施方式中的大电流功率MOS封装装置100的电流通道和基体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的工作环境，其特征在于，所述大电流功率MOS封装装置包括基体，所述基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道连通所述控制电路，电流从所述输入通道进入所述控制电路并从所述输出通道输出，所述控制电路调节输出电流的大小，所述输出通道的宽度为2.55毫米‑3.61毫米。

【技术特征摘要】
1.一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的工作环境，其特征在于，所述大电流功率MOS封装装置包括基体，所述基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道连通所述控制电路，电流从所述输入通道进入所述控制电路并从所述输出通道输出，所述控制电路调节输出电流的大小，所述输出通道的宽度为2.55毫米-3.61毫米。2.根据权利要求1所述的大电流功率MOS封装装置，其特征在于，所述控制电路包括调压电路、伺服电机和调压器，所述调压电路对所述输入通道内的电流进行取样、比较和放大，所述伺服电机转动并带动所述调压器调节所述输出通道内的电流以使所述输出通道输出的电流保持稳定。3.根据权利要求1所述的大电流功率MOS封装装置，其特征在于，所述输入通道的宽度为0.78毫米-0.82毫米。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：周脉强，徐星德，
申请(专利权)人：无锡工赢智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32