一种具有T字型中心对称结构的二维左手材料制造技术

本发明专利技术公开了一种具有T字型中心对称结构的二维左手材料，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板的介电常数为3.48±0.05，损耗正切值为0.0037，所述介质基板为正方形，边长为2.0～2.2mm，厚度为0.43mm；介质基板的一侧镀有中心对称的T字型结构的镀铜，所述T字型结构均由两个矩形镀铜结构垂直相交形成，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有T字型结构阵列，所述T字型结构阵列沿X轴方向设置为理想磁边界条件PHC，Z轴的方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向入射，设置激励方式为波阻抗激励，在Y和Z轴两个方向上具有左手特性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有T字型中心对称结构的二维左手材料
本专利技术涉及超材料领域，具体涉及一种具有T字型中心对称结构的二维左手材料。
技术介绍
Veselago在1968年提出了左手材料的概念，并指出其介电常数和磁导率在一定电磁波频段内同时为负，且具有诸如负折射现象、完美透镜效应、逆Doppler效应等很多奇异的电磁特性。正是由于这些特殊的电磁特性，才使得左手材料在光学成像、天线系统、微波器件以及电磁隐身等领域具有广泛且重要的应用。然而这一理论直到三十年后才由Smith通过金属导线和开口谐振环结合体的形式首次实现。自此以后，左手材料的研究走上了飞速发展得快车道。近年来，左手材料的研究方向主要有：一方面是多维数、多频带左手材料的新型结构的设计与实现，如双Z形金属条结构，十字环型结构同向开口双环结构；另一方面是左手材料在微波、天线领域内的应用。但现存的多维数左手材料往往存在结构复杂、带宽窄、损耗大和电路板双侧印刷等问题，所以性能优良、结构简单、易于加工的新型多维左手材料结构成为一个重要的研究方向。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种具有优良性能的具有T字型中心对称结构的二维本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有T字型中心对称结构的二维左手材料，其特征在于，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板的介电常数为3.48±0.05，损耗正切值为0.0037，所述介质基板为正方形，边长为2.0～2.2mm，厚度为0.43mm；介质基板的一侧镀有中心对称的T字型结构的镀铜，所述T字型结构均由两个矩形镀铜结构垂直相交形成，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有T字型结构阵列，所述T字型结构阵列沿X轴方向设置为理想磁边界条件PHC，Z轴的方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向入射，设置激励方式为波阻抗激励，在Y和Z轴两个方向上具有左手特性。

【技术特征摘要】
1.一种具有T字型中心对称结构的二维左手材料，其特征在于，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板的介电常数为3.48±0.05，损耗正切值为0.0037，所述介质基板为正方形，边长为2.0～2.2mm，厚度为0.43mm；介质基板的一侧镀有中心对称的T字型结构的镀铜，所述T字型结构均由两个矩形镀铜结构垂直相交形成，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有T字型结构阵列，所述T字型结构阵列沿X轴方向设置为理想磁边界条件PHC，Z轴的方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向入射，设置激励方式为波阻抗激励，在Y和...

【专利技术属性】
技术研发人员：何政蕊，金杰，陈景明，王伟锋，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12