一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，包括触发控制单元、磁开关、复位电源、电源及半导体开关，所述半导体开关由若干IGBT模块组成，其中，磁开关包括磁芯以及缠绕于磁芯上的复位绕组及磁开关绕组，其中，复位绕组的两端分别与复位电源的正负极相连接，磁开关绕组的一端与电源的正极相连接，磁开关绕组的另一端与第一个IGBT模块的集电极相连接，前一个IGBT模块的发射极与后一个IGBT模块的集电极相连接，最后一个IGBT模块的发射极与电源的负极相连接，各IGBT模块的门极分别与触发控制单元相连接，该电路能够降低各级IGBT模块的导通损耗。

A IGBT series circuit based on delay synchronization of magnetic switch

The invention discloses an IGBT series circuit based on delay synchronization of magnetic switch, which includes trigger control unit, magnetic switch, reset power supply, power supply and semiconductor switch. The semiconductor switch consists of several IGBT modules, in which the magnetic switch includes magnetic core and reset winding and magnetic switch winding wound around the magnetic core. The two ends of the reset winding are respectively connected with the positive and negative poles of the reset power supply, one end of the magnetic switch winding is connected with the positive poles of the power supply, the other end of the magnetic switch winding is connected with the collector of the first IGBT module, the emitter of the former IGBT module is connected with the collector of the latter IGBT module and the last IGBT module. The emitter is connected with the negative pole of the power supply, and the gate of each IGBT module is connected with the trigger control unit separately. The circuit can reduce the on loss of IGBT modules at all levels.

【技术实现步骤摘要】
一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路
本专利技术属于电力电子应用
，涉及一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路。
技术介绍
由于固态绝缘栅双极性晶体管(IGBT)具有长寿命、高重频等优点，在脉冲功率技术中得到了广泛应用。实际应用中通常采用IGBT串连使用方式以提高其工作电压，而串联使用时，由于各级驱动电路以及IGBT的特性差异，各级开关的导通时间存在着一定的不同期性，带来了开通过程的动态均压问题。为满足动态均压的需要，在其不同期的时间窗口内，IGBT的并联均压支路应满足钳位充电电压的需要，因此需要降额使用IGBT的工作电压。依据上述技术方案，如需提高IGBT串连组件的电压安全裕量，就需要进一步降低各级IGBT的工作电压，并提高各级并联均压支路的RC参数，增加串联级数。这些无疑会影响到IGBT的技术参数，并增加其内部损耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，该电路中各级IGBT模块的导通损耗较低。为达到上述目的，本专利技术所述的基于磁开关延时同步的IGBT串联电路包括触发控制单元、磁开关、复位电源、电源及半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，包括触发控制单元(6)、磁开关(1)、复位电源、电源及半导体开关(2)，所述半导体开关(2)由若干IGBT模块(7)组成，其中，磁开关(1)包括磁芯(4)以及缠绕于磁芯(4)上的复位绕组(3)及磁开关绕组(5)，其中，复位绕组(3)的两端分别与复位电源的正负极相连接，磁开关绕组(5)的一端与电源的正极相连接，磁开关绕组(5)的另一端与第一个IGBT模块(7)的集电极相连接，前一个IGBT模块(7)的发射极与后一个IGBT模块(7)的集电极相连接，最后一个IGBT模块(7)的发射极与电源的负极相连接，各IGBT模块(7)的门极分别与触发控...

【技术特征摘要】
1.一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，包括触发控制单元(6)、磁开关(1)、复位电源、电源及半导体开关(2)，所述半导体开关(2)由若干IGBT模块(7)组成，其中，磁开关(1)包括磁芯(4)以及缠绕于磁芯(4)上的复位绕组(3)及磁开关绕组(5)，其中，复位绕组(3)的两端分别与复位电源的正负极相连接，磁开关绕组(5)的一端与电源的正极相连接，磁开关绕组(5)的另一端与第一个IGBT模块(7)的集电极相连接，前一个IGBT模块(7)的发射极与后一个IGBT模块(7)的集电极相连接，最后一个IGBT模块(7)的发射极与电源的负极相连接，各IGBT模块(7)的门极分别与触发控制单元(6)相连接。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟小社，王建华，姚晓飞，张伟，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61