A semiconductor packaging device includes a bare sheet, a dielectric layer, a plurality of conductive columns and a packaging body. The bare sheet has an active surface, a back surface opposite the active surface and a side surface extending between the active surface and the back surface. The dielectric layer has a top surface and defines a plurality of openings on the active surface of the bare piece. Each conducting column is disposed in the corresponding opening in the plurality of openings of the dielectric layer. Each conductive column is electrically connected to the bare sheet. Each conducting column has a top surface. The top surface of each conducting column is lower than the top surface of the dielectric layer. The encapsulation body encapsulates the back surface and the side surface of the naked piece.
【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置和其制造方法
本专利技术大体涉及一种半导体封装装置和一种其制造方法。更确切地说，本专利技术涉及一种包含扇出结构的半导体封装装置和一种其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体芯片和/或裸片正变得越来越小。同时，各种功能的更多电路将被集成到半导体裸片内。因此，半导体裸片倾向于具有装填到较小区域内的数目增大的I/O衬垫，且I/O衬垫的密度随时间快速升高。结果，半导体裸片的封装变得更困难，这不利地影响封装的良品率。
技术实现思路
在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括裸片、介电层、多个传导柱和封装主体。所述裸片具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面。所述介电层在裸片的所述活性表面上，具有顶表面，且界定多个开口。每一传导柱安置于所述介电层的所述多个开口中的对应的开口中。每一传导柱电连接到所述裸片。每一传导柱具有顶表面。每一传导柱的所述顶表面低于所述介电层的所述顶表面。所述封装主体囊封所述裸片的所述背表面和所述侧表面。在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括裸片、多个传导柱、介电层和封装主体。所述裸片具...
【技术保护点】
1.一种半导体封装装置，包括：裸片，其具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面；在裸片的所述活性表面上的介电层，所述介电层具有顶表面且界定多个开口；多个传导柱，每一传导柱安置在所述介电层的所述多个开口中的对应开口中，每一传导柱电连接到所述裸片，每一传导柱具有顶表面，其中每一传导柱的所述顶表面比所述介电层的所述顶表面低；以及封装主体，其囊封裸片的所述背表面和所述侧表面。
【技术特征摘要】
2017.04.24 US 15/495,2711.一种半导体封装装置，包括：裸片，其具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面；在裸片的所述活性表面上的介电层，所述介电层具有顶表面且界定多个开口；多个传导柱，每一传导柱安置在所述介电层的所述多个开口中的对应开口中，每一传导柱电连接到所述裸片，每一传导柱具有顶表面，其中每一传导柱的所述顶表面比所述介电层的所述顶表面低；以及封装主体，其囊封裸片的所述背表面和所述侧表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，进一步包括：至少一个电连接件，其在所述介电层上且接触所述多个传导柱中的至少一个传导柱的所述顶表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中所述至少一个电连接件延伸到由所述至少一个传导柱的所述顶表面和所述介电层的所述多个开口中的至少一个开口的侧壁界定的空腔内。4.根据权利要求2所述的半导体封装装置，进一步包括钝化层，其包围所述至少一个电连接件且覆盖所述至少一个传导柱的所述顶表面。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中所述钝化层界定开口以暴露所述至少一个传导柱的所述顶表面，且所述钝化层的所述开口的宽度小于所述介电层的所述至少一个开口的宽度。6.根据权利要求4所述的半导体封装装置，进一步包括：传导触点，其安置于所述钝化层上且通过所述至少一个电连接件而电连接到所述至少一个传导柱。7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述至少一个传导柱的所述顶表面与所述介电层的所述顶表面之间的距离小于约2微米(μm)。8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述封装主体具有顶表面，且所述介电层的所述顶表面与所述封装主体的所述顶表面大体上共面。9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述至少一个传导柱的所述顶表面与另一传导柱的所述顶表面之间的差大于0μm且小于约2μm。10.一种半导体封装装置，包括：裸片，其具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面；多个传导柱，其在所述裸片的所述活性表面上且电连接到所述裸片，每一传导柱具有顶表面和侧表面；在裸片的所述活性表面上的介电层，所述介电层包围每一传导柱的所述侧表面且暴露每一传导柱的所述顶表面，其中所述多个传导柱中的至少一个传导柱的高度与所述多个传导柱中的另一传导柱的高度不同；以及封装主体，其囊封所述裸片的所述背表面和所述侧表面。11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其中所述介电层具有顶表面，且每一传导柱的所述顶表面比所述介电层的所述顶表面低。12.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中每一传导柱的所述顶表面与所述介电层的所述顶表面之间的距离小于约2μm。13.根据权利要求10所述的半导体封装装置，进一步包括：至少一个电连接件，其安置于所述介电层上且接触...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡崇宣，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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