一种霍尔离子源的导磁导流结构制造技术

本发明专利技术提供了一种霍尔离子源的导磁导流结构，包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗，进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室，过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室；进气绝缘碗设置有与下腔室连通的进气孔，过气导磁盘设置有连通下腔室和上腔室的过气孔，出气导磁碗设置有与上腔室连通的出气孔；气体从进气孔进入下腔室，经过气孔进入上腔室，最后从出气孔出去。本发明专利技术中，过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室，使磁感线束缚一部分在上腔室内部，提高上腔室内的磁感线密度，进而增大上腔室内的磁场强度；结构简单，生产成本低。

A magnetic conduction structure for Holzer ion source

The invention provides a magnetic conductivity structure of Hall ion source, which comprises an air inlet insulating bowl, an air inlet insulating disk and an air outlet magnetic bowl arranged sequentially from bottom to top, a lower chamber is arranged between the air inlet insulating bowl and the air outlet magnetic bowl, and an upper chamber is arranged between the air inlet insulating disk and the air outlet magnetic bowl. The intake holes connected with the lower chamber are arranged on the through-air guide disk, and the outlet holes connected with the lower chamber and the upper chamber are arranged on the outlet magnetic bowl. The gas enters the lower chamber through the intake holes, enters the upper chamber through the stomata, and finally goes out from the outlet holes. In the invention, an upper chamber is arranged between the air conducting disk and the air outlet magnetic conducting bowl, so that a part of the magnetic induction wire is bound to the upper chamber, and the magnetic induction line density in the upper chamber is increased, thereby increasing the magnetic field intensity in the upper chamber; the structure is simple and the production cost is low.

【技术实现步骤摘要】
一种霍尔离子源的导磁导流结构
本专利技术涉及离子源
，尤其涉及一种霍尔离子源的导磁导流结构。
技术介绍
离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。霍尔离子源通过在真空环境下，利用发射的电子在电场和磁场的相互作用下，使充入真空室的气体产生离化，在电场和磁场的作用下发射离子。磁场越强，电子运行轨迹越长，电离工艺气体的效率越高，得到的离子束流越大，反之亦然。如中国专利CN206271656U公开的一种霍尔离子源，其是利用电磁铁代替传统的永磁铁，通过提高流经电磁铁的电流大小，从而提高磁场强度。然而，电磁铁代替传统的永磁铁不仅增加了设备的购置安装成本，还增加了使用过程中的电力成本，这都会大大增加了企业的生产成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足，提供一种霍尔离子源的导磁导流结构，用以提高磁场强度且成本低。本专利技术的技术方案如下：一种霍尔离子源的导磁导流结构，包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗，所述进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室，所述过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室；所述进气绝缘碗设置有与所述下腔室连通的进气孔，所述过气导磁盘设置有连通所述下腔室和上腔室的过气孔，所述出气导磁碗设置有与所述上腔室连通的出气孔；气体从进气孔进入下腔室，经过气孔进入上腔室，最后从出气孔出去。进一步地，所述出气孔至少有两个，所述出气孔以所述出气导磁碗的中心为圆心等角度圆周分布。进一步地，还包括有设置于所述出气导磁碗上方的导流端盖，所述导流端盖下表面设置有导流环槽，所述导流环槽设置于所述出气孔正上方。进一步地，所述过气导磁盘、出气导磁碗以及导流端盖均设置有对应的第一连接孔，第一连接螺栓依次穿过所述第一连接孔，使所述出气导磁碗和导流端盖固定设置于所述过气到磁盘上。进一步地，所述导流端盖底部中心设置有定位插柱，所述出气导磁碗中心设置有定位插孔；所述定位插柱插设于所述定位插孔内，使所述导流端盖与所述出气导磁碗定位装配。进一步地，还包括有绝缘环；所述绝缘环设置于过气导磁盘上表面，并间距套设在所述导流端盖外。进一步地，所述下腔室由所述过气导磁盘下表面的凹槽和所述绝缘碗上表面的环槽组成；所述上腔室由所述出气导磁碗下表面的凹槽组成。进一步地，所述进气绝缘碗和过气导磁盘均设置有对应的第二连接孔，第二连接螺栓穿过所述第二连接孔，使所述进气绝缘碗和过气导磁盘连接装配。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：（1）过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室，使磁感线束缚一部分在上腔室内部，提高上腔室内的磁感线密度，进而增大上腔室内的磁场强度；（2）结构简单，生产成本低；（3）导流环槽与多个出气孔配合，使气体出气更加均匀；（4）绝缘环能够隔绝导流端盖外的电场，避免电场对上腔室内的气体造成干扰。附图说明图1是本专利技术实施例的装配图。图2是本专利技术实施例的剖视图（箭头为气流流动方向）。图3是本专利技术实施例的分解图。附图标记10-进气绝缘碗，11-进气孔；20-过气导磁盘，21-过气孔；30-出气导磁碗，31-出气孔，32-定位插孔；40-导流端盖，41-导流环槽，42-定位插柱；50-绝缘环；61-下腔室，62-上腔室；71-第一连接孔，72-第一连接螺栓，73-第二连接孔。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。如图1-3所示，本专利技术提供的实施例，一种霍尔离子源的导磁导流结构，包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗10、过气导磁盘20和出气导磁碗30，进气绝缘碗10和过气导磁盘20之间设置有下腔室61，过气导磁盘20和出气导磁碗30之间设置有上腔室62。进气绝缘碗10设置有与下腔室61连通的进气孔11，过气导磁盘20设置有连通下腔室61和上腔室62的过气孔21，出气导磁碗30设置有与上腔室62连通的出气孔31；气体从进气孔11进入下腔室61，经过气孔21进入上腔室62，最后从出气孔31出去。本实施例的原理：磁场发生器（图中未画出）设置在进气绝缘碗10下方，磁感线穿过进气绝缘碗10作用在过气导磁盘20和出气导磁碗30上，在导磁材料的作用下，磁感线束缚一部分在上腔室62内部，提高上腔室62内的磁感线密度，进而增大上腔室62内的磁场强度。气体经过上腔室62时，能够受到更大的洛伦兹力，电子运行轨迹越长，电离工艺气体的效率越高，得到的离子束流越大。出气孔31至少有两个，出气孔31以出气导磁碗30的中心为圆心等角度圆周分布。其中本实施例中，出气孔31设置有12个。本实施例中，还包括有设置于出气导磁碗30上方的导流端盖40，导流端盖40下表面设置有导流环槽41，导流环槽41设置于出气孔31正上方。其中，气体从出气孔31出来后，沿导流环槽41向外发散，气体出气更加均匀，进而使离子束流更加均匀。导流端盖40底部中心设置有定位插柱42，出气导磁碗30中心设置有定位插孔32；定位插柱42插设于定位插孔32内，使导流端盖40与出气导磁碗30定位装配。过气导磁盘20、出气导磁碗30以及导流端盖40均设置有对应的第一连接孔71，第一连接螺栓72依次穿过第一连接孔71，使出气导磁碗30和导流端盖40固定设置于过气到磁盘上。本实施例中，还包括有绝缘环50；绝缘环50设置于过气导磁盘20上表面，并间距套设在导流端盖40外。其中，绝缘环50能够隔绝导流端盖40外的电场，避免电场对上腔室62内的气体造成干扰。下腔室61由过气导磁盘20下表面的凹槽和绝缘碗上表面的环槽组成；上腔室62由出气导磁碗30下表面的凹槽组成。进气绝缘碗10和过气导磁盘20均设置有对应的第二连接孔73，第二连接螺栓（图中未画出）穿过第二连接孔73，使进气绝缘碗10和过气导磁盘20连接装配。以上所揭露的仅为本专利技术较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术的权利范围，因此依本专利技术权利要求所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍尔离子源的导磁导流结构，其特征在于：包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗，所述进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室，所述过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室；所述进气绝缘碗设置有与所述下腔室连通的进气孔，所述过气导磁盘设置有连通所述下腔室和上腔室的过气孔，所述出气导磁碗设置有与所述上腔室连通的出气孔；气体从进气孔进入下腔室，经过气孔进入上腔室，最后从出气孔出去。

【技术特征摘要】
1.一种霍尔离子源的导磁导流结构，其特征在于：包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗，所述进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室，所述过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室；所述进气绝缘碗设置有与所述下腔室连通的进气孔，所述过气导磁盘设置有连通所述下腔室和上腔室的过气孔，所述出气导磁碗设置有与所述上腔室连通的出气孔；气体从进气孔进入下腔室，经过气孔进入上腔室，最后从出气孔出去。2.根据权利要求1所述一种霍尔离子源的导磁导流结构，其特征在于：所述出气孔至少有两个，所述出气孔以所述出气导磁碗的中心为圆心等角度圆周分布。3.根据权利要求2所述一种霍尔离子源的导磁导流结构，其特征在于：还包括有设置于所述出气导磁碗上方的导流端盖，所述导流端盖下表面设置有导流环槽，所述导流环槽设置于所述出气孔正上方。4.根据权利要求3所述一种霍尔离子源的导磁导流结构，其特征在于：所述过气导磁盘、出气导磁碗以及导流端盖均设...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雪高，
申请(专利权)人：东莞市长益光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44