一种负介电液晶组合物及其应用制造技术

技术编号:19309301 阅读:26 留言:0更新日期:2018-11-03 06:01
本发明专利技术涉及一种负介电液晶组合物及其应用。本发明专利技术提供的负介电液晶组合物至少包含一种或多种通式I所代表的化合物,一种或多种通式II所代表的化合物以及一种或多种通式III所代表的化合物;所述液晶组合物具有低的旋转粘度、良好的低温互溶性以及快的响应时间,适用于VA/MVA/PVA/PSVA等VA类液晶显示装置以及IPS、FFS模式液晶显示装置。对于改善液晶显示器的响应时间非常有效。

【技术实现步骤摘要】
一种负介电液晶组合物及其应用
本专利技术涉及一种负介电液晶组合物及其应用,属于液晶材料及其应用领域。
技术介绍
负性液晶最早于上世纪80年代末提出,其主要用于VA模式,其主要优点在于对比度高,主要缺点是视角小,响应时间慢。随着显示技术的发展,MVA、PVA、PSVA等技术相继出现,解决了响应时间和视角的问题。近年来,随着触摸屏成为移动设备市场主流,IPS和FFS类硬屏显示器有着先天的优势,IPS和FFS类显示器既可以使用正性液晶,也可以使用负性液晶,由于该类显示器中存在的弯曲电场,正性液晶沿着电场线方向排列,从而导致分子弯曲,以及于透过率下降;负性液晶垂直于电场线方向排列,因而透过率会大幅提升,是目前提升透过率、降低背光功耗最好的方法。但负性液晶存在的响应时间问题是目前遇到的重大难题,利用负性液晶的FFS显示器相对于正性液晶的FFS显示器响应时间慢50%或更多。因此,如何提升负性液晶的响应时间成为目前的核心问题。具体地,液晶显示器的响应时间取决于(d^2γ1)/Keff(d为液晶层厚度,γ1为液晶旋转粘度,Keff为有效弹性常数),因此,降低旋转粘度、降低液晶层厚度和提升弹性常数均可以达到改善响应时间的目的,液晶层厚度取决于液晶显示器的设计;对于液晶组合物,降低旋转粘度和液晶厚度最有效。
技术实现思路
本专利技术提供一种负介电液晶组合物,其具有相对较低的旋转粘度,可有效地降低液晶显示器的响应时间。本专利技术提供的负介电液晶组合物至少包含一种或多种通式I所代表的化合物,一种或多种通式II所代表的化合物以及一种或多种通式III所代表的化合物;所述通式I所代表的化合物结构如下:其中,R1各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;Z1各自独立地代表CH2O或CH2CH2;所述通式II所代表的化合物结构如下:其中,R2、R3各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;Z2各自独立地代表甲氧基或亚乙基。所述通式III所代表的化合物结构如下:其中,R4、R5各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;A1、A2各自独立地代表反式1,4-环己基或1,4亚苯基。本专利技术提供的通式I所代表的化合物为含有2,3-二氟苯结构和末端氟代乙氧基的液晶化合物,该类化合物具有较大的负介电各向异性和高的清亮点。本专利技术提供的液晶组合物中,在其所有组分的质量总和为100%的情况下,通式I所述化合物在组合物中的含量在5~70%为宜,优选8~60%、8~45%、8~34%、10~65%、10~60%、10~57%、10~42%、10~40%、10~34%、14~57%、14~36%、25~65%、25~57%、40~60%、44~57%、50~60%。作为本专利技术的优选方案,通式I所代表的化合物选自式IA~式IB所代表的化合物的一种或几种:其中,R1各自独立地代表C1~C7的直链烷基、C2~C7的直链烯基;作为本专利技术进一步的优选方案,通式I所代表的化合物选自式IA1~式IB8所代表的化合物的一种或几种:所述通式II所代表的化合物为两环具有2,3-二氟-1,4-苯基的液晶化合物,该类化合物具有较大的负介电各向异性以及优异的互溶性。本专利技术提供的液晶组合物中,在其所有组分的质量总和为100%的情况下,通式II所述化合物在组合物中的含量在1~40%为宜,优选3~35%、3~26%、3~20%、5~35%、5~30%、5~29%、5~20%、7~30%、10~35%、11~29%、15~35%、15~30%、17~24%、20~30%。优选地,本专利技术所提供的通式II的化合物选自IIA和IIB中的一种或多种:其中,R2代表C1~C7的直链烷基或C2~C7的直链烯基;R3各自独立地代表C1~C7的直链烷基或直链烷氧基。作为本专利技术的优选方案,通式II的化合物选自IIA1~IIA36、IIB1~IIB24中的一种或多种:所述通式III所代表的化合物为双环结构,具有低的旋转粘度和优良的互溶性特点,是快响应液晶显示必不可少的组分;本专利技术提供的液晶组合物中,在其所有组分的质量总和为100%的情况下,通式III所述化合物在组合物中的含量在5~65%为宜,优选为10~60%、10~55%、10~35%、10~25%、13~55%、13~52%、13~51%、13~35%、13~21%、15~60%、15~55%、15~25%、17~60%、19~55%、19~52%、21~55%、27~55%、30~60%、30~55%。优选的,所述通式III所代表的化合物选自如下化合物的一种或多种:其中,R4各自独立地代表C1~C7的直链烷基;R5各自独立地代表C1~C7的直链烷基、直链烷氧基或C2~C7的直链烯基。作为本专利技术的优选方案,通式III所代表的化合物选自式IIIA1~式IIIC24所代表的化合物的一种或几种:本专利技术所提供的液晶组合物还可以包含一种或多种选自通式IV结构的化合物,通式IV所代表的化合物为非极性三环化合物,该类单体具有高的清亮点和大的弹性常数,有利于提高液晶组合物的弹性常数;本专利技术提供的液晶组合物中,在其所有组分的质量总和为100%的情况下,通式IV所述化合物在组合物中的含量在0~45%为宜,优选为0~35%、0~30%、0~29%、0~25%、0~23%、0~22%、1~35%、1~25%、4~30%、4~23%、5~30%。所述通式IV结构的化合物结构如下:R6、R7各自独立地代表C1~C12的直链烷基,其中一个或多个不相邻的CH2可以被O或CH=CH取代。A3各自独立地选自以下结构:优选地,通式IV所代表的化合物选自式IVA~式IVC以下化合物的一种或多种:其中,R6各自独立地代表C2~C10的直链烷基或直链烯基;R7各自独立地代表C1~C8的直链烷基。更优选地,通式IV所代表化合物选自式IVA1~式IVC20结构中的一种或多种:本专利技术所提供的液晶组合物还可以包含一种或多种选自通式V的化合物,通式V所代表的化合物具有大的光学各向异性,对于提升液晶组合物的介电各向异性非常有效:本专利技术提供的液晶组合物中,在其所有组分的质量总和为100%的情况下,通式V所述化合物在组合物中的含量在0~30%为宜,优选为0~25%、0~20%、0~15%、1~25%、5~20%、5~19%。通式V所代表的化合物结构如下:其中,R8各自独立地代表C1~C12的直链烷基或C2~C12的直链烯基;R9各自独立地代表F、C1~C12的直链烷基、直链烷氧基C2~C12的直链烯基;L1、L2、L3各自独立地代表H或F。优选地,通式V的化合物选自以下结构中的一种或多种;其中,R8各自独立地代表C1~C7的直链烷基或C2~C7的直链烯基,R9各自独立地代表C1~C7的直链烷基、直链烷氧基或C2~C7的直链烯基。更优选地,通式V所代表的化合物选自式VA1~VD24中的一种或多种:具体的而言,本专利技术所提供的液晶组合物由以下质量百分比的组分组成:(1)5~70%通式I所代表的化合物;(2)1~40%通式II所代表的化合物;(3)5~65%通式III所代表的化合物;(4)0~45%通式IV所代表的化合物;(5)0~3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负介电液晶组合物,其特征在于,至少包含一种或多种通式I所代表的化合物,一种或多种通式II所代表的化合物以及一种或多种通式III所代表的化合物;所述通式I所代表的化合物结构如下:

【技术特征摘要】
1.一种负介电液晶组合物,其特征在于,至少包含一种或多种通式I所代表的化合物,一种或多种通式II所代表的化合物以及一种或多种通式III所代表的化合物;所述通式I所代表的化合物结构如下:其中,R1各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;Z1各自独立地代表CH2O或CH2CH2;所述通式II所代表的化合物结构如下:其中,R2、R3各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;Z2各自独立地代表甲氧基或亚乙基;所述通式III所代表的化合物结构如下:其中,R4、R5各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;A1、A2各自独立地代表反式1,4-环己基或1,4亚苯基。2.根据权利要求1所述的液晶组合物,其特征在于,所述通式I所代表的化合物选自式IA~式IB所代表的化合物的一种或几种:其中,R1各自独立地代表C1~C7的直链烷基、C2~C7的直链烯基;优选地,通式I所代表的化合物选自式IA1~式IB8所代表的化合物的一种或几种:3.根据权利要求1或2所述的液晶组合物,其特征在于,所述通式II的化合物选自IIA和IIB中的一种或多种:其中,R2代表C1~C7的直链烷基或C2~C7的直链烯基;R3各自独立地代表C1~C7的直链烷基或直链烷氧基;优选地,通式II的化合物选自IIA1~IIA36、IIB1~IIB24中的一种或多种:4.根据权利要求1-3任一所述的液晶组合物,其特征在于,所述通式III所代表的化合物选自如下化合物的一种或多种:其中,R4各自独立地代表C1~C7的直链烷基;R5各自独立地代表C1~C7的直链烷基、直链烷氧基或C2~C7的直链烯基;优选地,通式III所代表的化合物选自式IIIA1~式IIIC24所代表的化合物的一种或几种:5.根据权利要求1-4任一所述的液晶组合物,其特征在于,还包含一种或多种选自通式IV结构的化合物,所述通式IV结构的化合物结构如下:R6、R7各自独立地代表C1~C12的直链烷基,其中一个或多个不相邻的CH2可以被O或CH=CH取代;A3各自独立地选自以下结构:优选地,通式IV所代表的化合物选自式IVA~式IVC以下化合物的一种或多种:其中,R6各自独立地代表C2~C10的直链烷基或直链烯基;R7各自独立地代表C1~C8的直链烷基;更优选地,通式IV所代表化合物选自式IVA1~式IVC20结构中的一种或多种:6.根据权利要求1-5任一所述液晶组合物,其特征在于,还包含一种或多种选自通式V的化合物,通式V所代表的化合物结构如下:其中,R8各自独立地代表C1~C12的直链烷基或C2~C12的直链烯基;R9各自独立地代表F、C1~C12的直链烷基、直链烷氧基C2~C12的直链烯基;L1、L2、L3各自独立地代表H或F;优选地,通式V的化合物选自以下结构中的一种或多种;其中,R8各自独立地代表C1~C7的直链烷基或C2~C7的直链烯基,R9各自独立地代表C1~C7的直链烷基、直链烷氧基或C2~C7的直链烯基;更优选地,通式V所代表的化合物选自式VA1~VD24中的一种或多种:7.根据权利要求1-6任一所述的液晶组合物,其特征在于,包括以下质量百分比的组分:(1)5~70%通式I所代表的化合物;(2)1~40%通式II所代表的化合物;(3)5~65%通式III所代表的化合物;(4)0~45%通式IV所代表的化合物;(5)0~30%通式V所代表的化合物。8.根据权利要求7所述的液晶组合物,其特征在于,包括以下质量百分比的组分:(1)8~60%通式I所代表的化合物;(2)3~35%通式II所代表的化合物;(3)10~60%通式III所代表的化合物;(4)0~35%通式IV所代表的化合物;(5)0~25%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)10~57%通式I所代表的化合物;(2)5~30%通式II所代表的化合物;(3)13~55%通式III所代表的化合物;(4)0~30%通式IV所代表的化合物;(5)0~20%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)8~34%通式I所代表的化合物;(2)3~35%通式II所代表的化合物;(3)15~60%通式III所代表的化合物;(4)0~35%通式IV所代表的化合物;(5)0~25%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)10~34%通式I所代表的化合物;(2)5~30%通式II所代表的化合物;(3)19~55%通式III所代表的化合物;(4)5~30%通式IV所代表的化合物;(5)0~20%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)25~65%通式I所代表的化合物;(2)3~35%通式II所代表的化合物;(3)10~55%通式III所代表的化合物;(4)0~25%通式IV所代表的化合物;(5)0~20%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)25~57%通式I所代表的化合物;(2)5~29%通式II所代表的化合物;(3)13~51%通式III所代表的化合物;(4)0~22%通式IV所代表的化合物;(5)0~15%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)10~65%通式I所代表的化合物;(2)15~35%通式II所代表的化合物;(3)10~55%通式III所代表的化合物;(4)0~35%通式IV所代表的化合物;(5)0~25%通式V所代表的化合物;或,所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分:(1)14~5...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈卯先陈海光姜天孟王杰储士红谭小玉王新颖未欣田会强
申请(专利权)人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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