COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法技术

本发明专利技术提供一种COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法。该COA型阵列基板通过将薄膜晶体管的漏极设计为包括对应色阻层的第一过孔的漏极本体以及由所述漏极本体的边缘向外突出形成的第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部，能够提高色阻层上的第一过孔的尺寸的测量精度，进而提高COA型阵列基板的生产良率。

COA type array substrate and method for measuring through hole size on color resistance layer

The invention provides a COA type array substrate and a method for measuring the size of the through hole on the color resistance layer. The COA type array substrate can improve the measurement accuracy of the size of the first through hole on the color barrier layer by designing the drain of the thin film transistor as a drain body including the first through hole corresponding to the color barrier layer and the first, second and third through parts formed by the edge of the drain body protruding outwards, thereby further improving the measurement accuracy of the size of the first through hole on the color barrier layer. Improve the yield of COA type array substrate.

【技术实现步骤摘要】
COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。液晶面板的结构是由一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列(ThinFilmTransistorArray，TFTArray)基板以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成。COA(Color-filteronArray)技术是一种将CF基板上的色阻层直接制作于阵列基板上的集成技术，制得的阵列基板称之为COA型阵列基板，COA技术能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提升显示开口率，改善面板显示品质。所述COA型阵列基板中，漏极与像素电极需要通过钝化层上的过孔以及色阻层上的过孔导通，业界通常将位于色阻层上的过孔称为CFopen。图1为现有的COA型阵列基板的像素设计示意图，如图1所示，色阻层中设有第一过孔610，漏极520位于第一过孔610下方，存储电极220位于漏极520下方，其中，所述漏极520包括位于所述第一过孔610内的漏极本体504以及与所述漏极本体504相连并且朝源极510的位置延伸的延伸部505，存储电极220的大部分边界或者全部边界位于所述第一过孔610外围。所述第一过孔610(CFopen)的尺寸是色阻层的关键制程参数，直接影响后续制程的液晶用量以及气泡(bubble)风险，因此实际生产中每一批产品都需对第一过孔610进行尺寸的监控，对于第一过孔610尺寸超规的批次，需要及时调整相关参数进行修正，以保证产品品质。在对色阻层进行曝光显影时，采用的光罩上对应于第一过孔610的图案呈正方形或长方形，然而实际生产中，由于曝光和显影制程的特性，得到的第一过孔610的图案通常为近似标准的圆或者椭圆，实际生产中通常需要对第一过孔610的关键尺寸(CD，CriticalDimension)进行测量，以提高后续制程精度，如图2所示，传统的测量第一过孔610(CFopen)尺寸的方法为：在色阻层上形成第一过孔610后，对第一过孔610进行拍照，之后利用计算机软件对照片进行分析，在第一过孔610的边界上抓取三点A、B、C，根据三点共圆的原理计算出第一过孔610的尺寸；然而如图3所示，当第一过孔610内有金属层的边缘存在时，金属层的边缘会对第一过孔610的边界抓点产生干扰，导致抓点失误，从而无法保证测量的准确性，当第一过孔610的测量不准确时极易影响产品的生产效率，造成无法及时补正的制程变异，从而给企业带来损失。所述COA型阵列基板中位于第一过孔610下方的金属层包括漏极520与存储电极220，由于存储电极220的大部分边界或者全部边界位于所述第一过孔610的边界的外围，因此所述存储电极220基本不会对第一过孔610的边界抓点造成干扰；然而漏极520的面积较小，其大部分边界都位于第一过孔610内，因此容易对第一过孔610的边界抓点造成干扰；现有的一种解决办法是增大漏极520的面积直至其覆盖第一过孔610以保证第一过孔610内不存在漏极520的边界，从而避免漏极520的边缘对第一过孔610的边界抓点造成干扰，然而由于漏极520与存储电极220之间形成存储电容(Cst，StorageCapacitance)，对于已经定版的像素设计，Cst通常有一个最优数值，因此不可能无限制地增大漏极520的面积，从而实际生产中并不会采用增大漏极520面积的方法来解决第一过孔610的边界抓点干扰问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种COA型阵列基板，能够提高色阻层上的第一过孔的尺寸的测量精度，进而提高COA型阵列基板的生产良率。本专利技术的另一目的在于提供一种量测色阻层上过孔尺寸的方法，能够避免在第一过孔的尺寸测量过程中出现抓点失误的情况，提高测量精度，进而提高生产良率。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种COA型阵列基板，包括：薄膜晶体管以及设于所述薄膜晶体管上方的色阻层；所述色阻层上开设有用于电连接所述薄膜晶体管的漏极与像素电极的第一过孔；所述薄膜晶体管的漏极包括对应所述第一过孔设置的漏极本体、以及由所述漏极本体的边缘向外突出形成的第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部。所述第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部均与所述第一过孔的边界相交。所述第一过孔的形状为圆形或者椭圆形。所述薄膜晶体管包括：第一衬底基板、设于所述第一衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层与第一衬底基板上的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及设于所述有源层与绝缘层上的第二金属层；所述第二金属层包括与有源层两端分别接触并间隔设置的源极与漏极；所述色阻层位于所述第二金属层、有源层及绝缘层上方。所述COA型阵列基板还包括设于所述色阻层上的钝化层；所述像素电极位于钝化层上；所述钝化层上设有对应于第一过孔上方的第二过孔，所述像素电极经由所述第一过孔与第二过孔和漏极相接触。所述第一延伸部朝源极的所在位置延伸，并且所述第一延伸部与所述有源层相接触；所述第一金属层包括间隔设置的栅极与存储电极；所述漏极对应于存储电极上方设置，所述漏极与存储电极之间形成存储电容。所述第一延伸部与第二延伸部的延伸方向相反，并且所述第一延伸部与第二延伸部位于同一条直线上，所述第三延伸部的延伸方向垂直于所述第一延伸部与第二延伸部的延伸方向。本专利技术还提供一种量测色阻层上过孔尺寸的方法，包括如下步骤：步骤1、提供上述的COA型阵列基板；步骤2、从所述第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部上与所述第一过孔的边界的相交处分别选择第一点、第二点、第三点，根据三点共圆的原理计算出第一过孔的尺寸。所述步骤2中选取的第一点、第二点、第三点分别为等边三角形的三个顶点。所述步骤2中选取的第一点、第二点、第三点分别为等腰三角形的三个顶点。本专利技术的有益效果：本专利技术的COA型阵列基板通过将薄膜晶体管的漏极设计为包括对应色阻层的第一过孔的漏极本体以及由所述漏极本体的边缘向外突出形成的第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部，能够提高色阻层上的第一过孔的尺寸的测量精度，进而提高COA型阵列基板的生产良率。本专利技术的量测色阻层上过孔尺寸的方法通过从第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部与第一过孔的边界的相交处分别选取一个点，根据三点共圆的原理计算出第一过孔的尺寸，能够避免在第一过孔的尺寸测量过程中出现抓点失误的情况，提高测量精度，进而提高生产良率。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有的COA型阵列基板的像素设计示意图；图2为采用三点共圆法对现有的COA型阵列基板的色阻层上的第一过孔的尺寸进行测量的示意图；图3为现有的COA型阵列基板中的漏极边缘对色阻层上的第一过孔的尺寸测量造成干扰的示意图；图4为本专利技术的COA型阵列基板的剖视图；图5为本专利技术的COA型阵列基板的俯视图；图6为本专利技术的量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管(T)以及设于所述薄膜晶体管(T)上方的色阻层(60)；所述色阻层(60)上开设有用于电连接所述薄膜晶体管(T)的漏极(52)与像素电极(80)的第一过孔(61)；所述薄膜晶体管(T)的漏极(52)包括对应所述第一过孔(61)设置的漏极本体(524)、以及由所述漏极本体(524)的边缘向外突出形成的第一延伸部(521)、第二延伸部(522)及第三延伸部(523)。

【技术特征摘要】
1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管(T)以及设于所述薄膜晶体管(T)上方的色阻层(60)；所述色阻层(60)上开设有用于电连接所述薄膜晶体管(T)的漏极(52)与像素电极(80)的第一过孔(61)；所述薄膜晶体管(T)的漏极(52)包括对应所述第一过孔(61)设置的漏极本体(524)、以及由所述漏极本体(524)的边缘向外突出形成的第一延伸部(521)、第二延伸部(522)及第三延伸部(523)。2.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述第一延伸部(521)、第二延伸部(522)及第三延伸部(523)均与所述第一过孔(61)的边界相交。3.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述第一过孔(61)的形状为圆形或者椭圆形。4.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管(T)包括：第一衬底基板(10)、设于所述第一衬底基板(10)上的第一金属层(20)、设于所述第一金属层(20)与第一衬底基板(10)上的绝缘层(30)、设于所述绝缘层(30)上的有源层(35)以及设于所述有源层(35)与绝缘层(30)上的第二金属层(50)；所述第二金属层(50)包括与有源层(35)两端分别接触并间隔设置的源极(51)与漏极(52)；所述色阻层(60)位于所述第二金属层(50)、有源层(35)及绝缘层(30)上方。5.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，还包括设于所述色阻层(60)上的钝化层(70)；所述像素电极(80)位于钝化层(70)上；所述钝化层(70)上设有对应于第一过孔(...

【专利技术属性】
技术研发人员：安立扬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44