【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】红外成像装置、红外摄相机、微测辐射热计和焦平面阵列相关申请的交叉引用本申请要求2014年7月3日提交的题为“VERTICALMICROBOLOMETERCONTACTSYSTEMSANDMETHODS”的美国临时专利申请No.62/020,747的优先权和权益,通过引用的方式将其作为整体并入到本文中。
本技术的一个或多个实施例总体上涉及红外摄像机,并且更具体地,涉及微测辐射热计触点系统和方法,例如,微测辐射热计焦平面阵列的垂直管脚触点。
技术介绍
微测辐射热计是可以在红外成像装置(例如,红外摄像机)内使用的一种类型的红外探测器的示例。例如,通常将微测辐射热计制造在单片硅衬底上以形成红外(图像)探测器阵列,其中红外探测器阵列的每个微测辐射热计作为用于产生二维图像的像素。由称为读出集成电路(ROIC)的电路将每个微测辐射热计的电阻变化转换为时间复用电信号。ROIC和红外探测器阵列(例如,微测辐射热计阵列)的组合通常称为焦平面阵列(FPA)或红外FPA(IRFPA)。关于FPA和微测辐射热计的更多细节可以在例如第5,756,999、6,028,309、6,812,465 ...
【技术保护点】
1.一种红外成像装置,其特征在于,所述红外成像装置包括:具有多个触点的基底;和微测辐射热计阵列,所述微测辐射热计阵列耦接到具有表面的基底并且设置在所述基底的上方,所述表面定义平面,其中,每个微测辐射热计包括:电桥;管脚结构,其至少具有以不垂直于所述平面的方式延伸并且在所述触点中的至少一个和所述电桥之间延伸的第一部分;其中,所述管脚结构的所述第一部分具有在基本上垂直于所述平面的方向上延伸的第一尺寸;其中,所述管脚结构的所述第一部分具有在基本上平行于所述平面的方向上延伸的第二尺寸;以及其中,所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.03 US 62/020,7471.一种红外成像装置,其特征在于,所述红外成像装置包括:具有多个触点的基底;和微测辐射热计阵列,所述微测辐射热计阵列耦接到具有表面的基底并且设置在所述基底的上方,所述表面定义平面,其中,每个微测辐射热计包括:电桥;管脚结构,其至少具有以不垂直于所述平面的方式延伸并且在所述触点中的至少一个和所述电桥之间延伸的第一部分;其中,所述管脚结构的所述第一部分具有在基本上垂直于所述平面的方向上延伸的第一尺寸;其中,所述管脚结构的所述第一部分具有在基本上平行于所述平面的方向上延伸的第二尺寸;以及其中,所述第一尺寸大于所述第二尺寸。2.根据权利要求1所述的红外成像装置,其特征在于,所述管脚结构包括金属层和形成在所述金属层上的电介质层。3.根据权利要求2所述的红外成像装置,其特征在于,所述电介质层形成在所述金属层的第一侧上,并且其中所述管脚结构包括形成在所述金属层的相对的第二侧上的附加电介质层。4.根据权利要求1所述的红外成像装置,其特征在于:所述管脚结构的第一部分基本上平行于所述平面延伸;所述基底包括读出集成电路;以及所述触点中的至少一个包括将所述管脚结构导电地耦接到所述读出集成电路的触点结构。5.根据权利要求4所述的红外成像装置,其特征在于,所述触点结构包括从所述管脚结构的末端延伸到所述读出集成电路的金属柱。6.根据权利要求4所述的红外成像装置,其特征在于,所述触点结构包括在所述读出集成电路上的触点结构,并且其中所述管脚结构包括从所述基底上方的第一高度以非垂直角度向下延伸到所述触点结构的第二部分。7.根据权利要求4所述的红外成像装置,其特征在于,所述管脚结构的至少所述第一部分设置在由所述电桥定义的平面中。8.根据权利要求4所述的红外成像装置,其特征在于,所述管脚结构的至少所述第一部分设置在由所述电桥定义的平面的下方。9.根据权利要求1所述的红外成像装置,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·L·戴尔,C·陈,E·A·库尔特,
申请(专利权)人:菲力尔系统公司,
类型:新型
国别省市:美国,US
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