整流电路制造技术

本发明专利技术提供能够以较高的转换效率进行电力转换的整流电路。由直流端子交叉而级联连接的第1～第k整流电路组成的整流电路，其中，第1～第k整流电路各自具有：第1半波整流电路，包含串联连接的第1 MOS晶体管及第2 MOS晶体管，对输入第1交流端子的交流信号进行半波整流而生成直流信号；第2半波整流电路，包含串联连接的第3 MOS晶体管及第4 MOS晶体管，从第2交流端子接受交流信号的反相信号的输入，对反相信号进行半波整流而生成直流信号；体电位设定电路，设定各MOS晶体管的体电位；以及栅极电位供给电路，向各MOS晶体管的栅极供给直流偏置电位。

【技术实现步骤摘要】
整流电路
本专利技术涉及将交流信号整流而得到直流信号的整流电路。
技术介绍
作为在被动型的RFID（射频识别：RadioFrequencyIdentifier）标签中从由天线接收的高频微弱信号取出直流电力、或者利用机械/电气耦合系统来将微弱的振动能量等的机械能量转换为交流电力后转换为直流电力的电路，使用将交流信号电力转换为直流信号的整流电路。作为这样的整流电路，使用通过差动动作来将交流信号全波整流而转换为直流信号，并向负载供给的CMOS整流电路。在CMOS整流电路中，例如将利用N沟道型MOS晶体管及P沟道型MOS晶体管来CMOS构成的第1半波整流电路和第2半波整流电路并联连接，利用差动输入的交流信号来彼此以反相动作，从而整体构成全波整流电路。各MOS晶体管构成开关，对与施加在源极电极或者漏极电极的交流信号为反相的交流信号节点交流连接栅极电极。在这样的CMOS整流电路中，各MOS晶体管的栅极电极与反相的交流信号节点连接，因此减小开关电路正向动作时的导通（ON）电压及导通（ON）电阻，并且能够减小相反方向的泄漏电流。然而，如果输入的交流电力变大、输出的直流电压也变大，则因各MOS晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流电路，将交流信号转换为直流信号并输出，其特征在于具有：第1半波整流电路，包含串联连接的第1 MOS晶体管及第2 MOS晶体管，对所述交流信号进行半波整流而生成所述直流信号；第2半波整流电路，包含串联连接的第3 MOS晶体管及第4 MOS晶体管，从所述交流信号的反相信号的输入，对所述反相信号进行半波整流而生成所述直流信号；以及体电位设定电路，设定所述第1 MOS晶体管、所述第2 MOS晶体管、所述第3 MOS晶体管及所述第4 MOS晶体管的体电位。

【技术特征摘要】
2017.03.30 JP 2017-0684341.一种整流电路，将交流信号转换为直流信号并输出，其特征在于具有：第1半波整流电路，包含串联连接的第1MOS晶体管及第2MOS晶体管，对所述交流信号进行半波整流而生成所述直流信号；第2半波整流电路，包含串联连接的第3MOS晶体管及第4MOS晶体管，从所述交流信号的反相信号的输入，对所述反相信号进行半波整流而生成所述直流信号；以及体电位设定电路，设定所述第1MOS晶体管、所述第2MOS晶体管、所述第3MOS晶体管及所述第4MOS晶体管的体电位。2.如权利要求1所述的整流电路，其特征在于：进而具备第1交流端子、第2交流端子、直流输入端子及直流输出端子，所述第1MOS晶体管为第1沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第1交流端子连接并且另一个与所述直流输出端子连接，栅极与所述第2交流端子连接，所述第2MOS晶体管为与所述第1沟道型相反沟道型的第2沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第1交流端子连接并且另一个与所述直流输入端子连接，栅极与所述第2交流端子连接，所述第3MOS晶体管为所述第1沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第2交流端子连接并且另一个与所述直流输出端子连接，栅极与所述第1交流端子连接，体区与所述第1MOS晶体管的体区连接，所述第4MOS晶体管为所述第2沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第2交流端子连接并且另一个与所述直流输入端子连接，栅极与所述第1交流端子连接，体区与所述第2MOS晶体管的体区连接，所述体电位设定电路，包含：第1电阻，在连接所述第1MOS晶体管的体区及所述第3MOS晶体管的体区的第1连接点、与所述直流输出端子之间连接；第2电阻，在所述第1连接点与所述直流输入端子之间连接；第3电阻，在连接所述第2MOS晶体管的体区及所述第4MOS晶体管的体区的第2连接点、与所述直流输出端子之间连接；以及第4电阻，在所述第2连接点与所述直流输入端子之间连接。3.如权利要求1或2所述的整流电路，其特征在于：具有向所述第1MOS晶体管、所述第2MOS晶体管、所述第3MOS晶体管及所述第4MOS晶体管的栅极供给直流偏置电位的栅极电位供给电路。4.如权利要求3所述的整流电路，其特征在于，所述栅极电位供给电路，包含：第1晶体管对，在所述第1MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成；第2晶体管对，在所述第2MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成；第3晶体管对，在所述第3MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成；以及第4晶体管对，在所述第4MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成。5.一种整流电路，在第1交流端子及第2交流端子之间接受交流信号的施加，将所述交流信号转换为直流信号并从直流输入端子及直流输出端子输出，其特征在于具有：第1半波整流电路，包含串联连接的第1MOS晶体管及第2MOS晶体管，对输入所述第1交流端子的所述交流信号进行半波整流而生成所述直流信号；第2半波整流电路，包含串联连接的第3MOS晶体管及第4MOS晶体管，从所述第2交流端子接受所述交流信号的反相信号的输入，对所述反相信号进行半波整流而生成所述直流信号；以及栅极电位供给电路，向所述第1MOS晶体管、所述第2MOS晶体管、所述第3MOS晶体管及所述第4MOS晶体管的栅极供给直流偏置电位。6.如权利要求5所述的整流电路，其特征在于：所述第1MOS晶体管为第1沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第1交流端子连接并且另一个与所述直流输出端子连接，栅极与所述第2交流端子连接，所述第2MOS晶体管为与所述第1沟道型相反沟道型的第2沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第1交流端子连接并且另一个与所述直流输入端子连接，栅极与所述第2交流端子连接，所述第3MOS晶体管为所述第1沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第2交流端子连接并且另一个与所述直流输出端子连接，栅极与所述第1交流端子连接，所述第4MOS晶体管为所述第2沟道型的MOS晶体管，其源极及漏极中的一个与所述第2交流端子连接并且另一个与所述直流输入端子连接，栅极与所述第1交流端子连接，所述栅极电位供给电路，包含：第1晶体管对，在所述第1MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成；第2晶体管对，在所述第2MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成；第3晶体管对，在所述第3MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成；以及第4晶体管对，在所述第4MOS晶体管的栅极与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意电位之间连接，由以相反特性并联连接的一对MOS晶体管组成。7.如权利要求4或6所述的整流电路，其特征在于：所述第1～第4晶体管对的一端分别与所述第1～第4晶体管的栅极电极连接，该第1～第4晶体管对的另一端分别与所述直流输入端子和所述直流输出端子之间的任意...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村敬，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP