一种基于表面等离激元增强的LED光电器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于表面等离激元增强的LED光电器件，所述光电器件包括LED芯片，含有量子点和包覆型纳米金属颗粒的光转换层，以及位于光电器件外部的第一封装层，所述光转换层位于所述LED芯片的表面，且光转换层与LED芯片之间可选的包含第二封装层。本实用新型专利技术通过将量子点和包覆型金属纳米颗粒引入光转换层中，实现了金属纳米颗粒与量子点之间的局域表面等离增强，当LED芯片为表面具有金属纳米结构的LED芯片时，还可以实现了双重LSPR增强效应，显著提高了光转换效率，在显示照明领域具有广阔的应用前景。

LED optoelectronic device based on surface plasmon enhancements

The utility model discloses an LED optoelectronic device based on surface plasmon enhancement. The optoelectronic device comprises an LED chip, an optical conversion layer containing quantum dots and coated metal nanoparticles, and a first packaging layer located outside the optoelectronic device. The optical conversion layer is located on the surface of the LED chip and the optical conversion layer. The second package layer is optional between the LED chip. By introducing quantum dots and coated metal nanoparticles into the light conversion layer, the utility model realizes the local surface plasmon enhancement between the metal nanoparticles and the quantum dots. When the LED chip is a LED chip with metal nanostructure on the surface, the double LSPR enhancement effect can be realized, and the light conversion efficiency can be significantly improved. It has broad application prospects in the field of display lighting.

【技术实现步骤摘要】
一种基于表面等离激元增强的LED光电器件
本技术属于发光二极管(LED，LightEmittingDiode)显示照明及局域表面等离激元增强
，涉及一种LED光电器件，尤其涉及一种基于表面等离激元增强的LED光电器件。
技术介绍
从1983年Bell实验室的Brus首次报道了CdS纳米晶具有尺寸效应开始，在量子点制备方面人们已经开展了大量的研究工作。然而，由于氧气、温度和水汽等因素会对量子点的发光效率、稳定性和使用寿命产生不良影响，量子点无法直接用于白光LED。例如量子点与氧气接触，在激发光照射下会发生光氧化作用，引起量子点光降解；引起量子点表面S、Se原子的化学氧化腐蚀，产生表面缺陷，造成荧光猝灭。因此，量子点材料如要在LED产业中得到成功应用，需要将量子点材料与PMMA、硅胶等载体材料复合，形成量子点-聚合物复合材料，提高其氧热湿的稳定性。但是该量子点复合材料又面临一个新的挑战：光转换效率低。在与载体材料复合过程中，量子点表面小部分配位体或壳层表面不可避免地会受到载体材料的破坏，从而造成表面局部缺陷，这些缺陷会逐步扩大，变成量子点材料的荧光猝灭点，严重影响量子点材料的发光效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于表面等离激元增强的LED光电器件，其特征在于，所述光电器件包括LED芯片，含有量子点和包覆型纳米金属颗粒的光转换层，以及位于光电器件外部的第一封装层；所述光转换层位于所述LED芯片的表面，且光转换层与LED芯片之间包含第二封装层或者所述光转换层与LED芯片之间不包含第二封装层。

【技术特征摘要】
2017.07.31 CN 20172094261551.一种基于表面等离激元增强的LED光电器件，其特征在于，所述光电器件包括LED芯片，含有量子点和包覆型纳米金属颗粒的光转换层，以及位于光电器件外部的第一封装层；所述光转换层位于所述LED芯片的表面，且光转换层与LED芯片之间包含第二封装层或者所述光转换层与LED芯片之间不包含第二封装层。2.根据权利要求1所述的基于表面等离激元增强的LED光电器件，其特征在于，所述光电器件包括LED芯片，含有量子点和包覆型纳米金属颗粒的光转换层以及位于光电器件外部的第一封装层；所述光转换层与LED芯片之间包含第二封装层，且第二封装层的厚度为0.01～1mm。3.根据权利要求1所述的基于表面等离激元增强的LED光电器件，其特征在于，所述光转换层包括基质及分散在基质中的量子点和包覆型纳米金属颗粒，所述基质为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、硅胶、硅树脂、环氧类树脂或UV胶中的任意一种或两种的组合。4.根据权利要求1所述的基于表面等离激元增强的LED光电器件，其特征在于，所述量子点为核壳型...

【专利技术属性】
技术研发人员：王恺，周子明，谢斌，郝俊杰，陈威，孙小卫，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：新型
国别省市：广东,44