一种半导体硅环蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体硅环蚀刻装置，包括筒体、电机、一个以上的半导体硅环和压紧装置，所述电机固定安装于筒体的底面上，电机的转轴延伸至筒体内部，转轴的顶部设有一螺丝孔，筒体内部垂直设有一螺杆，螺杆下端插入所述的螺丝孔中，并与螺丝孔螺纹连接，螺杆上套有一个以上的套管，套管均与螺杆螺纹连接，套管两侧均固定安装一横杆，横杆的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层，一个以上的半导体硅环分别套设于上下两个套管之间，半导体硅环的上下端面与横杆顶部和底部上的防腐蚀海绵层相抵。本实用新型专利技术结构简单，能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑，同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触，增加了产品质量。

A semiconductor silicon ring etching device

The utility model discloses a semiconductor silicon ring etching device, which comprises a cylinder body, a motor, more than one semiconductor silicon ring and a pressing device. The motor is fixed on the bottom surface of the cylinder body, the rotating shaft of the motor extends to the inner part of the cylinder body, the top of the rotating shaft is provided with a screw hole, and the inner part of the cylinder is vertically provided with a screw and a screw. The lower end is inserted into the screw hole and connected with the screw hole threads. The screw hole is sleeved with more than one sleeve. The sleeve is connected with the screw thread. A transverse rod is fixed on both sides of the sleeve. An anticorrosive sponge layer is fixed on the top and bottom surfaces of the transverse rod, and more than one semiconductor silicon ring is sleeved on both sides of the sleeve. Between the bushings, the upper and lower ends of the semiconductor silicon ring are counteracted by an anticorrosive sponge layer on the top and bottom of the bar. The utility model has the advantages of simple structure, uniform removal of metal dust and debris on the surface and bottom of the silicon ring, uniform contact between the etching solution and the silicon ring, and improved product quality.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅环蚀刻装置
本技术涉及一种半导体硅环蚀刻装置。
技术介绍
半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质，保证其洁净纯度，现有的蚀刻装置中，针对呈圆盘或环状的半导体硅环，通常是将硅环挂在一般的工装上，再放到蚀刻槽里静止浸泡在蚀刻液中，这样硅环的清洗效果较差，容易在硅环的表面上残留金属碎屑或者金属粉尘，同时这样就会造成环产品表面蚀刻不均匀，从而降低产品的良品率。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种结构简单，使用方便，能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑，同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触，增加了产品质量的半导体硅环蚀刻装置。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种半导体硅环蚀刻装置，包括筒体、电机、一个以上的半导体硅环和压紧装置，所述筒体的底面上设有一通孔，电机固定安装于筒体的底面上，电机的转轴穿过通孔延伸至筒体内部，转轴的顶部设有一螺丝孔，筒体内部垂直设有一螺杆，螺杆下端插入所述的螺丝孔中，并与螺丝孔螺纹连接，螺杆上套有一个以上的套管，套管均与螺杆螺纹连接，套管两侧均固定安装一横杆，横杆的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层，一个以上的半导体硅环分别套设于上下两个套管之间，半导体硅环的上下端面与横杆顶部和底部上的防腐蚀海绵层相抵。作为优选的技术方案，压紧装置由两根直杆、一根以上的支杆、一个以上的压紧块、一个以上的弹簧和一个以上的伸缩杆组成，两根直杆一左一右设置于筒体内部，一根以上的支杆分别固定安装直杆的相对面上，支杆均与半导体硅环相对设置，压紧块均固定安装于支杆的相对面上，压紧块的一端均与半导体硅环的外圈面相抵，一个以上的伸缩杆分别安装于直杆的外侧面上，伸缩杆另一端均与筒体的内壁固定连接，弹簧均套设于伸缩杆上，弹簧一端均与直杆固定连接，另一端均与筒体的内壁固定连接，直杆一端均顺着筒体的开口延伸至外界，并均固定安装一握把。作为优选的技术方案，螺杆一端顺着筒体的开口延伸至外界，并固定安装一手把。作为优选的技术方案，筒体的底面上固定安装四根支撑杆，四根支撑杆呈矩形结构分布，四根支撑杆下端固定安装一底板。本技术具有以下有益效果：本技术结构简单，使用方便，能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑，同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触，增加了产品质量。附图说明图1为本技术实施例的整体结构示意图；图2为图1中A-A处的局部剖视图。具体实施方式为了使本技术的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1和图2所示，本技术实施例提供了一种半导体硅环蚀刻装置，包括筒体13、电机6、一个以上的半导体硅环9和压紧装置，所述筒体13的底面上设有一通孔7，电机6固定安装于筒体13的底面上，电机6的转轴穿过通孔6延伸至筒体13内部，转轴的顶部设有一螺丝孔8，筒体13内部垂直设有一螺杆4，螺杆4下端插入所述的螺丝孔8中，并与螺丝孔8螺纹连接，螺杆4上套有一个以上的套管1，套管1均与螺杆4螺纹连接，套管1两侧均固定安装一横杆3，横杆3的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层2，一个以上的半导体硅环9分别套设于上下两个套管1之间，半导体硅环9的上下端面与横杆3顶部和底部上的防腐蚀海绵层2相抵，转轴与通孔之间的缝隙中安装了橡胶圈，增加看密封性，避免了漏。本实施例中，压紧装置由两根直杆10、一根以上的支杆14、一个以上的压紧块15、一个以上的弹簧12和一个以上的伸缩杆11组成，两根直杆10一左一右设置于筒体13内部，一根以上的支杆14分别固定安装直杆10的相对面上，支杆14均与半导体硅环9相对设置，压紧块15均固定安装于支杆14的相对面上，压紧块15的一端均与半导体硅环9的外圈面相抵，一个以上的伸缩杆11分别安装于直杆10的外侧面上，伸缩杆11另一端均与筒体13的内壁固定连接，弹簧12均套设于伸缩杆11上，弹簧12一端均与直杆10固定连接，另一端均与筒体13的内壁固定连接，直杆10一端均顺着筒体13的开口延伸至外界，并均固定安装一握把16。本实施例中，螺杆4一端顺着筒体13的开口延伸至外界，并固定安装一手把17。本实施例中，筒体13的底面上固定安装四根支撑杆，四根支撑杆呈矩形结构分布，四根支撑杆下端固定安装一底板5。工作原理：取下螺杆，先将套管拧在螺杆上，再将半导体硅环套在螺杆上，套上套管、半导体硅环、套管、半导体硅环...以此类推，使得半导体硅环始终的位于两个套管之间，半导体硅环的上下端面能与横杆上的防腐蚀海绵层相抵，完成后，通过握把向外拉开直杆，拉开后，通过手把将螺杆重新的螺纹连接于转轴上，并往筒体中倒入蚀刻液，固定后，放开握把，通过弹簧的反弹力能有效的将两根直杆向内夹紧，直杆的移动带动了支杆和压紧块，通过两侧的压紧块能有效的将半导体硅环压紧，使得半导体硅环固定，这时，将电机通电，电机的旋转带动了螺杆和螺杆上的横杆，横杆的旋转带动了防腐蚀海绵层，通过旋转的防腐蚀海绵层能有效的将半导体硅环上下端面上的金属碎屑和粉碎擦去，同时也能将蚀刻液均匀的涂在半导体硅环上。本技术具有以下有益效果：本技术结构简单，使用方便，能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑，同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触，增加了产品质量。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：包括筒体、电机、一个以上的半导体硅环和压紧装置，所述筒体的底面上设有一通孔，电机固定安装于筒体的底面上，电机的转轴穿过通孔延伸至筒体内部，转轴的顶部设有一螺丝孔，筒体内部垂直设有一螺杆，螺杆下端插入所述的螺丝孔中，并与螺丝孔螺纹连接，螺杆上套有一个以上的套管，套管均与螺杆螺纹连接，套管两侧均固定安装一横杆，横杆的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层，一个以上的半导体硅环分别套设于上下两个套管之间，半导体硅环的上下端面与横杆顶部和底部上的防腐蚀海绵层相抵。

【技术特征摘要】
1.一种半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：包括筒体、电机、一个以上的半导体硅环和压紧装置，所述筒体的底面上设有一通孔，电机固定安装于筒体的底面上，电机的转轴穿过通孔延伸至筒体内部，转轴的顶部设有一螺丝孔，筒体内部垂直设有一螺杆，螺杆下端插入所述的螺丝孔中，并与螺丝孔螺纹连接，螺杆上套有一个以上的套管，套管均与螺杆螺纹连接，套管两侧均固定安装一横杆，横杆的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层，一个以上的半导体硅环分别套设于上下两个套管之间，半导体硅环的上下端面与横杆顶部和底部上的防腐蚀海绵层相抵。2.根据权利要求1所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：压紧装置由两根直杆、一根以上的支杆、一个以上的压紧块、一个以上的弹簧和一个以上的伸缩杆组...

【专利技术属性】
技术研发人员：张现军，游娜，覃庆良，王明甲，秦浩华，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：新型
国别省市：山东,37