射频电源中半导体场效应晶体管保护方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种射频电源中半导体场效应晶体管保护方法及装置，在射频电源的放大电路中增加电压抑制保护电路，利用电压抑制保护电路中的瞬态电压抑制器吸收放大电路中的瞬时反压，电压抑制保护电路包括串联的第一瞬态电压抑制器、第二电压抑制器，第一瞬态电压抑制器、第二电压抑制器所在支路分别与第一电容、第二电容、电感并联。本发明专利技术能很大程度的改善金属‑氧化物金属‑氧化物半导体场效应晶体管的使用环境，在恶劣不测事件发生时，保护金属‑氧化物半导体场效应晶体管不受伤害和损坏。

【技术实现步骤摘要】
射频电源中半导体场效应晶体管保护方法及装置
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种射频电源中半导体场效应晶体管保护方法及装置。
技术介绍
射频电源是基于50欧姆纯电阻负载设计的。这种情况下，负载稳定、反射功率基本为零、金属-氧化物半导体场效应晶体管（金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET）的耗散功率在最佳状况，电压驻波比接近为1，金属-氧化物半导体场效应晶体管处于最佳的工作状态，机器也处于最好的工作状态。但在实际的使用时，用户所使用的设备，负载往往并非50欧姆，甚至远远偏离50欧姆，并且这个偏离的过程还是不断变化的。这个时候，负载不稳定、反射功率增加、金属-氧化物半导体场效应晶体管的耗散功率增大、电压驻波比偏离1，导致金属-氧化物半导体场效应晶体管的工作状态恶化，射频电源的工作状态不断地变坏，并最终导致射频电源损坏。工作状态恶化的快，状态恶化的程度高，射频电源损坏的也就快。现在业界采取的措施是在射频电源与使用者的实际负载之间加一个匹配器，也可以射频电源实施扫频。使用匹配器之后，将射频电源输出的50欧姆标准负载阻抗，变换到使用者实际的负载阻抗，这是基于一个暂定负载匹配的；但当负载阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频电源中半导体场效应晶体管保护方法，其特征在于，在射频电源的放大电路中增加电压抑制保护电路，利用电压抑制保护电路中的瞬态电压抑制器吸收放大电路中的瞬时反压，其它频率的杂散信号通过电压抑制保护电路的并联网络来吸收。

【技术特征摘要】
1.一种射频电源中半导体场效应晶体管保护方法，其特征在于，在射频电源的放大电路中增加电压抑制保护电路，利用电压抑制保护电路中的瞬态电压抑制器吸收放大电路中的瞬时反压，其它频率的杂散信号通过电压抑制保护电路的并联网络来吸收。2.一种射频电源中半导体场效应晶体管保护装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学文，李光健，
申请(专利权)人：北京北广科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11