【技术实现步骤摘要】
基片集成波导滤波器
本专利技术涉及通信
，特别是涉及一种基片集成波导滤波器。
技术介绍
基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide，SIW)拥有良好的波导性能和易于与平面电路集成的特性，因而得到了广泛地应用。利用SIW技术设计出的滤波器对实现军事通信系统和民用移动通信系统小型化都具有十分重要的现实意义。虽然目前关于SIW滤波器小型化方面的研究报道已经非常多，但是在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：传统的SIW滤波器的尺寸仍然较大。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的SIW滤波器的尺寸仍然较大的问题，提供一种基片集成波导滤波器。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种基片集成波导滤波器，包括谐振腔以及至少一个调节器件；谐振腔包括：纵向间隔设置的第一导电层、第二导电层及第三导电层；第一介质基板，第一介质基板夹于第一导电层和第二导电层之间；第二介质基板，第二介质基板夹于第二导电层和第三导电层之间；谐振腔内设置有金属过孔，金属过孔贯穿第一导电层、第一介质基板、第二导电层、第二介质基板及第三导电层，且导通第一导电层、...
【技术保护点】
1.一种基片集成波导滤波器，其特征在于，包括谐振腔以及至少一个调节器件；所述谐振腔包括：纵向间隔设置的第一导电层、第二导电层及第三导电层；第一介质基板，所述第一介质基板夹于所述第一导电层和所述第二导电层之间；第二介质基板，所述第二介质基板夹于所述第二导电层和所述第三导电层之间；所述谐振腔内设置有金属过孔，所述金属过孔贯穿所述第一导电层、所述第一介质基板、所述第二导电层、所述第二介质基板及所述第三导电层，且导通所述第一导电层、所述第二导电层及所述第三导电层；所述谐振内设置有耦合柱，所述耦合柱贯穿所述第一介质基板、所述第二导电层及所述第二介质基板，且电连接所述第一导电层和所述第...
【技术特征摘要】
1.一种基片集成波导滤波器，其特征在于，包括谐振腔以及至少一个调节器件；所述谐振腔包括：纵向间隔设置的第一导电层、第二导电层及第三导电层；第一介质基板，所述第一介质基板夹于所述第一导电层和所述第二导电层之间；第二介质基板，所述第二介质基板夹于所述第二导电层和所述第三导电层之间；所述谐振腔内设置有金属过孔，所述金属过孔贯穿所述第一导电层、所述第一介质基板、所述第二导电层、所述第二介质基板及所述第三导电层，且导通所述第一导电层、所述第二导电层及所述第三导电层；所述谐振内设置有耦合柱，所述耦合柱贯穿所述第一介质基板、所述第二导电层及所述第二介质基板，且电连接所述第一导电层和所述第三导电层，所述耦合柱与所述第二导电层不接触；所述调节器件设置于所述谐振腔内，用于调节所述谐振腔的耦合量。2.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，还包括第三介质基板和第四介质基板，所述第三介质基板设置在所述第一导电层上，所述第四介质基板设置在所述第三导电层上；所述调节器件包括：调谐金属过孔，所述调谐金属过孔贯穿所述第三介质基板、且电连接所述第一导电层；调谐柱，所述调谐柱贯穿所述第一介质基板、所述第二介质基板、所述第三介质基板、所述第一导电层及所述第二导电层，且电连接所述第三导电层，所述调谐柱与所述第一导电层、所述第二导电层不接触；和/或所述调谐金属过孔贯穿所述第四介质基板、且电连接所述第三导电层；调谐柱，所述调谐柱贯穿所述第一介质基板、所述第二介质基板、所述第四介质基板、所述第二导电层及所述第三导电层，且电连接所述第一导电层，所述调谐柱与所述第二导电层、所述第三导电层不接触；在调节两个所述谐振腔的耦合量时，所述调谐金属过孔和所述调谐柱导通。3.根据权利要求2所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述调节器件还包括：第一安装垫，所述第一安装垫设置在所述第三介质基板的板面上、且电连接所述调谐金属过孔；第二安装垫，所述第二安装垫设置在所述第三介质基板的板面上、且电连接所述调谐柱；第一开关，所述第一开关的一端电连接所述第一安装垫、另一端电连接所述第二安装垫；和/或第三安装垫，所述第一安装垫设置在所述第四介质基板的板面上、且电连...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏道一，
申请(专利权)人：广东曼克维通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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