【技术实现步骤摘要】
金属焊接接头部位电偶腐蚀中腐蚀深度的测定方法本专利技术申请是母案申请“金属焊接接头部位电偶腐蚀的测定装置与测定方法”的分案申请,母案申请的申请日为2016年4月29日,申请号为2016102867138。
本专利技术属于电偶腐蚀的测定装置领域,尤其是金属焊接接头部位电偶腐蚀的测定装置与测定方法。
技术介绍
电偶腐蚀,也称之为双金属腐蚀。当两种或两种以上不同金属或同种金属的不同组织(如焊缝)在导电介质中接触后,由于各自电极电位不同而构成腐蚀原电池。在电解质水膜下,形成腐蚀宏电池,会加速其中负电位金属的腐蚀。影响电偶腐蚀的因素有环境、介质导电性、阴阳极的面积比等。电偶腐蚀一般取决于异种金属之间的电位差。这里的电位指的是两种金属或同种金属的不同组织(如焊缝)分别在电解质溶液(腐蚀介质)中的实际电位,即该金属在溶液中的腐蚀电位。其中,通常来讲,电位高的作为阴极,电位低的作为阳极,特别是当阳极面积较小时会形成小阳极大阴极的电偶对,使腐蚀加剧。在其他条件不变的情况下,电位差越大,腐蚀速度可能越大。这里说的可能是由于电位是热力学数据,通过热力学数据无法确切的表述出腐蚀过程的快慢 ...
【技术保护点】
1.金属焊接接头部位电偶腐蚀中腐蚀深度的测定方法,其特征在于,使用金属焊接接头部位电偶腐蚀的测定装置进行测定,所述金属焊接接头部位电偶腐蚀的测定装置包括测试探头,离子通道,电化学测量装置和计算机,其中:电化学测量装置和计算机相连,电化学测量装置将采集的电化学信号传递给计算机,计算机以对采集的电流信号进行分析处理,输出测试时间内的电偶腐蚀电流的数值;电化学测量装置的工作端和接地端分别连接两块待测焊接试样,用以采集信号;测试探头包括第一测试探头和第二测试探头,两者结构相同且分别固定在两块待测焊接试样上,由探头上盖、探头主体、探头下管和磁性固定栓组成,探头上盖下端与探头主体相连并 ...
【技术特征摘要】
1.金属焊接接头部位电偶腐蚀中腐蚀深度的测定方法,其特征在于,使用金属焊接接头部位电偶腐蚀的测定装置进行测定,所述金属焊接接头部位电偶腐蚀的测定装置包括测试探头,离子通道,电化学测量装置和计算机,其中:电化学测量装置和计算机相连,电化学测量装置将采集的电化学信号传递给计算机,计算机以对采集的电流信号进行分析处理,输出测试时间内的电偶腐蚀电流的数值;电化学测量装置的工作端和接地端分别连接两块待测焊接试样,用以采集信号;测试探头包括第一测试探头和第二测试探头,两者结构相同且分别固定在两块待测焊接试样上,由探头上盖、探头主体、探头下管和磁性固定栓组成,探头上盖下端与探头主体相连并在两者的连接处设置密封圈,探头主体的下端面中央设置探头下管,探头主体的下端面的四角对称设置磁性固定栓,在磁性固定栓的末端设置磁石,用于吸附在焊接测试区域;在探头下管的下端面设置试样接触圆环;在探头上盖上且沿探头上盖的轴向设置贯穿探头上盖的离子通道连接孔,在探头主体和探头下端的内部设置空腔,在探头上盖、探头主体和探头下端连接成一体后,离子通道连接孔和空腔同轴连接成一体的溶液储存腔;离子通道的一端设置在第一测试探头的探头上盖的离子通道连接孔中,其另一端设置在第二测试探头的探头上盖的离子通道连接孔中,以连通两个测试探头的溶液储存腔,在溶液储存腔中设置金属焊接接头实际工作环境下的溶液,以模拟待测试部位的工作环境;按照下述步骤进行:步骤1,利用磁石和磁性固定栓将测试探头固定在待测样品的表面并紧密贴合,在结合处使用绝缘材料进行防漏液处理,此时试样接触圆环与待测样品的表面紧密贴合;步骤2,向溶液储存腔中加入预先配置的溶液,以模拟待测样品的不同工作状态,待测样品在试样接触圆环中的部分即为样品的测试面积,在这一区域上浸泡预先配置的模拟溶液;再利用离子通道连通两个测试探头的溶液储存腔中的溶液;步骤3,将待测样品分别与电化学测量装置的工作端和接地端相连,开启电化学测量装置进行测试,同时以计算机对信号予以记录;计算机对采集的电流信号进行分析处理,输出电偶腐蚀电流,根据电偶腐蚀电流时间图可以确定焊接接头试样表面的阴阳极区域并判断焊接接头各部位的电偶腐蚀敏感性强弱,其中:首先计算出腐蚀电流密度的大小,腐蚀电流密度是腐蚀电流对腐蚀面积的乘积,其中,该面积为与电化学测量装置工作端相连的待测试样上测试探头的试样接触圆环中与(模拟)溶液相接触的待测试样面积(即试样接触圆环的面积),其腐蚀电流密度用如下公式计算:ID=I/ss=πR2其中,ID为电偶腐蚀电流密度,I为电偶腐蚀电流,s为工作面积,R为测试探头工作圆环半径(试样接触圆环的半径);当使用多探头进行测试时,其工作面积为与电化学工作装置的工作端所连接的测试探头的总工作面积(即每个试样接触圆环面积之和);在计算出电偶腐蚀电流密度之后,知道阴极区与阳极区腐蚀速度的差值,即ID=I阳D-I阴D,通过该值得大小与正负以...
【专利技术属性】
技术研发人员:高志明,苗伟行,胡文彬,刘永长,夏大海,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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