一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法技术

本发明专利技术涉及一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，属于陶瓷制备领域，其特征在于使用纯碳化硼进行烧结，且在传统的一次烧结基础上增加再烧结步骤。它是通过如下技术方案实现的：按质量百分比，将碳化硼80％‑94％，去离子水5％‑15％，丙三醇1％‑10％通过球磨及过筛混合均匀，冷压成型，利用真空热压烧结技术制备碳化硼陶瓷，本发明专利技术中采用二次烧结方法，在低于碳化硼熔点450℃的最高烧结温度下，得到了致密化且各项物理性能优异的碳化硼陶瓷。本发明专利技术解决了碳化硼纯粉烧结致密化困难的问题，为防弹陶瓷材料领域提供了一种致密化陶瓷制备方法。

A two sintering method for boron carbide ceramics

The invention relates to a secondary sintering method of boron carbide ceramics, belonging to the field of ceramic preparation, which is characterized in that pure boron carbide is used for sintering, and a re-sintering step is added on the basis of the traditional primary sintering. It is realized by the following technical schemes: according to the mass percentage, boron carbide 80%94%, deionized water 5%15%, glycerol 1%10% are mixed uniformly by ball milling and sieving, cold pressing is formed, and the boron carbide ceramics are prepared by vacuum hot pressing sintering technology. In the present invention, the secondary sintering method is adopted, which is lower than carbonization. The densified boron carbide ceramics with excellent physical properties were obtained at the highest sintering temperature of 450 C. The invention solves the difficult problem of Sintering Densification of pure boron carbide powder, and provides a preparation method of densified ceramics for the bullet-proof ceramic material field.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法
本专利技术涉及一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，属于陶瓷材料制备领域。
技术介绍
陶瓷材料具有强度高、硬度高、耐高温、抗氧化等优异性能，已成为装甲防护领域中的主要材料之一。在装甲防护领域中，碳化硅、氧化铝及碳化硼是其中举足轻重的防弹陶瓷材料，而相比其他两种，碳化硼具有密度低、强度高、比模量高等优势，综合防弹性能更好。碳化硼是一种无机非金属材料，它的晶体结构中具有93％以上的共价键，这使得它具有优异的物理化学性能，但同时也给其制备增加了难度。碳化硼的熔点高达2350℃，这使得其纯度越高，烧结越困难。碳化硼陶瓷可使用无压烧结及热压烧结等方法，通常会利用添加烧结助剂的方法来降低其烧结温度，从而在一定程度上降低碳化硼材料的性能。
技术实现思路
目前热压烧结是制备纯度较高致密碳化硼陶瓷最为有效的方法，而本专利中通过对未添加烧结助剂的纯粉采用二次烧结的方法得到致密且性能优异的碳化硼陶瓷，技术方案如下：1.采用碳化硼纯粉，不加入烧结助剂。2.实施步骤及工艺控制参数如下：1)碳化硼80％-94％，去离子水5％-15％，丙三醇1％-10％，其比例为质量百分比；2)将预选比例的碳化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，其特征在于使用纯碳化硼进行烧结，且在传统的一次烧结基础上增加再烧结步骤。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，其特征在于使用纯碳化硼进行烧结，且在传统的一次烧结基础上增加再烧结步骤。2.根据权利要求1所述碳化硼在素坯制备过程中，按质量百分比，碳化硼80％-94％，去离子水5％-15％，丙三醇1％-10％进行混合。3.根据权利要求1所述碳化硼在素坯在成型之后，水分去除，烧结过程中丙三醇也会全部挥发，因此，烧结有效成分为纯碳化硼。4.一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法，它的实施步骤以及工艺控制参数特征在于：S1、碳化硼80％-94％，去离子水5％-15％，丙三醇1％-10％，其比例为质量百分比；S2、将预选比例的碳化硼、去离子水、丙三醇置于球磨罐中，球料比为1∶3，球磨1-3h；S3、取出球磨后的混合物，将其过200目筛，以期充分混匀；S4、利用冷压机进行素坯成型，使用压力为15-30MPa；S5、将坯体置于烘箱中，70-130℃干燥12-20h，得到干...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小华，吴方旭，崔莉，初洪超，李宗涛，王丹，马达，谢淼，
申请(专利权)人：北京清核材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11