The crystallization method of the cobalt chloride solution of the invention comprises the following steps: evaporating and concentrating the cobalt chloride solution; cooling the evaporated and concentrated cobalt chloride solution in a water bath pot to make the cobalt chloride crystal grow naturally; closing the water bath pot when the temperature of the water bath pot drops to 30 35 C; and turning off the naturally grown cobalt chloride crystal at room temperature. When the temperature of cobalt chloride crude product drops to 20 25 C, the liquid-solid separation is carried out, and the crude cobalt chloride product after liquid-solid separation is naturally air-dried. The refined cobalt chloride product with large particle size and high quality conforms to the national standard is obtained. The crystallization rate of the product is up to 60% 75%, and the crystal size is uniform and the crystal color is uniform.
【技术实现步骤摘要】
一种氯化钴溶液的结晶方法
本专利技术属于湿法冶金领域，具体涉及一种氯化钴溶液的结晶方法。
技术介绍
传统的盐类产品的结晶方法，是将盐类溶液浓缩至一定比重后，置于结晶设备中，向结晶设备通入冷却水使盐类溶液降温至一定温度后加入晶种，再进行养晶，待晶种逐渐变为大颗粒产品后进行液固分离，得到产品。传统的盐类产品的结晶过程中加入的晶种成分质量直接决定产品的品质。对氯化钴溶液的结晶，应用传统的结晶方法产出的氯化钴产品结晶颗粒大小不均匀、晶体颜色不均匀且结晶率低，影响氯化钴产品的外观质量和产量，进而提高生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述已有技术存在的不足，提供一种能使氯化钴结晶颗粒大小均匀、颗粒颜色均匀且结晶率较高的氯化钴溶液的结晶方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种氯化钴溶液的结晶方法，其特征在于，所述结晶方法包括以下步骤：(1)将氯化钴溶液蒸发浓缩；(2)将步骤(1)中蒸发浓缩后的氯化钴溶液置于水浴锅中进行降温使氯化钴晶粒自然长出，所述水浴锅的温度降至30℃-35℃时关闭所述水浴锅；(3)将步骤(2)中自然长出的氯化钴晶粒在室温下进行自然养晶...
【技术保护点】
1.一种氯化钴溶液的结晶方法，其特征在于，所述结晶方法包括以下步骤：（1）将氯化钴溶液蒸发浓缩；（2）将步骤（1）中蒸发浓缩后的氯化钴溶液置于水浴锅中进行降温使氯化钴晶粒自然长出，所述水浴锅的温度降至30 ℃‑35 ℃时关闭所述水浴锅；（3）将步骤（2）中自然长出的氯化钴晶粒在室温下进行自然养晶15 h‑20 h后抽滤，得到氯化钴粗产品，所述抽滤的温度为20 ℃‑25 ℃；（4）当步骤（3）中的氯化钴粗产品温度降至20 ℃‑25 ℃时进行液固分离，将经过液固分离的氯化钴粗产品进行自然风干，得到氯化钴产品。
【技术特征摘要】
1.一种氯化钴溶液的结晶方法，其特征在于，所述结晶方法包括以下步骤：（1）将氯化钴溶液蒸发浓缩；（2）将步骤（1）中蒸发浓缩后的氯化钴溶液置于水浴锅中进行降温使氯化钴晶粒自然长出，所述水浴锅的温度降至30℃-35℃时关闭所述水浴锅；（3）将步骤（2）中自然长出的氯化钴晶粒在室温下进行自然养晶15h-...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦雪萍，王强，叶剑鸣，孟茂勇，
申请(专利权)人：金川集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：甘肃,62
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