The utility model belongs to the field of electronic materials, and discloses an ultra-thin heat dissipating magnetic shielding sheet. The magnetic field shield sheet is composed of a multi-layer fragmented nanocrystalline strip bonded by a thermal conductive double-sided adhesive; the overall thickness of the ultra-thin heat-dissipating magnetic field shield sheet is 80-140 micron; the thickness of the single layer of the fragmented nanocrystalline strip is 7-22 micron; the thickness of the single layer of the thermal conductive double-sided adhesive is 3-5 micron; and the fragmented nanocrystalline strip is 3-5 micron. The monomer gap is 0.1 to 5 m. Further, the heat shield film with 5~15 m thickness can be further used for edge treatment. The thickness of the magnetic shield of the utility model is thinner than that of the traditional magnetic isolator, and the heat dissipation effect of the magnetic shield is remarkably improved by further adopting the heat dissipation protection film to cover the edge.
【技术实现步骤摘要】
一种超薄散热型磁场屏蔽片
本技术属于电子材料领域,具体涉及一种超薄散热型磁场屏蔽片。
技术介绍
无线充电模组由发射端和接受端两部分构成,无论在发射端还是接收端,都会使用线圈(金属丝绕线线圈或者柔性线路板线圈)和隔磁材料。其中隔磁材料是用来隔绝无线充电模组对外界的干扰,减少无线充电的电磁场对手机其它部件的干扰。同时隔磁材料因优异的磁性性能能提升无线充电模组的充电效率,减少因对外界干扰引起的涡流损耗发热等等问题。隔磁材料有很多种,通常以树脂类吸波材料,铁氧体,非晶材料以及纳米晶材料为主。树脂类吸波材料,磁导率低,磁饱和强度低下,导热系数低下,无法满足无线充高规格的要求。铁氧体材料对温度敏感,磁饱和强度相对低下,同时自身物理韧性极差,非常不利于加工。非晶材料磁滞损耗相对较大,无线充电效率较低。纳米晶材料的磁导率高,磁饱和强度高,随温度上升磁性性能不明显衰减,是非常适用于无线充电领域的材料。随着电子消费品变得越来越纤薄,对隔磁材料的厚度也提出了更高的要求。同时,以手机为例的电子消费品,对发热问题也特别关心。传统的隔磁材料在厚度及散热性能上已经不能满足客户日益增长的要求。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处,本技术的目的在于提供一种超薄散热型磁场屏蔽片。本技术目的通过以下技术方案实现:一种超薄散热型磁场屏蔽片,由多层碎化后纳米晶带材在导热双面胶的黏合作用下复合组成;所述超薄散热型磁场屏蔽片的总体厚度为80~140μm;所述碎化后纳米晶带材的单层厚度为7~22μm,导热双面胶的单层厚度为3~5μm,碎化后纳米晶带材的单体间隙为0.1~5μm。进一步地,所述磁场 ...
【技术保护点】
1.一种超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:由多层碎化后纳米晶带材在导热双面胶的黏合作用下复合组成;所述超薄散热型磁场屏蔽片的总体厚度为80~140μm;所述碎化后纳米晶带材的单层厚度为7~22μm,导热双面胶的单层厚度为3~5μm,碎化后纳米晶带材的单体间隙为0.1~5μm。
【技术特征摘要】
1.一种超薄散热型磁场屏蔽片,其特征在于:由多层碎化后纳米晶带材在导热双面胶的黏合作用下复合组成;所述超薄散热型磁场屏蔽片的总体厚度为80~140μm;所述碎化后纳米晶带材的单层厚度为7~22μm,导热双面胶的单层厚度为3~5μm,碎化后纳米晶带材的单体间隙为0.1~5μm。2.根据权利要求1所述的一种超薄...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾志超,鲁晓燕,田忆兰,刘仲武,
申请(专利权)人:深圳市驭能科技有限公司,华南理工大学,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。