静电放电（ESD）保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法制造方法及图纸

描述了一种静电放电ESD保护装置以及一种用于操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，一种ESD保护装置包括：堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管被配置成响应于在第一节点与第二节点之间接收到的ESD脉冲而对所述第一节点与所述第二节点之间的电流进行分流；以及NMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管以及所述第二节点串联连接。所述第二PNP双极型晶体管的发射极和基极连接至所述第一PNP双极型晶体管的集电极。所述NMOS晶体管的栅极端连接至所述NMOS晶体管的源极端。还描述了其它实施例。

Electrostatic discharge (ESD) protection device and method for operating ESD protection device

An ESD protection device for electrostatic discharge and an implementation of a method for operating an ESD protection device are described. In one embodiment, an ESD protection device includes stacked first and second PNP bipolar transistors configured to carry out current between the first node and the second node in response to ESD pulses received between the first and second nodes. A shunt; and a NMOS transistor, the NMOS transistor in series with the stacked first and second PNP bipolar transistors and the second node. The emitter and base of the second PNP bipolar transistor are connected to the collector of the first PNP bipolar transistor. The gate extrema of the NMOS transistor is connected to the source extremity of the NMOS transistor. Other embodiments are also described.

【技术实现步骤摘要】
静电放电(ESD)保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法
本专利技术的实施例总体上涉及电子硬件以及用于操作电子硬件的方法，并且更具体地说，涉及静电放电(ESD)保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法。
技术介绍
静电放电是可能由静电的积累引起的突然电力流动。ESD保护装置可用于对ESD电流进行分流以便防止装置中的热损伤。例如，ESD保护装置可以集成到电气装置(比如，集成电路(IC)芯片)上以便提供低阻抗通道，进而防止对电气装置组件的热损伤。ESD保护装置的工作特性(例如，ESD保护装置被激活以便对ESD电流进行分流的触发电压，用于激活ESD保护装置以便对ESD电流进行分流的ESD反应时间和/或在ESD保护装置中发生击穿状况的折转保持电压(snapbackholdingvoltage)的温度灵敏度)可能影响ESD保护装置的性能。
技术实现思路
描述了一种ESD保护装置以及一种用于操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，一种ESD保护装置包括：堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管被配置成响应于在第一节点与第二节点之间接收到的ESD脉冲而对所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电放电ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管被配置成响应于在第一节点与第二节点之间接收到的ESD脉冲而对所述第一节点与所述第二节点之间的电流进行分流，其中，所述第二PNP双极型晶体管的发射极和基极连接至所述第一PNP双极型晶体管的集电极；以及NMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管以及所述第二节点串联连接，其中，所述NMOS晶体管的栅极端连接至所述NMOS晶体管的源极端。

【技术特征摘要】
2017.03.28 US 15/471,2591.一种静电放电ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管被配置成响应于在第一节点与第二节点之间接收到的ESD脉冲而对所述第一节点与所述第二节点之间的电流进行分流，其中，所述第二PNP双极型晶体管的发射极和基极连接至所述第一PNP双极型晶体管的集电极；以及NMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管以及所述第二节点串联连接，其中，所述NMOS晶体管的栅极端连接至所述NMOS晶体管的源极端。2.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管中的每个PNP双极型晶体管的发射极连接至所述PNP双极型晶体管的基极，并且其中所述第一PNP双极型晶体管的所述发射极和所述基极连接至所述第一节点。3.根据权利要求2所述的ESD保护装置，其特征在于，所述NMOS晶体管的漏极端连接至所述第二PNP双极型晶体管的集电极。4.根据权利要求3所述的ESD保护装置，其特征在于，所述NMOS晶体管的所述栅极端和所述源极端连接至所述第二节点。5.根据权利要求4所述的ESD保护装置，其特征在于，所述NMOS晶体管的主体连接至所述第二节点。6.根据权利要求5所述的ESD保护装置，其特征在于，所述第二节点连接至接地，并且其中所述第一节点连接至正电压。7.根据权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，所述堆叠的第一和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖大伟，曾韦智，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL