The invention discloses a semiconductor saturable absorption mirror structure with strain compensation. In this case, the saturable absorber adopts eight quantum well structures to facilitate the formation of eight standing wave periods, and each quantum well adopts AlGaAsP strain compensation layer, GaAlAs transparent layer, InGaAs transparent layer, GaAlAs transparent layer, GaAlAs transparent layer, InGaAlAs transparent layer, GaAlGaAs transparent layer and AlGaAsP should be used. The symmetrical configuration of the variable compensation layer makes it easy to locate each quantum well at the peak position of standing wave, to compensate strain, to reduce the deformation caused by cumulative stress, to improve the service life of SESAM, to increase the laser life and to reduce the cost of laser maintenance.
【技术实现步骤摘要】
一种带应变补偿的半导体可饱和吸收镜结构
本专利技术涉及一种带应变补偿的半导体可饱和吸收镜结构。
技术介绍
目前，超快激光器以其高峰值功率，窄脉冲宽度，在材料精细微加工、LED划片、太阳能光伏、科学研究等领域得到了广泛的应用。相对于纳秒激光，采用超快激光加工的材料，具有精度高、热影响区域极小、加工边缘无毛刺等优点，目前工业市场上主流的超快激光器都是基于SESAM的被动锁模激光器，包括固体和光纤类皮秒激光器大部分均用SESAM进行锁模。在种子源的技术方案中，利用光纤技术取代固体的种子源技术本身就有诸多的优点，在光纤技术中利用全保偏光纤的激光器更是被认为是能够抵抗环境变换的有效方法。所以目前最先进的技术是利用可饱和吸收体锁模技术来制作全保偏光纤激光器。然而诸如半导体可饱和吸收体、碳纳米管可饱和吸收体、石墨烯可饱和吸收体等可饱和吸收元件都存在低损伤阈值且随着时间衰减的缺点。如何提高SESAM锁模激光器的寿命就是工业激光界一个现实的难题。自1992年以来，基于半导体可饱和吸收镜的被动锁模激光器有了更广泛的理论和实验研究，可饱和吸收镜作为锁模激光器的关键器件，由于其腔内非常小...
【技术保护点】
1.一种带应变补偿的半导体可饱和吸收镜结构，其特征在于包括有n‑GaAs衬底，在所述n‑GaAs衬底上依次生长有24对布拉格反射镜、8个量子阱的可饱和吸收体，其中，每对布拉格反射镜的厚度为0.25λ，λ是设计波长，每个量子阱的厚度为0.5λ，每对布拉格反射镜包括有依次的GaAs子层和AlGaAs子层，GaAs子层的厚度≤AlGaAs子层的厚度，每个量子阱包括依次的AlGaAsP应变补偿层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、AlGaAsP应变补偿层，其中，两个AlGaAsP应变补偿层的厚度相等，3个GaAlAs透明层的...
【技术特征摘要】
1.一种带应变补偿的半导体可饱和吸收镜结构，其特征在于包括有n-GaAs衬底，在所述n-GaAs衬底上依次生长有24对布拉格反射镜、8个量子阱的可饱和吸收体，其中，每对布拉格反射镜的厚度为0.25λ，λ是设计波长，每个量子阱的厚度为0.5λ，每对布拉格反射镜包括有依次的GaAs子层和AlGaAs子层，GaAs子层的厚度≤AlGaAs子层的厚度，每个量子阱包括依次的AlGaAsP应变补偿层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、InGaAs层...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁崇智，黎海明，朱海波，
申请(专利权)人：广东华快光子科技有限公司，广东华奕激光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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