研磨机台及研磨方法技术

本发明专利技术实施例提供一种研磨机台及研磨方法。所述研磨机台包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽。

Grinding machine and grinding method

The embodiment of the invention provides a grinding machine table and a grinding method. The grinding machine table comprises a grinding head, a grinding table arranged below the grinding head, a grinding pad arranged on the grinding table, and a groove arranged on the grinding pad.

【技术实现步骤摘要】
研磨机台及研磨方法
本专利技术涉及车床工艺
，具体而言，涉及一种研磨机台及研磨方法。
技术介绍
产品应用于半导体行业中的CMP(ChemicalMechanicalPolishing，中文称：化学机械抛光工艺)工艺，对于平面度要求比较高。但是现有技术中的CMP工艺不能满足需求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种研磨机台及研磨方法。本专利技术实施例提供的一种研磨机台，包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽。可选地，所述研磨垫为圆形研磨垫。将所述研磨垫设置成圆形，可以使用研磨垫与所述研磨台可以更好地配合。另外，在研磨过程中，研磨头一般使用旋转的方式运作，因为将所述研磨垫设置成圆形可以更好地契合所述研磨头的运作轨迹。可选地，所述研磨垫设置有多个沟槽，每个沟槽为圆环形沟槽。将所述沟槽设置成圆环形沟槽，可以使用沟槽与所述研磨头的运作轨迹契合，可以更好地研磨目标物。可选地，所述圆环形沟槽的圆心与所述研磨垫的圆心位置相同。可选地，所述研磨机台还包括研磨液供给设备，用于向所述研磨台上喷射研磨液。可选地，所述研磨液为二氧化硅水溶液。选取所述二氧化硅水溶液作为研磨液可以更好地与所述目标物产生摩擦，且易因为所述研磨液的颗粒导致研磨后的目标物的平面度过大。可选地，所述研磨机台还包括：控制设备，所述控制设备用于控制所述研磨头、研磨垫转动。本专利技术实施例还提供一种研磨方法，应用于研磨机台，所述研磨机台包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽，所述方法包括：将目标物吸附在所述研磨头上，所述研磨头在所述研磨垫上转动；所述研磨垫按照预设的速度转动，以所述研磨垫与所述研磨头产生相对运动，以对所述研磨头上的所述目标物进行研磨。可选地，所述研磨机台包括控制设备，所述控制设备控制所述研磨头和研磨台转动，其中所述控制设备控制各设备的运动参数为：控制设备控制所述研磨垫的转速为75-85rpm内的任一转速，研磨头的转速为55-65rpm内的任一转速，给所述研磨头施加的压力为0.115-0.125Mpa内的任一压力值，研磨液流量2.3-2.7ml/s中的任一速度,研磨时间为32-37min中任意值。可选地，所述研磨机台包括控制设备，所述控制设备控制所述研磨头和研磨台转动，其中所述控制设备控制各设备的运动参数为：所述控制设备控制所述研磨垫的转速为80rpm，研磨头的转速为60rpm，给所述研磨头施加的压力为0.12Mpa，研磨液流量2.5ml/s，研磨时间为35min。与现有技术相比，本专利技术实施例的研磨机台及研磨方法，通过选取有沟槽的研磨垫，可以使用目标物能够更好地与所述研磨垫产生摩擦实现目标物的研磨，也能够使用研磨的效果更好。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例如果的研磨机台的结构示意图。图2为本专利技术实施例如果的研磨机台的研磨垫的结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的研磨机台的方框示意图。图4为本专利技术实施例提供的控制设备的方框示意图。图5为本专利技术实施例提供的研磨方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本专利技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是所述专利技术产品使用时惯常拜访的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能解释为本专利技术的限制。本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本实施例中，如图1所示，图1为本专利技术实施例如果的研磨机台的结构示意图。所述研磨机台10包括研磨头200、研磨台300及研磨垫400。本实施例中，所述研磨台300设置在所述研磨头200下方。进一步地，所述研磨台300下方设置带动所述研磨台300转动的转动轴310。通过控制所述转动轴310的转动速度实现控制所述研磨台300的转动速度。本实施例中，所述研磨垫400放置在所述研磨台300上。在一种实施方式中，如图2所示，所述研磨垫400上设置有沟槽410。所述沟槽410的形状可以是如图所示的环形凹槽。在另一种实施方式中，所述沟槽也可以是半圆环形凹槽，连个相对的半圆形凹槽可以形成一个环形。进一步地，所述沟槽410为环形或者半圆形凹槽时，所述环形或半圆形的圆心可以与所述研磨垫的圆心位置相同。在其它实施方式中，所述沟槽的形状也可以是其它形状。例如，“S”型曲线凹槽，直线凹槽等。本领域的技术人员可以按照所述研磨头200的运作轨迹设置所述沟槽的形状。本实施例中，所述研磨机台还可以包括研磨液供给设备，所述研磨液供给设备用于向所述研磨台上喷射研磨液。本实施例中，所述研磨液为二氧化硅水溶液。所述二氧化硅水溶液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型研磨产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。如：硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的研磨加工。本实施例中，所述研磨机台还包括：控制设备，所述控制设备用于控制所述研磨头、研磨垫转动。本实施例中，所述研磨头200上安装有目标物20，所述目标物20可以是PPS(Polyphenylenesulfide，中文称：聚苯硫醚)。当然，所述目标物20也可以是其它物质。所述目标物20与所述研磨垫400之间产品摩擦。如图3所示，是本专利技术实施例提供的研磨机台的方框示意图。所述研磨机台包括：控制设备100；与所述控制设备100连接的研磨头200；与所述控制设备100连接的研磨台300。所述控制设备100用于控制所述研磨头200和所述研磨台300的运作。所述控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨机台，其特征在于，包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种研磨机台，其特征在于，包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽。2.如权利要求1所述的研磨机台，其特征在于，所述研磨垫为圆形研磨垫。3.如权利要求2所述的研磨机台，其特征在于，所述研磨垫设置有多个沟槽，每个沟槽为圆环形沟槽。4.如权利要求3所述的研磨机台，其特征在于，所述圆环形沟槽的圆心与所述研磨垫的圆心位置相同。5.如权利要求1所述的研磨机台，其特征在于，所述研磨机台还包括研磨液供给设备，用于向所述研磨台上喷射研磨液。6.如权利要求5所述的研磨机台，其特征在于，所述研磨液为二氧化硅水溶液。7.如权利要求1所述的研磨机台，其特征在于，所述研磨机台还包括：控制设备，所述控制设备用于控制所述研磨头、研磨垫转动。8.一种研磨方法，其特征在于，应用于研磨机台，所述研磨机台包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽，所述方法包括：将目标物吸附在...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，沈佳迪，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33