The utility model relates to a two-stage low-frequency square-wave electronic ballast, which comprises a rectifying and filtering circuit for city power to form a DC power supply, a PFC circuit for power factor correction, a switching array and a MCU control circuit, and a low-frequency pulse signal PWM1 and a PWM3 with the same frequency and the opposite phase produced by the MCU are respectively connected with a field effect transistor Q1. The MCU generates high-frequency pulse control signals PWM2 and PWM4 with the same frequency and opposite phase, PWM4 and high-frequency pulse signal HDRL receive the gate of field effect transistor Q4 after logical operation, and PWM2 and high-frequency pulse signal HDRH receive the gate of field effect transistor Q2 after logical operation. The utility model realizes the function of full bridge circuit inversion and voltage reduction, transforms the original three stages into two stages, reduces high-power components, reduces material cost, improves work efficiency and reliability, thereby improving market competitiveness.
【技术实现步骤摘要】
一种两级低频方波电子镇流器
本技术涉及电子镇流器领域,特别是涉及一种两级低频方波电子镇流器电路。
技术介绍
由于气体放电灯(如荧光灯、霓虹灯、金卤灯等)是一种具V-I特性的负阻性电光源,即为负值,当灯电流上升时,灯管的工作电压下降,但是供电电压不会下降,多出的这点电压加到灯管后会使灯电流进一步上升,如此循环,最终烧坏灯管或灯管熄灭,所以要使灯管正常工作,应配以镇流元件,用以限制和稳定灯电流。这个限流装置叫做镇流器。目前气体放电灯如CMH、MH、HPS等陶瓷气体放电灯,常用的镇流器有两种:电感式镇流器和电子镇流器。由于电感式镇流器工作在工频市电频率,体积大、笨重,还需消耗大量铜和硅钢等金属材料,散热困难、工作效率低、灯发光有频闪,所以现在一些电光源界的科技工作者纷纷寻找新的镇流方法,而高频交流电子镇流器就是一种有效方法。目前的电子镇流器低频输出,都用到三级结构:BOOST电路,全桥电路、BUCK电路,每种电路都用MOS管和大功率二极管,这样产品的材料成本高,同时功耗也高,即工作效率低。在实践中,一般采用的是市电,需要进行整流滤波以后才能成为直流由BOOST电路进行升 ...
【技术保护点】
1.一种两级低频方波电子镇流器,包括对市电进行整流滤波形成直流电源的整流滤波电路和功率因数校正的PFC电路,其特征在于:还包括场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4组成的开关阵列和MCU控制电路;PFC电路中电解电容E3的阳极分别与场效应管Q1和场效应管Q2的漏极相连;电解电容E3的阴极分别与场效应管Q3和场效应管Q4的源极相连;场效应管Q1的源极接场效应管Q3的漏极,场效应管Q2的源极接场效应管Q4的漏极;场效应管Q1的源极和场效应管Q3的漏极的公共端接气体放电灯LAMP的一端、场效应管Q2的源极和场效应管Q4的漏极的公共端与气体放电灯LAMP的另一端电连 ...
【技术特征摘要】
1.一种两级低频方波电子镇流器,包括对市电进行整流滤波形成直流电源的整流滤波电路和功率因数校正的PFC电路,其特征在于:还包括场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4组成的开关阵列和MCU控制电路;PFC电路中电解电容E3的阳极分别与场效应管Q1和场效应管Q2的漏极相连;电解电容E3的阴极分别与场效应管Q3和场效应管Q4的源极相连;场效应管Q1的源极接场效应管Q3的漏极,场效应管Q2的源极接场效应管Q4的漏极;场效应管Q1的源极和场效应管Q3的漏极的公共端接气体放电灯LAMP的一端、场效应管Q2的源极和场效应管Q4的漏极的公共端与气体放电灯LAMP的另一端电连接;所述的MCU控制电路产生频率相同相位相反的低频脉冲信号PWM1和PWM3分别接场效应管Q1的场效应管Q3的栅极;所述的MCU控制电路产生频率相同相位相反的高频脉冲控制信号PWM2和PWM4,PWM4与高频脉冲信号HDRL经过逻辑运算以后接场效应管Q4的栅极,PWM2与高频...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈洪川,陈玉光,何日展,林德全,
申请(专利权)人:深圳市朗文科技实业有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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