一种二硫化钼靶材的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，包括以下步骤：二硫化钼粉体的预处理，得混合物料；对混合物料进行等静压成型压制成块状粗坯；将块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，送入球磨机进行球磨粉碎，得到粒径在30μm以下的粗粉；将粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；将备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结；烧结完成后，降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到二硫化钼靶材。本发明专利技术制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的二硫化钼靶材不导电，致密性和稳定性好，表面光滑，为实现二硫化钼镀膜提供了可靠保障。

Preparation method of molybdenum disulfide target material

The invention discloses a preparation method of molybdenum disulfide target material, which comprises the following steps: pretreatment of molybdenum disulfide powder to obtain mixture material; isostatic pressing molding of mixture material to form block coarse billet; calcination of block coarse billet in atmosphere sintering furnace, feeding into ball mill for ball grinding and grinding, and obtaining particle size of 30. Coarse powders below micron are sifted through 200 meshes and the powders under sifted are used as reserve powders. After that, the cooling target is released and the rough target is obtained. Finally, the molybdenum disulfide target is refined. The preparation process of the invention is simple, easy to operate, safe and pollution-free, and the prepared molybdenum disulfide target material is not conductive, has good compactness and stability, and has smooth surface, thus providing a reliable guarantee for realizing molybdenum disulfide coating.

【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钼靶材的制备方法
本专利技术涉及靶材制备
，特别是一种二硫化钼靶材的制备方法。
技术介绍
二硫化钼是重要的固体润滑剂，具有优异的润滑性能，可作为固体润滑剂被广泛应用于航空航天工业的真空润滑和石油化工的机械润滑。二硫化钼具有分散性好、不粘结、承载能力高、摩擦因数低的优点，可添加在各种油脂里，形成绝不粘结的胶体状态，作为固体润滑剂，可大大降低工件表面的摩擦和磨损，提高工件的使用效率，延长工件的使用寿命，是空间精密机械应用最广的润滑材料之一，常应用于真空环境的摩擦磨损工件和太空飞行器上，包括卫星活动部件和精密滚动轴承等真空润滑；同时还可应用在摩擦材料行业中，摩擦材料主要功能是低温时减摩，高温时增摩，烧失量小，在摩擦材料中易挥发。当然，二硫化钼也有缺点，例如导热性差、摩擦系数不够低、渗透能力不强等。随着技术的发展，对润滑和耐磨的要求越来越高，未来技术更需要将二硫化钼制成一种耐高温的薄膜，来减少油脂的使用，以提高设备部件的使用寿命。镀膜工艺目前比较先进并且无污染的工艺为磁控溅射物理镀膜技术，此种工艺需要将镀膜的材料以靶材的形式作为载体，对二硫化钼进行轰击完成镀膜，因此要得到二硫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硫化钼靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、二硫化钼粉体的预处理：将二硫化钼粉体与一定比例的经磁化的金属材料放入球磨机进行球磨混合均匀，得混合物料；B、将步骤A获得的混合物料进行等静压成型，等静压压力在100~125MPa，压制成块状粗坯；C、将步骤B所得块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，煅烧温度为1350℃，保温2小时，断电降温，100℃以下出炉；D、将步骤C得到的制品送入球磨机进行球磨粉碎，球磨时间为5小时，得到粒径在30μm以下的粗粉；E、将步骤D得到的粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；F、将步骤E获得的备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根...

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、二硫化钼粉体的预处理：将二硫化钼粉体与一定比例的经磁化的金属材料放入球磨机进行球磨混合均匀，得混合物料；B、将步骤A获得的混合物料进行等静压成型，等静压压力在100~125MPa，压制成块状粗坯；C、将步骤B所得块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，煅烧温度为1350℃，保温2小时，断电降温，100℃以下出炉；D、将步骤C得到的制品送入球磨机进行球磨粉碎，球磨时间为5小时，得到粒径在30μm以下的粗粉；E、将步骤D得到的粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；F、将步骤E获得的备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；G、将步骤F等到的粗坯装入石墨模具中，相邻粗坯之间用10mm厚钼片隔开；将装有粗坯的模具装入真空热压烧结炉内进行烧结，控制烧结温度1000~1050℃，烧结速率在5...

【专利技术属性】
技术研发人员：康明生，崔娜，朱辉，郄奕，张卫，李松敏，
申请(专利权)人：河北东同光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13