一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法，其特点是将镀制双层减反结构的SiO2实心纳米球/酸催化SiO2薄膜的基片采用CVD铜颗粒辅助催化气相沉积石墨烯制得透明导电薄膜，其具体制备包括：SiO2溶胶和SiO2实心纳米球溶胶的制备、聚电解质结构层和双层减反结构层的镀制以及双层减反结构层与石墨烯的复合等步骤。本发明专利技术与现有技术相比具有折射率逐级变化的双层减反结构，在可见光波段具有较好的减反性能，有效减少基底的反射，提高石墨烯透明导电薄膜的透过率，使用在光伏电池、平板显示器等众多光电设备中具有极大的应用价值和前景。

Preparation method of transparent conductive thin film with double-layer antireflective structure and graphene compound

The present invention discloses a preparation method of transparent conductive film composed of double-layer antireflection structure and graphene. The preparation method is characterized in that the substrate of SiO2 solid nanosphere/acid-catalyzed SiO2 film with double-layer antireflection structure is prepared by CVD copper particle assisted catalytic vapor deposition of graphene, and the specific preparation method includes: SiO2 sol The preparation of SiO2 solid nanosphere sol, the plating of polyelectrolyte structure layer and double-layer anti-reflection structure layer, and the compounding of double-layer anti-reflection structure layer and graphene, etc. Compared with the prior art, the invention has a double-layer anti-reflection structure with refractive index changing step by step, has better anti-reflection performance in the visible light band, effectively reduces the reflection of the substrate, improves the transmittance of the transparent conductive graphene film, and has great application value in photovoltaic cells, flat panel displays and many other photoelectric devices. And the prospect.

【技术实现步骤摘要】
一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法
本专利技术涉及材料化学
，具体地说是一种SiO2实心纳米球/酸催化纳米薄膜的双层减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜作为光电器件中的一个重要组成部分而被广泛研究和应用，石墨烯以其高的光学透过率和优异的导电性，成为可以替代传统氧化铟锡和掺氟氧化锡等的一种很有前途的透明导电薄膜。[(1)NingJ,HaoL,JinM,etal.AdvancedMaterials,2017,29,1605028.(2)GuoC,KongX,JiH.JournalofNanoscienceandNanotechnology,2018,18，4337-4342.(3)WangY,HuangK,DerréA,etal.Carbon,2017,121，217-225.]传统的石墨烯透明导电薄膜的制备方法一般都需要一个复杂的转移过程，在这个过程中难免会对石墨烯的性能有一定的影响。为了进一步提高石墨烯透明导电薄膜的性能，一些研究者采用了石墨烯与银纳米线的复合[YeN,YanJ,XieS,etal.Nanotechnology,2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法，其特征在于将镀制双层减反结构的SiO2实心纳米球/酸催化SiO2薄膜的基片CVD铜颗粒催化气相沉积石墨烯制得透明导电薄膜，其具体制备包括以下步骤：a步骤：SiO2溶胶的制备将正硅酸乙酯与HCl含量为36%的盐酸、去离子水和无水乙醇按1:1.7×10‑3:4:40摩尔比混合，常温下搅拌4小时进行酸催化反应，然后在室温下老化处理4天，制得酸催化SiO2溶胶；b步骤：SiO2实心纳米球溶胶的制备将正硅酸乙酯与去离子水、氨水和无水乙醇按0.1：3～6：0.5:15摩尔比混合，在45℃温度下搅拌3小时，制得SiO2实心纳米球溶胶； c步骤：聚电解质...

【技术特征摘要】
1.一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法，其特征在于将镀制双层减反结构的SiO2实心纳米球/酸催化SiO2薄膜的基片CVD铜颗粒催化气相沉积石墨烯制得透明导电薄膜，其具体制备包括以下步骤：a步骤：SiO2溶胶的制备将正硅酸乙酯与HCl含量为36%的盐酸、去离子水和无水乙醇按1:1.7×10-3:4:40摩尔比混合，常温下搅拌4小时进行酸催化反应，然后在室温下老化处理4天，制得酸催化SiO2溶胶；b步骤：SiO2实心纳米球溶胶的制备将正硅酸乙酯与去离子水、氨水和无水乙醇按0.1：3～6：0.5:15摩尔比混合，在45℃温度下搅拌3小时，制得SiO2实心纳米球溶胶；c步骤：聚电解质结构层的镀制将基片浸入上述a步骤制备的酸催化SiO2溶胶中，浸渍2分钟后以1200μm/s速度垂直提拉基片，烘干后将其先后浸入邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯（PDDA）和聚苯乙烯磺酸钠（PSS）溶液中浸渍2分钟，每次浸渍后用去离子水洗涤，重复浸渍3次，最后浸渍溶液为邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯（PDDA），烘干后制得基片上镀有均匀(PDDA/PSS)3PDDA聚电解质结构层的薄膜，所述烘干温度为50℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德增，孙小静，刘莉月，张小玲，程园，路晴，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海,31