多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层制造技术

公开了多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到多孔腔室部件的表面上并沉积到所述多孔腔室部件内的孔隙壁上的制品、系统和方法。多孔腔室部件可以包括多孔主体，多孔主体包括多孔主体内的多个孔隙，多个孔隙各自包括孔隙壁。多孔主体对气体是可渗透的。抗等离子体涂层可以包含Y2O3‑ZrO2固溶体并且可以具有约5nm至约3μm的厚度，并且可以保护孔隙壁不受侵蚀。具有抗等离子体涂层的多孔主体保持对气体是可渗透的。

Anti plasma coating of porous body by atomic layer deposition

The anti plasma coating of porous body by atomic layer deposition is disclosed. This paper describes the products, methods and methods of deposition of antiplasma coatings on the surface of porous chamber components by atomic layer deposition (ALD) process and on the porous wall of the porous chamber components. A porous chamber component may include a porous body comprising a plurality of pores within the porous body, and a plurality of pores each including a pore wall. The porous body is permeable to the gas. The anti-plasma coating can contain Y2O3_ZrO2 solid solution and can be about 5 nm to 3 micron thick, and can protect the pore wall from erosion. The porous body with an anti plasma coating remains permeable to the gas.

【技术实现步骤摘要】
多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层本申请是申请日为2018年1月25日、申请号为201810074077.1，题为“多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层”的申请的分案申请。
本公开内容的实施方式涉及制品、被涂覆的腔室部件和利用抗等离子体涂层涂覆腔室部件的方法。抗等离子体涂层可以包括高纯度氧化物层，所述氧化物层涂覆多孔部件的全部表面，在所述部件内包括孔隙壁。可选地，抗等离子体涂层可以包括含稀土金属的氧化物层和/或氧化铝层。涂层使用非视线技术(诸如原子层沉积)形成。
技术介绍
各种制造工艺将半导体工艺腔室部件暴露至高温、高能量等离子体、腐蚀性气体的混合物、高应力、和它们的组合。这些极端条件可能侵蚀和/或腐蚀腔室部件，从而增加腔室部件易受缺陷的影响。期望减少这些缺陷并改良部件在此类极端环境中的抗侵蚀性和/或抗腐蚀性。保护性涂层通常通过各种方法(诸如热喷涂、溅射、离子辅助沉积(IAD)、等离子体喷涂或蒸发技术)沉积在腔室部件上。这些技术一般无法将涂层沉积到此类腔室部件内的孔隙的孔隙壁上。
技术实现思路
本文中所述的一些实施方式涉及经涂覆的多孔制品(例如，来自静电夹盘的多孔插塞)。所述制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制品，包括：多孔主体，包括所述多孔主体内的多个孔隙，所述多个孔隙各自包括孔隙壁，其中所述孔隙主体对气体是可渗透的；和抗等离子体涂层，处于所述多孔主体的表面上并且处于所述多孔主体内的所述多个孔隙的所述孔隙壁上，所述抗等离子体涂层具有5nm至3μm的厚度并且包含Y2O3‑ZrO2的固溶体，其中所述抗等离子体涂层保护所述孔隙壁不受侵蚀，并且其中具有所述抗等离子体涂层的所述多孔主体保持对所述气体是可渗透的。

【技术特征摘要】
2017.03.17 US 15/462,718;2017.12.20 US 15/849,2771.一种制品，包括：多孔主体，包括所述多孔主体内的多个孔隙，所述多个孔隙各自包括孔隙壁，其中所述孔隙主体对气体是可渗透的；和抗等离子体涂层，处于所述多孔主体的表面上并且处于所述多孔主体内的所述多个孔隙的所述孔隙壁上，所述抗等离子体涂层具有5nm至3μm的厚度并且包含Y2O3-ZrO2的固溶体，其中所述抗等离子体涂层保护所述孔隙壁不受侵蚀，并且其中具有所述抗等离子体涂层的所述多孔主体保持对所述气体是可渗透的。2.如权利要求1所述的制品，其中所述Y2O3-ZrO2的固溶体包括10-90mol％的Y2O3和10-90mol％的ZrO2的混合物。3.如权利要求1所述的制品，其中所述Y2O3-ZrO2的固溶体包括40-80mol％的Y2O3和20-60mol％的ZrO2的混合物。4.如权利要求1所述的制品，其中所述Y2O3-ZrO2的固溶体包括60-70mol％的Y2O3和30-40mol％的ZrO2的混合物。5.如权利要求1所述的制品，其中所述制品是用于静电夹盘的陶瓷插塞。6.如权利要求1所述的制品，其中所述抗等离子体涂层包含：含稀土金属的氧化物层，包含Y2O3-ZrO2的固溶体；以及高纯度金属氧化物层。7.如权利要求1所述的制品，其中所述多孔主体具有5％至60％的孔隙率。8.如权利要求1所述的制品，其中所述抗等离子体涂层包含：第一类型的层和第二类型的层的交替层的堆叠，其中：所述第一类型的层包含具有1埃至20埃的厚度的高纯度金属氧化物；并且所述第二类型的层包含所述Y2O3-ZrO2的固溶体并且具有5埃至100埃的厚度。9.如权利要求1所述的制品，其中所述多孔主体基本上由两相材料组成，所述两相材料包含第一氧化物的烧结颗粒和用作所述第一氧化物的所述烧结颗粒的粘结剂的第二氧化物，其中所述第一氧化物选自由氧化铝和氮化铝所组成的群组并且所述第二氧化物是二氧化硅。10.如权利要求1所述的制品，其中所述多孔主体选自由以下项所组成的群组：a)氧化铝和二氧化硅的混合物；b)氧化铝、氧化镁和二氧化硅的混合物；c)碳化硅；d)氮化硅；和e)氮化铝和二氧化硅的混合物。11.一种方法，包括：进行原子层沉积以在包括多个孔隙的多孔腔室部件上沉积包含Y2O3-ZrO2的固溶体的抗等离子体涂层，所述多个孔隙各自包括孔隙壁，其中所述多孔腔室部件对气体是可渗透的，并且其中进行所述原子层沉积包括：将所述抗等离子体涂层沉积到所述多孔腔室部件的表面上；以及将所述抗等离子体涂层沉积到所述多孔腔室部件内的所述多个孔隙的所述孔隙壁上；所述抗等离子体涂层具有5nm至3μm的厚度，其中所述抗等离子体涂层保护所述孔隙壁不受侵蚀，并且其中在进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·菲鲁兹多尔，S·班达，R·丁德萨，D·卞，D·M·勒夫尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US