柔性OLED显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种柔性OLED显示面板，包括：柔性基底、阵列设置于所述柔性基底上的像素单元以及覆设于所述像素单元上的薄膜封装层；其中，所述柔性基底上设置有水氧阻挡层，所述像素单元位于所述水氧阻挡层上，任意相邻的两个所述像素单元之间设置有间隔挡墙，所述间隔挡墙和所述水氧阻挡层为一体成型的结构；在所述柔性OLED显示面板的厚度方向上，所述间隔挡墙从所述水氧阻挡层延伸至所述薄膜封装层。本发明专利技术还公开了如上所述柔性OLED显示面板的制备方法以及包含所述柔性OLED显示面板的显示装置。本发明专利技术可以提高柔性OLED显示面板在被弯曲时的应力释放能力，提升柔性OLED显示面板的弯折性能。

【技术实现步骤摘要】
柔性OLED显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种柔性OLED显示面板及其制备方法，还涉及包含所述柔性OLED显示面板的显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(Organiclight-emittingdiodes，OLED)显示面板具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广和反应速度快等优点，是新一代平面显示技术的代表，越来越受到业界的推崇。而柔性OLED显示面板是其中的一个重要发展趋势。柔性OLED显示面板不仅能够在体积上更加轻薄，而且能够降低功耗，从而有助于提升相应产品的续航能力。同时，由于柔性OLED显示面板的可弯曲性和柔韧性，其耐用程度也高于普通硬质显示面板。柔性OLED显示面板可广泛应用于各种带显示功能的产品中，例如可以应用于平板电脑、电视、移动终端和各类可穿戴式设备中。通常地，当柔性OLED显示面板被弯曲时，出现应力，其中，拉张应力朝着凸状外表面出现而压应力朝着凹状内表面出现。如何提高柔性OLED显示面板在被弯曲时的应力释放能力是业内需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种柔性OLED显示面板及其制备方法，以提高柔性OLED显示面板在被弯曲时的应力释放能力。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种柔性OLED显示面板，包括：柔性基底、阵列设置于所述柔性基底上的像素单元以及覆设于所述像素单元上的薄膜封装层；其中，所述柔性基底上设置有水氧阻挡层，所述像素单元位于所述水氧阻挡层上，任意相邻的两个所述像素单元之间设置有间隔挡墙，所述间隔挡墙和所述水氧阻挡层为一体成型的结构；在所述柔性OLED显示面板的厚度方向上，所述间隔挡墙从所述水氧阻挡层延伸至所述薄膜封装层。其中，所述薄膜封装层包括交替叠层设置的有机薄膜层和无机薄膜层，所述间隔挡墙嵌入所述薄膜封装层中。其中，所述水氧阻挡层和所述间隔挡墙的材料均为有机材料。其中，所述间隔挡墙的纵向截面呈梯形形状。其中，所述间隔挡墙的侧面的斜坡角为α，并且，80°≤α＜90°。其中，所述像素单元包括相互电性连接的薄膜晶体管和有机发光二极管，所述薄膜晶体管形成在所述水氧阻挡层上，所述有机发光二极管位于所述薄膜晶体管上。其中，所述薄膜晶体管包括：形成在所述水氧阻挡层上的有源层；覆设于所述有源层上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的栅电极；覆设于所述栅电极上的层间介质层；形成在所述层间介质层上的源电极和漏电极；覆设于所述源电极和漏电极上的平坦层。其中，所述有机发光二极管包括：形成在所述薄膜晶体管上并电性连接到所述薄膜晶体管的第一电极；围绕于所述第一电极设置的像素限定层；形成在所述第一电极上的有机发光层；形成在所述有机发光层上的第二电极。本专利技术还提供了如上所述的柔性OLED显示面板的制备方法，其包括：在柔性基底制备形成有机材料薄膜层；应用光刻工艺将所述有机材料薄膜层刻蚀形成水氧阻挡层以及凸起于所述水氧阻挡层上的图形化的多个间隔挡墙；在所述水氧阻挡层上制备形成阵列设置的像素单元，任意相邻的两个所述像素单元之间由所述间隔挡墙相互间隔；在所述像素单元上制备形成薄膜封装层。本专利技术的另一方面是提供一种显示装置，其包括驱动单元和如上所述的柔性OLED显示面板，所述驱动单元向所述柔性OLED显示面板提供驱动信号，以使所述柔性OLED显示面板显示影像。本专利技术实施例提供的柔性OLED显示面板以及显示装置，在任意相邻的两个像素单元之间设置有间隔挡墙，间隔挡墙的一端连接至底部的水氧阻挡层，另一端延伸连接至顶部的薄膜封装层，当柔性OLED显示面板被弯曲时，其内部产生的应力在间隔挡墙上释放掉，由此提升了柔性OLED显示面板的弯折性能。在进一步地实施例中，间隔挡墙与水氧阻挡层的材料相同并且是一体成型的结构，间隔挡墙也具有阻挡水汽和氧气的性能，因此也提高了柔性OLED显示面板的水氧阻挡性能。另外，由于在任意相邻的两个像素单元之间均设置有间隔挡墙，由此还可以减小相邻的两个像素单元之间的信号干扰。附图说明图1是本专利技术实施例提供的柔性OLED显示面板的结构示意图；图2是本专利技术实施例中的间隔挡墙的结构示意图；图3是本专利技术实施例中的像素单元的结构示意图；图4a～4e是本专利技术实施例提供的柔性OLED显示面板的制备方法中，各个步骤对应获得的器件结构的示例性图示；图5是本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本专利技术的实施方式仅仅是示例性的，并且本专利技术并不限于这些实施方式。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。本实施例提供了一种柔性OLED显示面板，如图1所示，所述柔性OLED显示面板100包括柔性基底1、阵列设置于所述柔性基底1上的像素单元2(图1中仅示例性示出了若干个像素单元2)、以及覆设于所述像素单元2上的薄膜封装层(ThinFilmEncapsulation，TFE)3。其中，所述柔性基底1上设置有水氧阻挡层4，所述像素单元2位于所述水氧阻挡层4上，任意相邻的两个所述像素单元2之间设置有间隔挡墙5。具体地，所述间隔挡墙5连接于所述水氧阻挡层4上并且是与所述水氧阻挡层4为一体成型的结构，在所述柔性OLED显示面板100的厚度方向上，所述间隔挡墙5的一端连接至所述水氧阻挡层4，另一端延伸至所述薄膜封装层3并嵌入到所述薄膜封装层3中。如上所述的柔性OLED显示面板100，在任意相邻的两个像素单元2之间设置有间隔挡墙5，间隔挡墙5的一端连接至底部的水氧阻挡层4，另一端延伸连接至顶部的薄膜封装层3，当柔性OLED显示面板100被弯曲时，其内部产生的应力在间隔挡墙5上释放掉，由此提升了柔性OLED显示面板100的弯折性能。另外，由于在任意相邻的两个像素单元2之间均设置有间隔挡墙5，由此还可以减小相邻的两个像素单元2之间的信号干扰。其中，本实施例中，所述水氧阻挡层4和所述间隔挡墙5的材料均为有机材料。所述间隔挡墙5采用了与所述水氧阻挡层4相同的具有阻挡水汽和氧气的性能的有机材料，并且两者是一体成型的结构，由此从整体上提高了柔性OLED显示面板100的水氧阻挡性能，特别是像素单元2侧面的水氧阻挡性能。具体地，如图1和图2所示，所述间隔挡墙5的纵向截面呈梯形形状。所述间隔挡墙5的侧面的斜坡角为α，斜坡角α优选的设定范围是80°≤α＜90°。其中，所述柔性基底1可以是采用聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料制备形成的柔性基板。其中，参阅图1和图3，所述像素单元2包括相互电性连接的薄膜晶体管21和有机发光二极管22，所述薄膜晶体管21形成在所述水氧阻挡层4上，所述有机发光二极管22位于所述薄膜晶体管21上。具体地，如图3所示，所述薄膜晶体管21包括：形成在所述水氧阻挡层4上的有源层211、覆设于所述有源层211上的栅极绝缘层212、形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性OLED显示面板，包括：柔性基底、阵列设置于所述柔性基底上的像素单元以及覆设于所述像素单元上的薄膜封装层；其特征在于，所述柔性基底上设置有水氧阻挡层，所述像素单元位于所述水氧阻挡层上，任意相邻的两个所述像素单元之间设置有间隔挡墙，所述间隔挡墙和所述水氧阻挡层为一体成型的结构；在所述柔性OLED显示面板的厚度方向上，所述间隔挡墙从所述水氧阻挡层延伸至所述薄膜封装层。

【技术特征摘要】
1.一种柔性OLED显示面板，包括：柔性基底、阵列设置于所述柔性基底上的像素单元以及覆设于所述像素单元上的薄膜封装层；其特征在于，所述柔性基底上设置有水氧阻挡层，所述像素单元位于所述水氧阻挡层上，任意相邻的两个所述像素单元之间设置有间隔挡墙，所述间隔挡墙和所述水氧阻挡层为一体成型的结构；在所述柔性OLED显示面板的厚度方向上，所述间隔挡墙从所述水氧阻挡层延伸至所述薄膜封装层。2.根据权利要求1所述的柔性OLED显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层包括交替叠层设置的有机薄膜层和无机薄膜层，所述间隔挡墙嵌入所述薄膜封装层中。3.根据权利要求1所述的柔性OLED显示面板，其特征在于，所述水氧阻挡层和所述间隔挡墙的材料均为有机材料。4.根据权利要求1-3任一所述的柔性OLED显示面板，其特征在于，所述间隔挡墙的纵向截面呈梯形形状。5.根据权利要求4所述的柔性OLED显示面板，其特征在于，所述间隔挡墙的侧面的斜坡角为α，并且，80°≤α＜90°。6.根据权利要求1所述的柔性OLED显示面板，其特征在于，所述像素单元包括相互电性连接的薄膜晶体管和有机发光二极管，所述薄膜晶体管形成在所述水氧阻挡层上，所述有机发光二极管位于所述薄膜晶体管上。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：许杰，孙涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42