一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其组分表达式为Lnx(ZniSbj)y，其中x，y，i,j为原子百分比，0

【技术实现步骤摘要】
一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料及其制备方法
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种应用于相变存储领域的镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，计算机在日常生活和工作中扮演越来越重要的作用。而计算机的性能越来越依赖于存储系统的特性。总所周知，传统的存储器的架构主要包含静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和闪存(NANDFLASH)这些部分。其中，当DRAM工艺尺寸缩小至2nm及以下会产生系统稳定性、数据可靠性等问题。因此，研究和开发新一代存储器具有重要的意义。近年来，英特尔(Intel)、三星(Samsung)、国际商业机器(IBM)和意法半导体(STMicroelectronics)等公司以及很多大学和研究所均在积极开发新一代的存储材料和技术，如铁电存储器、磁存储器、和相变存储器等。其中，相变存储器(PhaseChangeRandomAccessMemory，缩写为PCRAM)具有元件尺寸小、循环寿命长(>1013次)、读取速度快、存储密度高、稳定性强、耐高低温(-55-125℃)、抗振本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，其组分表达式为Lnx(ZniSbj)y，其中x，y为原子百分比，0

【技术特征摘要】
1.一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，其组分表达式为Lnx(ZniSbj)y，其中x，y为原子百分比，0<x≤0.30,0.7<y≤1,x+y＝1.00，0<i≤0.20,0.80<j≤1,i+j＝1.00。2.如权利要求1所述的镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，i＝0.15,j＝0.85。3.如权利要求1所述的镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，0.006≤x≤0.030。4.如权利要求1所述的镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，所述的镧系元素为Ce,Er或Sm。5.如权利要求1所述的镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，所述的相变材料为相变薄膜材料。6.如权利要求1所述的镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其特征在于，所述的相变材料为在外部电脉冲或激光脉冲作用下具有可逆相变的材料。7.一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹华，张建豪，胡益丰，朱小芹，孙月梅，郑龙，眭永兴，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32