基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

基板处理装置的基板保持部将基板(9)保持为水平状态。基板旋转机构使基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴J1为中心旋转。顶板(5)与基板(9)的上表面相向，并且以中心轴(J1)为中心旋转。气体供给部向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，该下方空间是顶板(5)的下方的空间。离子生成部(8)生成离子，并向来自气体供给部的处理环境用气体供给该离子。此外，在顶板(5)位于比搬入基板(9)时的位置更靠下方的位置的状态下，使基板保持部与顶板(5)旋转，并且向上述下方空间供给包含离子的处理环境用气体，形成从下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。由此，能够通过简单的构造对顶板(5)进行除电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置及基板处理方法
本专利技术涉及处理基板的技术。
技术介绍
以往，在半导体基板(以下，简称“基板”)的制造工序中，对基板进行各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀图案的基板上供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等药液处理。此外，在药液处理结束后，对基板上供给清洗液来进行清洗处理，然后，进行基板的干燥处理。日本特开2003-100694号公报(文献1)的基板处理装置具有将基板保持为水平并使基板旋转的旋转卡爪、以及与基板的上方相向配置的圆板状的遮蔽板。旋转卡爪固定在卡爪旋转驱动机构的旋转轴的上端。遮蔽板的上表面固定有其他旋转轴，该其他旋转轴沿着与旋转卡爪的旋转轴共用的轴线延伸。该其他旋转轴形成为中空，在其内部插通有用于向基板的上表面供给处理液的处理液喷嘴。此外，在该其他旋转轴的内侧面与处理液喷嘴的外侧面之间形成有用于供干燥基板用的氮气流通的氮气流通路。在文献1的基板处理装置中，在对基板进行干燥处理时，遮蔽板以与基板几乎相同的速度沿相同方向旋转。此外，从上述氮气流通路向基板与遮蔽板之间的空间供给氮气。由此，在基板与遮蔽板之间产生稳定的氮气气流，并通过该气流持续置换基板与遮蔽板之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，用于处理基板，其中，具有：基板保持部，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，使所述基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴为中心进行旋转；相向构件，与所述基板的上表面相向，并且以所述中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液；气体供给部，向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，所述下方空间是所述相向构件的下方的空间；离子生成部，生成离子，并向来自所述气体供给部的所述处理环境用气体供给所述离子；以及控制部，通过控制所述基板旋转机构、所述气体供给部以及所述离子生成部，在所述相向构件位于比搬入所述基板时的所述相向构件的位置更靠下方的位置的状态下，使所述基板...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.09 JP 2016-0224491.一种基板处理装置，用于处理基板，其中，具有：基板保持部，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，使所述基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴为中心进行旋转；相向构件，与所述基板的上表面相向，并且以所述中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液；气体供给部，向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，所述下方空间是所述相向构件的下方的空间；离子生成部，生成离子，并向来自所述气体供给部的所述处理环境用气体供给所述离子；以及控制部，通过控制所述基板旋转机构、所述气体供给部以及所述离子生成部，在所述相向构件位于比搬入所述基板时的所述相向构件的位置更靠下方的位置的状态下，使所述基板保持部以及所述相向构件旋转，并且向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体，形成从所述下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，在干燥处理时形成所述离子气流，在所述干燥处理中，通过所述基板旋转机构使所述基板旋转，从所述基板上除去来自所述处理液供给部的所述处理液。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，在由来自所述处理液供给部的所述处理液对所述基板进行处理之前形成所述离子气流。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，利用在由所述处理液对所述基板进行处理时被供给的所述处理环境用气体，来形成在由所述处理液对所述基板进行处理之前的所述离子气流。5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还具有相向构件移动机构，所述相向构件移动机构保持所述相向构件，并且使所述相向构件在上下方向的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部移动，所述相向构件在所述第一位置上被所述相向构件移动机构保持并且向上方离开所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置上被所述基板保持部保持并且通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起旋转。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述相向构件具有：相向构件本体，与所述基板的所述上表面相向，并且在径向中央部设置有相向构件开口，以及筒状的相向构件筒部，从所述相向构件本体的所述相向构件开口的周围向上方突出；所述处理液供给部具有处理液喷嘴，所述处理液喷嘴插入所述相向构件筒部，并经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面供给所述处理液，经由所述处理液喷嘴与所述相向构件筒部之间的空间即喷嘴间隙向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述相向构件还具有相向构件凸缘部，所述相向构件凸缘部从所述相向构件筒部的上端部向径向外侧扩展为环状，并且被所述相向构件移动机构保持，在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，在所述相向构件凸缘部的上表面上形成与所述喷嘴间隙连接的迷宫，通过向所述迷宫供给包含所述离子的所述处理环境用气体，所述喷嘴间隙被密封而与外部空间隔离，并且利用从所述迷宫流出的包含所述离子的所述处理环境用气体，形成沿着所述相向构件的上表面从径向中央部向径向外侧扩散的上部离子气流。8.根据权利要求7所述的基板处理装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩尾通矩，村元僚，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP