用于电子设备外壳的多层结构制造技术

技术编号:19071947 阅读:36 留言:0更新日期:2018-09-29 16:17
在一个示例中,可公开一种用于电子设备的外壳,其可包括第一多层结构。所述第一多层结构可包括第一层和形成在所述第一层上的第二层。所述第一层和所述第二层中的每个均可包括在所述第一层和所述第二层的边缘上的多个凸出特征部和多个凹进特征部。一层的所述多个凹进特征部中的至少一个可与另一层的所述多个凸出特征部中的至少一个相交。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子设备外壳的多层结构
技术介绍
电子设备可包括用于封装或固定各种设备部件和电路的外壳。外壳的特性可能因设备而异。例如,用于计算机、电话和键盘的外壳通常是不同的,并且可以使用不同的材料和组装技术形成。附图说明在以下详细描述中参考附图描述各示例,其中:图1A是描绘多层结构的示例外壳的透视图;图1B描绘图1所示的示例多层结构的一部分的俯视图;图1C描绘图1所示的示例多层结构的一部分的仰视图;图2描绘示例多层结构组件的透视图;和图3描绘包括用多层结构组件形成的外壳的示例便携式电子设备。具体实施方式用于计算机、电话和键盘的外壳通常可以是不同的,并且可以使用不同的材料和组装技术形成。外壳可以由金属和塑料结合形成,以节省成本并使设备保持更轻。在一些电子设备中,外壳可以由金属和塑料结合形成,以允许无线天线信号的发送/接收。无论结构怎样变化,一些外壳通常可以由固定在一起的两个或更多个外壳部件形成,这可能由于外壳部件之间的材料结合力低于外部负载而导致外观问题(例如,结合可能随时间逐渐失效)。例如,在笔记本电脑中,由于外壳部件之间的嵌件成型拉链结构的间距较小、各种不同的外观涂装过程或在精加工过程中涉及的高温而可能引起外观问题。在此描述的示例可以描述用于电子设备的外壳,其可包括第一多层结构和第二多层结构。在一个示例中,第一多层结构可包括第一层和形成在第一层上的第二层。第一层和第二层中的每个均可包括在第一多层结构的边缘上的多个凸出特征部和多个凹进特征部。第一层和第二层上的示例凸出特征部和凹进特征部可以是T形的、蘑菇形的、矩形的或其组合。在一个示例中,一层的凹进特征部中的至少一个可以与另一层的凸出特征部中的至少一个相交。例如,第一层的至少一个凹进特征部可以与第二层的至少一个凸出特征部相交。第二多层结构可以通过第一多层结构的边缘上的多个凸出特征部和多个凹进特征部结合到第一多层结构,以在x、y和z方向上提供结合力。第一层和第二层的相交部分可帮助约束第一层和第二层中的每个,并增强第一多层结构和第二多层结构之间的结合力。在此所述的多层结构还可防御外部负载,并因此可减少/克服外观问题。图1A-图1C示出描绘多层结构102的示例外壳100。具体地,图1A是描绘多层结构102的示例外壳100的透视图。图1B描绘图1A中所示的示例多层结构102的一部分的俯视图。图1C描绘图1A中所示的示例多层结构102的一部分的仰视图。多层结构102可以例如表示用作电子设备的外壳的材料。外壳100可包括第一多层结构102。第一多层结构102可包括第一层106和形成在第一层106上的第二层104。例如,第一多层结构102的不同层可以由不同材料(例如,不同金属)或相同材料制成。作为外壳100的一部分的第一多层结构102可以是外壳100的边框部分、前部和/或后部。第一层106可包括在第一层106的边缘上的凸出特征部112和凹进特征部114。第二层104可包括在第二层104的边缘上的凸出特征部108和凹进特征部110。在一个示例中,一层(例如,第一层106)的凹进特征部114中的至少一个可与另一层(例如,第二层104)的凸出特征部108中的至少一个相交(例如,在相交部分116所示)。在另一示例中,第一层106的凹进特征部114的至少一些部分可以与第二层104的凸出特征部108的至少一些部分重叠。第一层106和第二层104的凸出特征部108、112和凹进特征部110、114可形成双层拉链结构。在每层中,凹进特征部(例如,110、114)可被形成在两个凸出特征部(例如,108、112)之间以形成拉链结构。此外,外壳100可包括第二多层结构(例如,如图2中所示的204)。在一个示例中,第二多层结构可以使用第一层106和第二层104的边缘上的凸出特征部108、112和凹进特征部110、114被结合到第一多层结构102。这在图2中详细解释。现在参见图2,其描绘了示例多层结构组件200的透视图。组件200可包括第一多层结构202和第二多层结构204,第二多层结构204可被结合到第一多层结构202。第一多层结构202可包括第一层208和一体形成在第一层208上的第二层206。第一层208和第二层206可以是层压在一起的金属层。第一层208和第二层206可使用不同的金属。第一多层结构202可通过诸如压缩成型、铸造、压制成形、锻造和冲压之类的金属制造方法制成。第一层208和第二层206中的每个均可包括在第一多层结构202的边缘上的至少一个凸出特征部210、214和至少一个凹进特征部212、216。第一层208的凸出特征部214可大致偏离于第二层206的凸出特征部210,并且第一层208的凹进特征部216可大致偏离于第二层206的凹进特征部212。在一个示例中,一层(例如,第一层208)的凹进特征部216可以与另一层(例如,第二层206)的凸出特征部210相交(例如相交部分218所示)。第二多层结构204可以经由第一多层结构202的边缘上的凸出特征部210、214和凹进特征部212、216结合到第一多层结构202,以提供结合力。在一个示例中,第二多层结构204可被嵌件成型到第一多层结构202的边缘上的凸出特征部210、214和凹进特征部212、216上。第一多层结构202和第二多层结构204可以无间隙地接合在一起。例如,在嵌件成型过程中,金属多层结构(例如,202)可允许熔化的塑料多层结构(例如,204)流入凹进特征部中,并且当熔化的塑料多层结构处于该凹进特征部内部时,塑料可硬化,从而将塑料多层结构附接到金属多层结构。用于附接第一多层结构和第二多层结构的示例可以不限于嵌件成型,并且可以使用任何其它工艺(例如,超声波结合)来附接第一多层结构和第二多层结构,使得第一多层结构和第二多层结构可形成用于电子设备的外壳。例如,第二多层结构204可包括第一层226和第二层228,第一层226和第二层228中的每个均具有凸出特征部220、224和凹进特征部222。第二多层结构204的凸出特征部220、224可被设置在第一多层结构202的对应的凹进特征部212、216内。类似地,第一多层结构202的凸出特征部210、214可被设置在第二多层结构204的第一层226和第二层228的对应的凹进特征部(例如,222)内。在图2所示的示例中,内层(例如,第一层226)的凹进特征部可能不可见。第一多层结构202和第二多层结构204可由相同材料或不同材料制成。在一个示例中,第一多层结构202可由金属材料制成,并且第二多层结构204可由塑料材料制成。例如,第一多层结构202可由从由铝、镁、锂、锌、钛、铝合金、镁合金、锂合金、锌合金和钛合金组成的组中选择的金属材料制成。第二多层结构204可由从由液晶聚合物、聚苯硫醚和聚对苯二甲酸丁二醇酯组成的组中选择的塑料材料制成。而且,第二多层结构204的材料可被选择为与第一多层结构202的材料具有良好的结合能力。例如,塑料部分可大致是与金属主体的一个边缘相邻的长形部分。塑料部分可由能够与金属主体牢固结合的材料制成,例如,具有相对较低的收缩率和与第一多层结构202的金属材料的线膨胀系数大致相等的线膨胀系数的材料。例如,从金属部分的边缘延伸的凸出特征部(例如,210、2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电子设备的外壳,包括:第一多层结构,包括:第一层;和形成在所述第一层上的第二层,其中所述第一层和所述第二层中的每个均包括在所述第一层和所述第二层的边缘上的多个凸出特征部和多个凹进特征部,其中一层的所述多个凹进特征部中的至少一个与另一层的所述多个凸出特征部中的至少一个相交。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于电子设备的外壳,包括:第一多层结构,包括:第一层;和形成在所述第一层上的第二层,其中所述第一层和所述第二层中的每个均包括在所述第一层和所述第二层的边缘上的多个凸出特征部和多个凹进特征部,其中一层的所述多个凹进特征部中的至少一个与另一层的所述多个凸出特征部中的至少一个相交。2.根据权利要求1所述的外壳,进一步包括:使用所述第一层和所述第二层的边缘上的所述多个凸出特征部和所述多个凹进特征部结合到所述第一多层结构的第二多层结构。3.根据权利要求2所述的外壳,其中所述第一多层结构和所述第二多层结构由相同材料或不同材料制成。4.根据权利要求2所述的外壳,其中所述第二多层结构由从由液晶聚合物、聚苯硫醚和聚对苯二甲酸丁二醇酯组成的组中选择的塑料材料制成。5.根据权利要求1所述的外壳,其中所述第一多层结构由从由铝、镁、锂、锌、钛、铝合金、镁合金、锂合金、锌合金和钛合金组成的组中选择的金属材料制成。6.根据权利要求1所述的外壳,其中所述第一层和所述第二层的所述多个凸出特征部和所述多个凹进特征部形成双层拉链结构。7.一种组件,包括:第一多层结构,包括:第一层;和一体形成在所述第一层上的第二层,其中所述第一层和所述第二层中的每个均包括在所述第一多层结构的边缘上的至少一个凸出特征部和至少一个凹进特征部,其中一层的所述至少一个凹进特征部与另一层的所述至少一个凸出特征部相交;以及第二多层结构,经由所述第一多层结构的边缘上的所述至少一个凸出特征部和所述至少一个凹进特征部结合到所述第一多层结构,以提供结合力。8.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员:林修本蔡坤成邱建智
申请(专利权)人:惠普发展公司有限责任合伙企业
类型:发明
国别省市:美国,US

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