一种掩膜板及其制作方法技术

技术编号:19063920 阅读:21 留言:0更新日期:2018-09-29 13:41
本申请提供一种掩膜板及其制作方法,掩膜板包括至少一个开口以及围绕设置在开口周缘的遮挡区,掩膜板包括贯穿相对设置的第一表面和第二表面的开口,遮挡区的第一表面上设置有第一凹槽,第一凹槽与开口相连。即遮挡区朝向开口的侧边上设置有开放性的第一凹槽,在掩膜板使用过程中,第一凹槽容纳衬底上的颗粒物,使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合紧密,避免因颗粒物的存在造成的成膜不均,引起成膜失败问题。而且,颗粒物在重力作用下,能够脱离第一凹槽,避免第一凹槽里容纳较多颗粒物,造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时,第一凹槽的存在还减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量,同样能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制作方法
本专利技术涉及半导体制作
,尤其涉及一种掩膜板及其制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示技术是现有技术中常见的显示技术,广泛应用于手机、数码摄像机、平板电脑等电子设备上。尤其,随着柔性显示装置和曲面屏的发展,OLED显示技术的地位更加重要。OLED显示装置制作过程中,需要在衬底上形成阴极层、发光层和阳极层等多层金属、非金属材料,常用的工艺,请参考图1和图2,其中,图1为现有技术中提供的蒸镀工艺制作OLED显示区的工艺图,图2为掩膜板俯视示意图,图1中所示的掩膜板为图2中沿AA’的剖面结构图;在衬底01上设置掩膜板02,掩膜板02的开口021对应待沉积物质的区域,围绕开口021周缘设置有遮挡区022;采用CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相淀积)工艺将金属或有机物蒸镀到位于CVD工艺腔体上方的衬底上,其中,掩膜板开口对应的衬底01上的区域沉积形成阴极和阳极的金属物,掩膜板遮挡的衬底部分不形成上述材料,从而形成多个相互分离的OLED显示装置中的有效显示区04,所述有效显示区即为OLED显示装置通电后显示画面的区域。需要说明的是,图1中03区域为阴极或阳极压盖有效区。但是,现有技术中的掩膜板在蒸镀过程中,容易造成CVD成膜失败以及蒸镀边界不清晰的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种掩膜板及其制作方法,以解决现有技术中掩膜板在蒸镀过程中,容易造成CVD成膜失败以及蒸镀边界不清晰的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种掩膜板,包括:至少一个开口;围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。本专利技术还提供一种掩膜板制作方法,用于制作上面所述的掩膜板,所述掩膜板制作方法包括:提供掩膜板,所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面;在所述掩膜板上形成至少一个贯穿所述第一表面和所述第二表面的开口,围绕所述开口周缘的掩膜板为遮挡区;在所述遮挡区的第一表面形成第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。经由上述的技术方案可知,本专利技术提供的掩膜板,包括至少一个开口以及围绕设置在所述开口周缘的遮挡区,所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。也即,遮挡区朝向开口的侧边上设置有开放性的第一凹槽,在掩膜板使用过程中,所述第一凹槽能够容纳衬底上的颗粒物,使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合更加紧密,避免由于颗粒物的存在造成颗粒物所在位置产生的成膜不均,引起的成膜失败问题。而且,所述第一凹槽为开放性凹槽,当第一凹槽内沉积较多颗粒物时,颗粒物在重力作用下,能够脱离第一凹槽,避免第一凹槽内容纳较多颗粒物,造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时,所述第一凹槽设置在遮挡区,也即将遮挡区的实体板材去除了一部分,从而减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量,能够减小掩膜板张网时,实体板材在重力作用下造成的开口变形的形变量,进而能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。本专利技术还提供一种掩膜板的制作方法,用于形成上述具有有益效果的掩膜板,从而改善OLED显示装置有效显示区的成膜质量以及提高有效显示区的材料蒸镀边缘的清晰度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的蒸镀工艺制作OLED显示区的工艺图;图2为掩膜板俯视示意图;图3为本专利技术实施例提供的一种掩膜板俯视结构示意图;图4为图3所示掩膜板沿BB’线的剖面结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的另一种掩膜板的遮挡区剖面结构示意图;图6为图3所示掩膜板A部分的局部放大图;图7为现有技术中掩膜板上taper角示意图;图8为形成第一凹槽时,掩膜板上taper角变化示意图;图9为本专利技术实施例提供的另一种掩膜板俯视结构示意图;图10为图9所示掩膜板C部分的局部放大图;图11为图3所示掩膜板B部分的局部放大图;图12为本专利技术实施例提供的一种掩膜板制作方法流程示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述,现有技术中掩膜板,在蒸镀过程中,容易造成CVD成膜失败以及蒸镀边界不清晰的问题。专利技术人发现,出现上述现象的原因为,通常情况下,衬底上存在颗粒物,在蒸镀过程中,一方面,所述颗粒物的存在对CVD成膜造成划伤,使得CVD成膜失败;另一方面,由于颗粒物凸起于所述衬底表面,使得衬底和掩膜板无法紧密贴合,造成掩膜板与衬底之间形成较大空隙,在蒸镀材料过程中,材料在所述空隙处出现扩展,造成OLED显示装置有效显示区的材料蒸镀边缘模糊。另外,现有技术中掩膜板俯视结构如图2所示,掩膜板02包括开口区021和遮挡区022,遮挡区022均为实体板材,由于掩膜板实体板材区域较大,在重力作用下,容易出现掩膜板开口形状发生形变,同样也造成OLED显示装置有效显示区的材料蒸镀边缘模糊。基于此,本专利技术提供一种掩膜板,包括:至少一个开口;围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。本专利技术提供的掩膜板,在遮挡区的边缘开设有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口连接,也即所述第一凹槽为开放性凹槽。在掩膜板使用过程中,所述第一凹槽能够容纳衬底上的颗粒物,使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合更加紧密,避免由于颗粒物的存在造成颗粒物所在位置产生的成膜不均,引起的成膜失败问题。而且,所述第一凹槽为开放性凹槽,当第一凹槽内沉积较多颗粒物时,颗粒物在重力作用下,能够脱离第一凹槽,避免第一凹槽内容纳较多颗粒物,造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时,所述第一凹槽设置在遮挡区,也即将遮挡区的实体板材去除了一部分,从而减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量,能够减小掩膜板张网时,实体板材在重力作用下造成的开口变形的形变量,进而能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参见图3和图4,图3为本专利技术实施例提供的一种掩膜板的俯视结构示意图,图4为本专利技术实施例提供的图3中掩膜板的沿BB’线剖面结构示意图。如图3所示,掩膜板20包括至少一个开口21;围绕设置在开口21周缘的遮挡区22;掩膜板20包括第一表面和与之相对的第二表面,开口21贯穿第一表面和第二表面,遮挡区22的第一表面上设置有第一凹槽,第一凹槽与开口相连。如图4所示,本专利技术实施例中,第一凹槽23与开口21相连,也即第本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:至少一个开口;围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:至少一个开口;围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在沿第一方向上,所述第一凹槽的底面宽度与所述开口长度的比例小于或等于五分之一,其中,所述第一方向为所述开口中心指向所述第一凹槽的方向。3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的底面宽度为w,其中,50μm≤w≤100μm。4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述开口呈阵列排布,所述开口沿所述阵列的行方向和列方向上的长度均大于或等于0.5mm。5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的底面所在平面与侧壁所在平面相交形成的两个半平面的夹角为钝角。6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的所述底面和所述侧壁的连接为线连接或弧面连接。7.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度为h,其中,10μm≤h≤30μm。8.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽沿所述开口的四周设置。9.根据权利要求8所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽沿所述开口的边缘一整圈设置。10.根据权利要求8所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽包括多个第一子凹槽,多个所述第一子凹槽沿所述开口的四周间断设置。11.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述遮挡区设置有多个混色标志和多个第二凹槽,所述第二凹槽位于所述第一凹槽之外的区域,且与所述混色标志间隔设置。12.根据权利要求11所述的掩膜板,其特征在于,所述第二凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半;所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢真真孙田雨叶添昇
申请(专利权)人:武汉天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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