一种掩膜板及其制作方法技术

技术编号:19063920 阅读:52 留言:0更新日期:2018-09-29 13:41
本申请提供一种掩膜板及其制作方法,掩膜板包括至少一个开口以及围绕设置在开口周缘的遮挡区,掩膜板包括贯穿相对设置的第一表面和第二表面的开口,遮挡区的第一表面上设置有第一凹槽,第一凹槽与开口相连。即遮挡区朝向开口的侧边上设置有开放性的第一凹槽,在掩膜板使用过程中,第一凹槽容纳衬底上的颗粒物,使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合紧密,避免因颗粒物的存在造成的成膜不均,引起成膜失败问题。而且,颗粒物在重力作用下,能够脱离第一凹槽,避免第一凹槽里容纳较多颗粒物,造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时,第一凹槽的存在还减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量,同样能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制作方法
本专利技术涉及半导体制作
,尤其涉及一种掩膜板及其制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示技术是现有技术中常见的显示技术,广泛应用于手机、数码摄像机、平板电脑等电子设备上。尤其,随着柔性显示装置和曲面屏的发展,OLED显示技术的地位更加重要。OLED显示装置制作过程中,需要在衬底上形成阴极层、发光层和阳极层等多层金属、非金属材料,常用的工艺,请参考图1和图2,其中,图1为现有技术中提供的蒸镀工艺制作OLED显示区的工艺图,图2为掩膜板俯视示意图,图1中所示的掩膜板为图2中沿AA’的剖面结构图;在衬底01上设置掩膜板02,掩膜板02的开口021对应待沉积物质的区域,围绕开口021周缘设置有遮挡区022;采用CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相淀积)工艺将金属或有机物蒸镀到位于CVD工艺腔体上方的衬底上,其中,掩膜板开口对应的衬底01上的区域沉积形成阴极和阳极的金属物,掩膜板遮挡的衬底部分不形成上述材料,从而形成多个相互分离的OLED显示装置中的有效显示区04,所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:至少一个开口;围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:至少一个开口;围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在沿第一方向上,所述第一凹槽的底面宽度与所述开口长度的比例小于或等于五分之一,其中,所述第一方向为所述开口中心指向所述第一凹槽的方向。3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的底面宽度为w,其中,50μm≤w≤100μm。4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述开口呈阵列排布,所述开口沿所述阵列的行方向和列方向上的长度均大于或等于0.5mm。5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的底面所在平面与侧壁所在平面相交形成的两个半平面的夹角为钝角。6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的所述底面和所述侧壁的连接为线连接或弧面连接。7.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度为h,其中,10μm≤h≤30μm。8.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽沿所述开口的四周设置。9.根据权利要求8所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽沿所述开口的边缘一整圈设置。10.根据权利要求8所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽包括多个第一子凹槽,多个所述第一子凹槽沿所述开口的四周间断设置。11.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述遮挡区设置有多个混色标志和多个第二凹槽,所述第二凹槽位于所述第一凹槽之外的区域,且与所述混色标志间隔设置。12.根据权利要求11所述的掩膜板,其特征在于,所述第二凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半;所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢真真孙田雨叶添昇
申请(专利权)人:武汉天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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