一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料制造技术

技术编号:19062927 阅读:139 留言:0更新日期:2018-09-29 13:25
本发明专利技术公开了一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,由底层材料、顶层材料和夹层材料依次叠加而成,所述底层材料为一层黑色或亚黑色的非透明双面压敏胶,所述顶层材料为一层黑色或者亚黑色的单面胶,所述夹层材料为一个由铁氧体、纳米晶及非晶中任意两种或三种软磁材料交替层叠成的磁性材料叠层结构。相较于传统的铁氧体和纳米晶及非晶的软磁材料,本发明专利技术提供的这种具有层叠结构的复合磁性材料具有高磁饱和强度,宽频段和高灵敏的频率响应,高磁导率和低磁损等特点,因此本发明专利技术的复合磁性材料适用于下一代无线充电发射端与接收端的使用,特别适用于非接触式的共振式的A4WP无线充电方案。

【技术实现步骤摘要】
一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料
本专利技术属于无线充电
,具体涉及一种用于无线充电的具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料。
技术介绍
现如今,无线充电领域已经在急速地渗透进人们的生活当中,特别是在消费电子、医疗电子、工业电子等相关领域具有广泛的前景。在这之中,支持无线充电的手机将会越来越普遍,因此无线充电的需求也会越来越大。现有的无线充电分为磁耦合,磁共振和微波等形式。而目前应用于手机无线充电的低频(100-300KHz)磁耦合式的无线充电法,需要发射端和接受端距离在毫米量级,因此无法实现远程充电。而基于磁共振式的无线充电法,其工作频率在6-7MHz,但是现有传统的铁氧体存在磁饱和强度低,易饱和等缺点,因此容易导致无线充电时出现磁导率低和磁损高的问题;而且现有纳米晶和非晶具有频率响应灵敏度差,磁导率和磁损不易优化等问题。由此可以看出,上述三种无线充电形式都不能满足新一代无线充电技术对磁性材料的性能和可靠性的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,以满足新一代无线充电技术对磁性材料的性能和可靠性的要求。为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本专利技术通过以下技术方案实现:一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,由底层材料、顶层材料和夹层材料依次叠加而成,所述底层材料为一层黑色或亚黑色的非透明双面压敏胶,所述顶层材料为一层黑色或者亚黑色的单面胶,所述夹层材料为一个由铁氧体、纳米晶及非晶中任意两种或三种软磁材料交替层叠成的磁性材料叠层结构。进一步的,所述磁性材料叠层结构中的相邻两层软磁材料之间均通过透明双面胶分隔。进一步的,所述透明双面胶的厚度为3-5微米的。进一步的,每一层所述铁氧体的厚度为10-40微米;每一层所述纳米晶和所述非晶的厚度均为10-30微米。优选的,所述磁性材料叠层结构按铁氧体/纳米晶/铁氧体/纳米晶/铁氧体,铁氧体/纳米晶/铁氧体/纳米晶,铁氧体/纳米晶/铁氧体,或铁氧体/纳米晶中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述磁性材料叠层结构按铁氧体/非晶/铁氧体/非晶/铁氧体,铁氧体/非晶/铁氧体/非晶,铁氧体/非晶/铁氧体,或铁氧体/非晶中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述磁性材料叠层结构按纳米晶/非晶/纳米晶/非晶/纳米晶,纳米晶/非晶/纳米晶/非晶,纳米晶/非晶/纳米晶,或纳米晶/非晶中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述磁性材料叠层结构按铁氧体/非晶/铁氧体/纳米晶/铁氧体,或铁氧体/非晶/纳米晶/铁氧体中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述铁氧体为Ni,Zn或者Mn,Zn的铁氧体以及像类似的铁氧体软磁材料。优选的,所述纳米晶为含Fe、Si、B、Cu或Nb的纳米晶以及像类似的纳米晶软磁材料。优选的,所述非晶为含Fe、Si或B的非晶以及像类似的非晶软磁材料。本专利技术的有益效果是:相较于传统的铁氧体和纳米晶及非晶的软磁材料,本专利技术提供的这种具有层叠结构的复合磁性材料具有高磁饱和强度,宽频段和高灵敏的频率响应,高磁导率和低磁损等特点,因此本专利技术的复合磁性材料适用于下一代无线充电发射端与接收端的使用,特别适用于非接触式的共振式的A4WP无线充电方案。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本申请的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为本专利技术复合磁性材料的结构示意图;图2为本专利技术复合磁性材料同铁氧体和纳米晶的磁导率对频率响应的比较图;图3为本专利技术复合磁性材料同铁氧体和纳米晶的磁损对频率响应的比较。具体实施方式下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本专利技术。参见图1所示,一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,由底层材料、夹层材料和顶层材料依次叠加而成,其中底层材料为一层顶层材料为黑色或亚黑色的非透明双面压敏胶1,一层黑色或者亚黑色的单面胶2,夹层材料为一个由铁氧体、纳米晶及非晶中任意两种或三种软磁材料交替层叠成的磁性材料叠层结构3。所述磁性材料叠层结构中,每一层所述铁氧体的厚度为10-40微米,每一层所述纳米晶和所述非晶的厚度均为10-30微米,而且相邻两层软磁材料之间均通过一层3-5微米厚的透明双面胶分隔。优选的,所述磁性材料叠层结构3按铁氧体/纳米晶/铁氧体/纳米晶/铁氧体,铁氧体/纳米晶/铁氧体/纳米晶,铁氧体/纳米晶/铁氧体,或铁氧体/纳米晶中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述磁性材料叠层结构3按铁氧体/非晶/铁氧体/非晶/铁氧体,铁氧体/非晶/铁氧体/非晶,铁氧体/非晶/铁氧体,或铁氧体/非晶中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述磁性材料叠层结构3按纳米晶/非晶/纳米晶/非晶/纳米晶,纳米晶/非晶/纳米晶/非晶,纳米晶/非晶/纳米晶,或纳米晶/非晶中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述磁性材料叠层结构3按铁氧体/非晶/铁氧体/纳米晶/铁氧体,或铁氧体/非晶/纳米晶/铁氧体中的任意一种组合形式层叠。优选的,所述铁氧体为Ni,Zn或者Mn,Zn的铁氧体以及像类似的铁氧体软磁材料。优选的,所述纳米晶为含Fe、Si、B、Cu或Nb的纳米晶以及像类似的纳米晶软磁材料。优选的,所述非晶为含Fe、Si或B的非晶以及像类似的非晶软磁材料。参见图2所示,将本专利技术的复合磁性材料(Ferritebasedcomposite)同铁氧体(PORFerrite)和纳米晶(PORcomposite)进行性能比较。通过图2中的对比可知:在频率低于1MHZ时,本专利技术的复合磁性材料(Ferritebasedcomposite)的磁导率不随频率变化;在频率3-8MHZ区间,本专利技术的复合磁性材料(Ferritebasedcomposite)的磁导率高于传统的铁氧体和纳米晶(非晶)。参见图3所示,将本专利技术的复合磁性材料(Ferritebasedcomposite)同铁氧体(PORFerrite)和纳米晶(PORcomposite)分别进行磁导率对频率响应的测试。通过图3中的对比可知:在所有频段,本专利技术的复合磁性材料(Ferritebasedcomposite)磁损低于传统的铁氧体和纳米晶(非晶);在1-10MHZ频段,本专利技术的复合磁性材料(Ferritebasedcomposite)显著低于传统的铁氧体材料。综上所述,相较于传统的铁氧体和纳米晶及非晶软磁材料,这种具有层叠结构的复合磁性材料具有高磁饱和强度,宽频段和高灵敏的频率响应,高磁导率和低磁损等特点,因此本专利技术适用于下一代无线充电发射端与接收端的使用,特别适用于非接触式的共振式的A4WP无线充电方案。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已,并不用于限制本专利技术,对于本领域的技术人员来说,本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,其特征在于:由底层材料、顶层材料和夹层材料依次叠加而成,所述底层材料为一层黑色或亚黑色的非透明双面压敏胶(1),所述顶层材料为一层黑色或者亚黑色的单面胶(2),所述夹层材料为一个由铁氧体、纳米晶及非晶中任意两种或三种软磁材料交替叠加成的磁性材料叠层结构(3)。

【技术特征摘要】
1.一种具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,其特征在于:由底层材料、顶层材料和夹层材料依次叠加而成,所述底层材料为一层黑色或亚黑色的非透明双面压敏胶(1),所述顶层材料为一层黑色或者亚黑色的单面胶(2),所述夹层材料为一个由铁氧体、纳米晶及非晶中任意两种或三种软磁材料交替叠加成的磁性材料叠层结构(3)。2.根据权利要求1所述的具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,其特征在于:所述磁性材料叠层结构(3)中相邻两层软磁材料之间均通过一层3-5微米厚的透明双面胶分隔。3.根据权利要求1所述的具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,其特征在于:每一层所述铁氧体的厚度为10-40微米;每一层所述纳米晶和所述非晶的厚度均为10-30微米。4.根据权利要求1所述的具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,其特征在于:所述磁性材料叠层结构按铁氧体/纳米晶/铁氧体/纳米晶/铁氧体,铁氧体/纳米晶/铁氧体/纳米晶,铁氧体/纳米晶/铁氧体,或铁氧体/纳米晶中的任意一种组合形式层叠。5.根据权利要求1所述的具有层叠结构的高性能高频率响应度的复合磁性材料,其特征在于:所述磁性材...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟列平刘硕杨操兵徐厚嘉刘晓辉
申请(专利权)人:苏州威斯东山电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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