一种霍山石斛种植基质制造技术

本发明专利技术公开了一种霍山石斛种植基质，包括端子本体和固定圈，所述端子本体的一端外壁与所述固定圈的内壁连接，所述端子本体靠近所述固定圈的一端内壁上设置有斜面。本发明专利技术提供一种霍山石斛种植基质，石子能保证良好的透气性，椰壳能保证良好的保水保费的特性，给根部一个湿润透气的生长环境，降低积水的风险，能减少霍山石斛烂根的几率，在种植时，只需将霍山石斛根部种植在椰壳层即可，保证霍山石斛根部完全被椰壳粒所覆盖；本发明专利技术具有结构简单、性能稳定和使用寿命较长的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种霍山石斛种植基质
本专利技术涉及种植基质
，尤其涉及一种霍山石斛种植基质。
技术介绍
目前霍山石斛种植基质为大小松树皮混合种植，底层用大树皮垫底，上层用小松树皮定植霍山石斛。由于霍山石斛需要生长三年以上才采收，种植基质上层的小树皮在两年内就会腐烂，影响基质的透气性，而且大量使用松树皮作为基质，间接造成大量的松树被砍伐，破坏生态平衡。若在小树皮腐烂后更换树皮重新种植，这将增加霍山石斛的种植成本，而且影响霍山石斛的生长。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种霍山石斛种植基质。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：本专利技术包括若干椰壳颗粒和石子，若干所述石子铺设于底部，组成石子层，所述石子层的上部铺设若干所述椰壳颗粒，组成椰壳颗粒层。本专利技术优选的，所述椰壳颗粒的直径为0.5cm—1.5cm之间。本专利技术优选的，所述椰壳颗粒的直径最佳为1cm。本专利技术优选的，所述石子的直径为2cm—3cm之间。本专利技术优选的，所述石子的直径为2.5cm。本专利技术优选的，所述石子采用吸水性较好的石子，并且之间设置有间隙。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍山石斛种植基质，其特征在于，包括若干椰壳颗粒和石子，若干所述石子铺设于底部，组成石子层，所述石子层的上部铺设若干所述椰壳颗粒，组成椰壳颗粒层。

【技术特征摘要】
1.一种霍山石斛种植基质，其特征在于，包括若干椰壳颗粒和石子，若干所述石子铺设于底部，组成石子层，所述石子层的上部铺设若干所述椰壳颗粒，组成椰壳颗粒层。2.根据权利要求1所述的霍山石斛种植基质，其特征在于：所述椰壳颗粒的直径为0.5cm—1.5cm之间。3.根据权利要求2所述的霍山石斛种植基质，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨涛，
申请(专利权)人：霍山县天下泽雨生物科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34