薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法。所述薄膜体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上；压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。

【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法本申请要求于2017年3月8日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0029254号韩国专利申请和于2017年4月7日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0045078号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容为了所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法。
技术介绍
近年来，随着移动通信装置以及化学和生物装置的迅速发展，对于在这种装置中使用的小型化、轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件以及声波谐振质量传感器的需求已增加。薄膜体声波谐振器(FBAR)已知为实现小型化、轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件以及声波谐振质量传感器的构件。FBAR可以以最小的成本量产，且可实施为具有超小型尺寸。另外，FBAR可实现作为滤波器的主要特性的高品质因数(Q)值、即使在微波频带中也可使用且可具体实现个人通信系统(PCS)和数字无线系统(DCS)的频带。通常，FBAR包括通过在基板上顺次堆叠第一电极、压电体和第二电极而实现的谐振部。在FBAR的操作中，当电能施加到第一电极和第二电极以在压电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，包括：第一电极，设置在基板上；压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。

【技术特征摘要】
2017.03.08 KR 10-2017-0029254;2017.04.07 KR 10-2011.一种薄膜体声波谐振器，包括：第一电极，设置在基板上；压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述压电体中的Ta和Nb中的任意一者的重量百分含量小于所述压电体中的Al的重量百分含量。3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，在所述掺杂剂包括Ta的情况下，所述压电体包括AlN和AlTaN，或者在所述掺杂剂包括Nb的情况下，所述压电体包括AlN和AlNbN。4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述压电体不包括TaN和NbN中的任意一者。5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的任意一者包括导电金属和添加的元素，其中所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者。6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述添加的元素与所述掺杂剂相同。7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的任意一者包括导电金属和添加的元素，其中所述添加的元素包括量为0.1原子％至30原子％的Ta和量为0.1原子％至30原子％的Nb中的任意一者。8.一种制造薄膜体声波谐振器的方法，包括：在基板上形成第一电极；通过在氮气气氛下溅射单个靶而在所述第一电极上形成压电体，所述单个靶包括含有0.1原子％至2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，孙晋淑，金成善，庆济弘，李华善，申兰姬，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR