聚焦离子束装置的控制方法以及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序(S102)；基于第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序(S103)；以及使台座移动到所决定的第2加工视野的位置的工序(S106、S107)。还具有：在第2加工视野中通过聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序(S108)。

【技术实现步骤摘要】
聚焦离子束装置的控制方法以及控制程序
本专利技术涉及聚焦离子束装置的控制方法以及控制程序，例如涉及制造MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微机电系统)等微细结构体的聚焦离子束装置的控制方法以及控制程序。
技术介绍
专利文献1公开了以下技术，即，利用聚焦离子束(FIB：FocusedIonBeam)装置，在试样图像内对加工区域的一部分进行加工后，使试样台座移动移动量，在不同的试样图像内对剩余的加工区域进行显示并加工。专利文献专利文献1：JP特开2014-209450号公报在上述这样的FIB装置中，需要对超过进行FIB装置的加工的画面的最大视野的尺寸的面积进行加工。此时，有时会出现基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差，要求对这些偏差进行补正。在上述专利文献1的技术中，虽然即使在对超过试样图像的显示范围的加工区域进行加工时也能够对加工位置偏差进行补正，但是并没有考虑加工尺寸偏差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。关于本专利技术的前述以及其他目的和新的特征，根据本说明书的记述及附图可以明确。若简单说明本申请中公开的专利技术当中代表性的方面，则如下所述。一实施方式的聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序；基于该第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序；以及使台座移动到该决定的第2加工视野的位置的工序。一实施方式的另一聚焦离子束装置的控制方法，具有：在包含通过聚焦离子束的照射形成在试样表面的第1加工图形的至少一部分的给定的加工视野中，通过聚焦离子束的照射取得二次电子像的工序；通过在给定的方向上对该二次电子像的亮度进行累计来测量第1加工图形的端部坐标的工序；以及基于该第1加工图形的端部坐标，决定形成接下来的第2加工图形的位置的工序。一实施方式的聚焦离子束装置的控制程序使计算机执行：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序；基于该第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序；以及使台座移动到该决定的第2加工视野的位置的工序。专利技术效果若简单说明由本申请中公开的专利技术当中代表性的方案得到的效果，则如以下所述。根据一实施方式，能够对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正。附图说明图1是表示实施方式1的器件加工装置的构成的一例的构成图。图2是表示图1的器件加工装置的软件构成的一例的说明图。图3是表示在图1的器件加工装置中进行亮度分布的累计方向以及扫描方向的指定的GUI画面的一例的说明图。图4是表示实施方式1的器件加工方法的步骤的一例的流程图。图5(a)～(d)是表示图4中各工序的加工状态的一例的说明图。图6(a)、(b)是表示图4中各工序的加工状态的一例的说明图。图7是表示实施方式2的器件加工方法的步骤的一例的流程图。图8(a)～(e)是表示图7中各工序的加工状态的一例的说明图。图9是表示在实施方式的概要中周期排列图案的一例的说明图。图10(a)、(b)是表示在实施方式的概要中由FIB成膜的膜的SIM图像和在矩形区域中平均化的亮度分布的一例的说明图。图11(a)、(b)是表示在实施方式的概要中由FIB成膜的膜的SIM图像和在矩形区域中平均化的亮度分布的一例的说明图。图12是表示在改善的余地方面作为大面积成膜的实验的一例而伴随台座移动按顺序对各个给定尺寸的膜进行成膜的例子的说明图。图13是表示由图12的实验的一例得到的膜的上表面SIM图像的说明图。图14(a)、(b)是表示在改善的余地方面FIB加工中的与期望的尺寸的偏差的要因的说明图。图15(a)、(b)是表示在改善的余地方面对基板进行加工后的槽的SIM图像和亮度分布的一例的说明图。图16是表示在改善的余地方面大面积成膜的步骤的一例的说明图。图17(a)、(b)是表示在改善的余地方面由FIB成膜的膜的SIM图像和亮度分布的一例的说明图。图18是表示在改善的余地方面作为加工尺寸的偏差的一例通过FIB对膜进行了加工的结果的上表面SIM图像的说明图。图19是表示在改善的余地方面由FIB成膜的膜的剖面SEM图像的一例的说明图。附图标记说明1：真空容器；2：离子源；7：离子束；8：FIB镜筒；9：电子枪；10：电子射束；13：试样；14：二次粒子检测器；15：试样台座；17：气体源；21：试样台座控制装置；22：操纵器控制装置；23：气体源控制装置；24：二次粒子检测器控制装置；25：光圈旋转控制机构；26：离子源控制装置；27：透镜控制装置；31：计算处理装置；32：数据库；32a：结构物库；32b：CAD数据；32c：加工条件数据；33：模式选择画面；34：模式输入部；35：中央控制部；36：射束控制数据；37：射束控制部；38：气体控制数据；41：GUI画面；42：单位图形；43、46：区域；44、47：累计方向；45、48：扫描方向；51：第1加工图形；52：第1加工视野；53：第2加工图形；54：第2加工视野；55～58：加工图形。具体实施方式以下，基于附图详细说明实施方式。在用于说明以下的实施方式的全部附图中，对同一构件原则上附加同一附图标记，省略其重复的说明。另外，为了容易理解附图，即使是平面图也有时会附加阴影，并且即使是剖面图也有时会省略阴影。为了容易理解以下的实施方式的特征，首先，说明关联技术中存在的改善的余地。[改善的余地]使用图12～图19来说明改善的余地。在说明该改善的余地的内容中，FIB加工的材料、尺寸等示出一例，并不限定本实施方式。例如，在MEMS等微细结构体的制造中，使用了FIB的加工的MEMS传感器制造技术的开发正在推进。在FIB的加工中例如有蚀刻、成膜以及粘接等，以下说明蚀刻以及成膜。当前，进行FIB装置的加工的画面的最大视野例如有800mm×800mm的视野。在大量的MEMS传感器制造时，需要进行超过该尺寸的大面积加工。对这样超过最大视野的连接后的图形进行加工存在以下这样的课题。使用图12～图14说明该课题。图12是表示作为大面积成膜的实验的一例而伴随台座移动按顺序对各个给定尺寸的膜进行成膜的例子的说明图。图13是表示由图12的实验的一例得到的膜的上表面SIM图像的说明图。图14是表示FIB加工中的与期望的尺寸的偏差的要因(a)、(b)的说明图。在超过最大视野的图形的加工中，需要重复实施加工→台座移动→加工→…。作为本专利技术的专利技术者们的实验的一例，如图12所示，伴随台座62的移动，按照(1)→(2)→(3)→(4)的顺序重复进行各个给定尺寸(例如20mm×20mm尺寸)的膜61(例如SiO2膜)的成膜。结果，如图13所示，所得到的膜61的上表面SIM(ScanningIonMicroscope，扫描例子显微镜)图像，由于成膜位置的偏差而产生了相邻的膜61和膜61之间的相互重叠63、间隙64。该问题在FIB加工中，如图14所示，包含加工区66相对于设定区65的位置偏差即(a)加工位置偏差、加工区66相对于设定区65的尺寸偏差即(b)加工尺寸偏差这两个要因。以下，说明这2个要因。<加工位置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚焦离子束装置的控制方法，具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序；基于所述第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序；以及使台座移动到所决定的所述第2加工视野的位置的工序。

【技术特征摘要】
2017.03.10 JP 2017-0456811.一种聚焦离子束装置的控制方法，具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序；基于所述第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序；以及使台座移动到所决定的所述第2加工视野的位置的工序。2.根据权利要求1所述的聚焦离子束装置的控制方法，其中，所述第1加工图形的外形尺寸根据通过所述聚焦离子束的照射而得到的二次电子像来测量。3.根据权利要求2所述的聚焦离子束装置的控制方法，其中，关于所述第1加工图形的外形尺寸的测量的结果，分别测量所述第1加工图形当中位于比较中央部且蚀刻深度或者成膜膜厚均匀的第1区域、和所述第1加工图形当中位于比较端部且蚀刻深度或者成膜膜厚不均匀的第2区域的尺寸。4.根据权利要求1所述的聚焦离子束装置的控制方法，其中，还具有：在所述第2加工视野中通过所述聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序。5.根据权利要求4所述的聚焦离子束装置的控制方法，其中，所述第1加工图形和所述第2加工图形全等。6.根据权利要求4所述的聚焦离子束装置的控制方法，其中，将所述第1加工图形和所述第2加工图形配置成棋盘格状。7.根据权利要求1所述的聚焦离子束装置的控制方法，其中，所述聚焦离子束的照射通过使用成形掩模的投射射束方式来进行。8.一种聚焦离子束装置的控制方法，具有：在包含通过聚焦离子束的照射形成在试样表面的第1加工图...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边敬司，峰利之，志知广康，森下真年，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP