白光LED用荧光材料的制备制造技术

本发明专利技术涉及一种白光LED用荧光材料的制备，本发明专利技术采用垂直温梯法铈掺杂氧化铝‑铽钆铝石榴石共晶荧光材料的生长方法，在保证组分稳定和尺寸的基础上，减少缺陷，提高共晶荧光材料的质量，满足大功率白光LED对荧光材料的需求。本发明专利技术坩埚自上而下缓慢下降，控制坩埚下降速度，使坩埚内生长界面自下而上移动，完成共晶生长。封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性，可以获得较高质量的产品。本发明专利技术得到的共晶材料具有交错的共晶结构，因而混光性能优异、耐热性和调色能力强。同时具有尺寸大，缺陷少、热稳定性强、易加工等优点。

【技术实现步骤摘要】
白光LED用荧光材料的制备
本专利技术涉及半导体照明领域以及共晶材料的制备方法，具体涉及一种白光LED用荧光材料的制备。
技术介绍
发光二极管(简称为LED)光源具有高效、节能、寿命长、安全可靠及有利于环保等特性，近几年来在城市灯光环境中得到了广泛应用。特别是在全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，LED在照明市场的前景更备受全球瞩目。目前国内外的白光大多采用单颗或多颗蓝光LED芯片点荧光粉工艺技术。然而，依据这种方法，几乎不能得到具有好的可重复性的均匀白光，这是因为粉体在通过蓝光或紫外芯片发出的光时会产生散射和吸收等现象，涂覆荧光粉厚度的不均匀及荧光粉的形貌和粒径等因素，都会导致产生黄色光斑、蓝色光斑及白光色温不一致等问题。同时，随着功率的提高，硅胶的耐热和抗老化性也成为重要问题。不同的空间需要不同光色的照明，选择合适光色的光源也是灯具选择的一个重要部分。对于白光光源，色温超过6000K的通常称为冷白光，色温在4000K至6000K范围的称为自然白光；而对于色温小于4000K的称之为暖白光。随着LED使用范围的不断普及，基于传统YAG荧光粉的冷白光LED已经不能满足人们的需求。TAG本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种白光LED用荧光材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)配比原料：以高纯的CeO2、Al2O3、Tb4O7和Gd2O3为原料，按物质的量比配制原料，在氧化铝和掺杂铈元素的铽钆铝石榴石组成的共晶材料中，Al2O3:[Tb1.5Gd1.5Al5O12,Ce]＝x:y，其中，x:y＝1～3；CeO2物质的量为z，则z:y＝0.01～0.1；(2)烧结原料：将配比好的原料经乙醇湿法混合后，压制成块体，经1200℃高温烧结成块体原料；(3)原料熔化：坩埚底部籽晶槽装有定向的氧化铝籽晶，然后向坩埚内放入烧结过的块体原料并密封，加热升温并抽真空至10‑3Pa，当温度升高达到1400℃时充入保...

【技术特征摘要】
1.一种白光LED用荧光材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)配比原料：以高纯的CeO2、Al2O3、Tb4O7和Gd2O3为原料，按物质的量比配制原料，在氧化铝和掺杂铈元素的铽钆铝石榴石组成的共晶材料中，Al2O3:[Tb1.5Gd1.5Al5O12,Ce]＝x:y，其中，x:y＝1～3；CeO2物质的量为z，则z:y＝0.01～0.1；(2)烧结原料：将配比好的原料经乙醇湿法混合后，压制成块体，经1200℃高温烧结成块体原料；(3)原料熔化：坩埚底部籽晶槽装有定向的氧化铝籽晶，然后向坩埚内放入烧结过的块体原料并密封，加热升温并抽真空至10-3Pa，当温度升高达到1400℃时充入保护气体，然后继续升温至1700～1800℃，保温使原料完全熔化；(4)共晶生长：晶体生长炉固液界面温度梯度为40～80℃/cm，坩埚下降速率为0.5～2mm/h，降至低温区域，以50～100℃/h降至室温，制得铈掺杂氧化铝-铽钆铝石榴石共晶。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫崇君，孙希干，
申请(专利权)人：南京永煦能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32