The invention discloses an ultrasonic cleaning device for silicon wafers, which belongs to the technical field of silicon wafer cleaning. The device comprises an ultrasonic cleaning machine, a positioning frame, a quartz kettle, a placement frame, an inlet pipe and a drain pipe. The positioning frame is placed in the ultrasonic cleaning machine, the quartz kettle is placed in the positioning frame, the placement frame is placed in the quartz kettle, the inlet pipe is arranged above the quartz kettle, and the bottom of the ultrasonic cleaning machine is arranged. Drain pipes are installed. The ultrasonic cleaning device provided by the invention can timely clean the impurities suspended in deionized water after being detached from the surface of the silicon wafer, avoid causing secondary pollution to the cleaned silicon wafer, and has good cleaning effect, convenient operation, no guard during cleaning, and saves time and labor.
【技术实现步骤摘要】
一种硅片的超声波清洗装置
本专利技术涉及一种硅片的超声波清洗装置,属于硅片清洗
技术介绍
硅片在超声波清洗过程中,晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而形成悬挂键,随着悬挂键数目的增多,极易吸附各种杂质,如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子、硅粉粉尘等。然而,硅片生产中的每一道工序存在的潜在污染都可能导致缺陷的产生和半导体器件的失效。目前,一般采用超声波清洗机来清洗硅片,超声波清洗机通常设置有清洗槽,清洗槽上开有去离子水进水口和出水口,清洗槽中保持有一定量的去离子水,并且去离子水始终处于流动状态;另外,在清洗硅片时,通常将硅片放置于软体花篮内或者石英棒框架上。上述超声波清洗方法存在以下缺陷:第一,在超声波清洗时,硅片表面的各种杂质逐渐脱离,悬浮在去离子水中,仅仅通过出水口难以将大量杂质及时排到清理槽外,这就造成清洗工作完成后,从清洗槽中取出硅片时,悬浮于去离子水中的部分杂质又重新吸附于硅片表面,对硅片造成二次污染,给硅片的后续清洗带来较大困难,甚至影响芯片整体质量;第二,放置硅片的软体花篮是用聚四氟材料制作的,清洗时软体花篮会吸附和阻挡超声波的传递,另外一种情况,平放于石英棒上的硅片由于没有限位装置固定,清洗时一直晃动,影响清洗效果。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种硅片的超声波清洗装置。本专利技术通过以下技术方案得以实现:一种硅片的超声波清洗装置,包括超声波清洗机、定位架、石英壶、放置架、进水管、排水管,所述定位架放置于超声波清洗机中,所述石英壶放置于定位架中,所述放置架放置于石英壶内,所述进水管设置于石英壶上方,所述超 ...
【技术保护点】
1.一种硅片的超声波清洗装置,其特征在于:包括超声波清洗机(1)、定位架(2)、石英壶(3)、放置架(4)、进水管(5)、排水管(6),所述定位架(2)放置于超声波清洗机(1)中,所述石英壶(3)放置于定位架(2)中,所述放置架(4)放置于石英壶(3)内,所述进水管(5)设置于石英壶(3)上方,所述超声波清洗机(1)底部设置有排水管(6)。
【技术特征摘要】
1.一种硅片的超声波清洗装置,其特征在于:包括超声波清洗机(1)、定位架(2)、石英壶(3)、放置架(4)、进水管(5)、排水管(6),所述定位架(2)放置于超声波清洗机(1)中,所述石英壶(3)放置于定位架(2)中,所述放置架(4)放置于石英壶(3)内,所述进水管(5)设置于石英壶(3)上方,所述超声波清洗机(1)底部设置有排水管(6)。2.如权利要求1所述的一种硅片的超声波清洗装置,其特征在于:所述定位架(2)设置有支撑脚。3.如权利要求1所述的一种硅片的超声波清洗装置,其特征在于:所述石英壶(3)设置有把手。4.如权利要求1所述的一种硅片的超声波清洗装置,其特征在于:所述石...
【专利技术属性】
技术研发人员:许小兵,谢静,刘俊,龙婉蓉,罗华丽,王晨熹,
申请(专利权)人:中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂,
类型:发明
国别省市:贵州,52
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