音圈绕制方法及音圈、设有该音圈的发声器技术

本发明专利技术公开了一种音圈绕制方法及音圈及设有该音圈的发声器，涉及电声产品，其中音圈由导线绕制而成，音圈在径向上具有多个导线层，音圈包括顶部，中部和底部，其顶部侧与振膜连接，方法包括：利用导线绕制内层导线层；绕制次外层导线层，次外层导线层导线绕制在内层导线层的底部；绕制最外层导线层，最外层导线层绕制在次外层导线层的底部。采用本发明专利技术的方法绕制，音圈的底部为导线密集区，用于发声器时，将音圈的底部插入磁间隙内后，使音圈集中在磁力密集的区域。当发声器工作音圈上下振动时，减少发生BL不对称的情况，改善了FO附近频段的失真，提升了单体在大电压下的灵敏度，提高发声器的性能。

【技术实现步骤摘要】
音圈绕制方法及音圈、设有该音圈的发声器
本专利技术涉及电声产品
，尤其涉及一种音圈绕制方法及音圈、设有该音圈的发声器。
技术介绍
随着电子产品日新月异的更新换代，单体产品逐渐的向轻、薄、小巧的方向发展，因此，越来越多的单体产品设计较为极限。比如，为满足大电压下的性能表现，必须充分抑制产品的偏振。对于悬空音圈引线的产品，需尽量设计音圈的始末线在同侧，以便将引线拉力导致的不平衡降到最低。而为了实现音圈的始末线在同侧的设计，音圈在径向上应设置偶数层，但是一些产品受限于性能参数要求，如图1所示，最外两层并不能绕满，通常未绕满区域位于音圈不出线的一端，导致音圈不能富集在磁力线最密集区域，BL值(音圈磁隙磁场强度)有所降低；且音圈上下振动时，会导致BL趋势差异，导致失真升高。
技术实现思路
针对上述不足，本专利技术的目的是提供一种音圈绕制方法及音圈、设有该音圈的发声器，该音圈上具有导线密集区，使用时可形成对应的磁力线密集区，从而提升了单体灵敏度，改善了在大电压下的失真，提高了发声器的性能。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是：一种音圈的绕制方法，所述音圈由导线绕制而成，所述音圈在径向上具有多个导线层，所述音圈包括用于与振膜连接的顶部，远离顶部的底部和位于顶部与底部之间的中部，该方法包括：利用所述导线绕制内层导线层；绕制次外层导线层，其中，所述次外层导线层导线绕制在所述内层导线层的底部；绕制最外层导线层，其中，所述最外层导线层绕制在所述次外层导线层的底部。优选方式为，所述次外层导线层导线绕制在所述内层导线层的底部包括：所述次外层导线层的导线围绕所述导线绕制内层导线层的顶部绕制，形成第一部分；在绕制第一预设圈数后，将所述导线斜拉至内层导线层的底部，并围绕所述导线绕制内层导线层的底部绕制，形成第二部分。优选方式为，所述最外层导线层绕制在所述次外层导线层的底部包括：所述最外层导线层的导线围绕所述次外层导线层的第二部分绕制；在绕制第二预设圈数后，将所述导线引出，形成音圈引线。优选方式为，所述绕制第二预设圈数后，将所述导线引出，形成音圈引线包括：在绕制第二预设圈数后，将所述导线斜拉至所述次外层导线层的第一部分，并围绕所述第一部分绕制，在绕制第三预设圈数后，将所述导线从所述最外层导线层的顶部引出。优选方式为，所述第一部分的绕制圈数不大于所述第二部分的绕制圈数。优选方式为，所述第二预设圈数不小于所述第三预设圈数。优选方式为，利用所述导线绕制内层导线层包括：所述导线从所述音圈的顶部连接绕制到底部或从所述音圈的底部连接绕制到顶部，形成内层导线层。优选方式为，所述音圈包括偶数个导线层。音圈，所述音圈由上述的音圈绕制方法绕制而成。一种发声器，包括振动系统和磁路系统，所述振动系统包括音圈，所述磁路系统包括磁铁，所述音圈为上述的音圈，所述音圈的底部插入所述磁铁形成的磁间隙内。采用上述技术方案后，本专利技术的有益效果是：由于本专利技术的音圈绕制方法及音圈设有该音圈的发声器，其中音圈由导线绕制而成，音圈在径向上具有多个导线层，音圈包括用于与振膜连接的顶部，远离顶部的底部和位于顶部与底部之间的中部，该方法包括：利用导线绕制内层导线层；绕制次外层导线层，其中，次外层导线层导线绕制在内层导线层的底部；绕制最外层导线层，其中，最外层导线层绕制在次外层导线层的底部。采用本专利技术的方法绕制而成的音圈，其底部为导线密集区，这样，该音圈使用于发声器时，将音圈的底部插入磁间隙内后，使音圈集中在磁力密集的区域，当发声器工作音圈上下振动时，减少发生因BL衰减不同所引起的BL不对称的情况，改善了FO附近频段的失真，提升了单体在大电压下的灵敏度，从而提高发声器的性能。由于次外层导线层导线绕制在内层导线层的底部包括：次外层导线层的导线围绕导线绕制内层导线层的顶部绕制，形成第一部分；在绕制第一预设圈数后，将导线斜拉至内层导线层的底部，并围绕导线绕制内层导线层的底部绕制，形成第二部分；采用斜拉的方式，方便的完成次外层导线层的绕制。由于绕制第二预设圈数后，将导线引出，形成音圈引线包括：在绕制第二预设圈数后，将导线斜拉至次外层导线层的第一部分，并围绕第一部分绕制，在绕制第三预设圈数后，将导线从最外层导线层的顶部引出；该结构使音圈引线因振动所承受的拉力所导致的不平衡降到最低。由于第一部分的绕制圈数不大于第二部分的绕制圈数，使音圈的中部形成导线稀疏区，降低了大电压下FO附近频段的失真。附图说明图1是现有技术中音圈的截面示意图；图2是本专利技术音圈的截面示意图；图3是本专利技术音圈绕制方向的示意图；图4是本专利技术发声器中音圈的剖面示意图；图中：1-音圈，10-音圈的顶部，11-音圈的中部，12-音圈的底部，2-最内侧导线层，3-次内侧导线层，4-次外侧导线层，5-最外侧导线层，6-磁间隙,7-磁铁。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一：如图2、图3和图4所示，一种音圈绕制方法，音圈1由导线绕制而成，音圈1在径向上具有多个导线层，音圈1包括用于与振膜连接的顶部10，远离顶部的底部12和位于顶部与底部之间的中部11，该方法包括：利用导线绕制内层导线层；绕制次外层导线层4，其中，次外层导线层4导线绕制在内层导线层的底部；绕制最外层导线层5，其中，最外层导线层5绕制在次外层导线层4的底部。本实施例中，音圈1包括偶数个导线层，优选包括四层，当然可以不限上面所列举。以下为了描述方便，按照从内到外顺序，定义各导线层分别为：最内侧导线层2，次内侧导线层3，次外侧导线层4和最外侧导线层5。需要说明的是，每层导线层可以具有多个导线圈，即为每层导线层由导线绕制多个导线圈而成。将次外层以内的导线层统称为内层导线层。即为，最内层导线层2及次内层导线层3统称为内层导线层。如图2、图3和图4所示，次外层导线层4导线绕制在内层导线层的底部包括：次外层导线层4的导线围绕内层导线层的顶部绕制，形成第一部分；在绕制第一预设圈数后，将导线斜拉至内层导线层的底部，并围绕导线绕制内层导线层的底部绕制，形成第二部分。进一步的，本例中设计第一部分的绕制圈数不大于第二部分的绕制圈数，使导线尽量集中在音圈的底部12。如图2、图3和图4所示，最外层导线层5绕制在次外层导线层4的底部包括：最外层导线层5的导线围绕次外层导线层4的第二部分绕制；在绕制第二预设圈数后，将导线引出，形成音圈引线。进一步的，绕制第二预设圈数后，将导线引出，形成音圈引线包括：在绕制第二预设圈数后，将导线斜拉至次外层导线层的第一部分，并围绕第一部分绕制，在绕制第三预设圈数后，将导线从最外层导线层5的顶部引出。进一步的，第二预设圈数不小于第三预设圈数，同样使导线尽量集中在音圈的底部12。需要说明的是，第一预设圈数，第二预设圈数及第三预设圈数是根据实际需求预先设定的，可以是2圈，4圈等，本专利技术对此不做限制。如图1、图2、图3和图4所示，本实施例中，利用导线绕制内层导线层包括：导线从音圈的顶部10连接绕制到音圈的底部12或从音圈的底部12连接绕制到音圈的顶部10形成内层导线层。本例中，内层导线层包括最内导线层2和次内导线层3，具体绕制时：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种音圈的绕制方法，其特征在于，所述音圈由导线绕制而成，所述音圈在径向上具有多个导线层，所述音圈包括用于与振膜连接的顶部，远离顶部的底部和位于顶部与底部之间的中部，该方法包括：利用所述导线绕制内层导线层；绕制次外层导线层，其中，所述次外层导线层导线绕制在所述内层导线层的底部；绕制最外层导线层，其中，所述最外层导线层绕制在所述次外层导线层的底部。

【技术特征摘要】
1.一种音圈的绕制方法，其特征在于，所述音圈由导线绕制而成，所述音圈在径向上具有多个导线层，所述音圈包括用于与振膜连接的顶部，远离顶部的底部和位于顶部与底部之间的中部，该方法包括：利用所述导线绕制内层导线层；绕制次外层导线层，其中，所述次外层导线层导线绕制在所述内层导线层的底部；绕制最外层导线层，其中，所述最外层导线层绕制在所述次外层导线层的底部。2.根据权利要求1所述的音圈的绕制方法，其特征在于，所述次外层导线层导线绕制在所述内层导线层的底部包括：所述次外层导线层的导线围绕所述内层导线层的顶部绕制，形成第一部分；在绕制第一预设圈数后，将所述导线斜拉至内层导线层的底部，并围绕所述内层导线层的底部绕制，形成第二部分。3.根据权利要求2所述的音圈的绕制方法，其特征在于，所述最外层导线层绕制在所述次外层导线层的底部包括：所述最外层导线层的导线围绕所述次外层导线层的第二部分绕制；在绕制第二预设圈数后，将所述导线引出，形成音圈引线。4.根据权利要求3所述的音圈的绕制方法，其特征在于，所述绕制第二预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵帅，徐同雁，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37