一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺制造技术

本发明专利技术公开的属于太阳能电池制造技术领域，具体为一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可，该发明专利技术提出的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，采用板式PECVD，能够激发出高均匀度的等离子，在沉积过程中不需要硅片和石墨框的作用，均匀性好，大大降低了电池片边缘发白率，增加电池成品率及转换效率，制备工艺简单，成本低廉。

A PECVD coating process for preparing crystalline silicon solar cells

The invention discloses a PECVD coating process for fabricating component silicon solar cells, which comprises the following steps: S1: placing silicon wafers in a graphite boat, then feeding the silicon wafers into the plate type PECVD, and then the plate type PECVD. S2: dividing the plate PECVD into seven different temperature regions; S3: using nitrogen as the transport gas, through the mixture of silane and ammonia gas; S4: cooling, and then cleaning the surface of silicon wafer, the invention proposed a kind of PECVD for the fabrication of modular silicon solar cells. Plate PECVD can excite plasma with high homogeneity. In the deposition process, the effect of silicon and graphite frame is not needed. The uniformity is good. The whitening rate of the edge of the battery is greatly reduced, the yield and conversion efficiency of the battery are increased. The preparation process is simple and the cost is low.

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺
本专利技术涉及太阳能电池制造
，具体为一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺。
技术介绍
规化石能源枯竭、以及生态环境的恶化，能源危机已经成为当前国际社会经济发展的主要矛盾。为解决这一大危机，世界各国都在努力探索新能源。在新能源中，特别引人注目的是不断倾注于地球的永久性能源—太阳能。随着最近几年太阳能的发展，竞争也日趋激烈。高效率、低成本成为太阳能企业的生存之本。国外先进企业电池效率已突破20％，国内领头企业也在大量投入研发，奋力直追。利用NH3和SiH4在PECVD条件下生长的氮化硅膜是一种富含氢的膜层，有高达25％的氢成分，氢离子在后续的高温烧结工艺中可以获得良好的表面钝化和体钝化效果。而SiO2膜在生成的时候不会产生大量的氢离子，不具备良好的氢体钝化效果，仅仅存在表面钝化作用。但是现有的PECVD镀膜工艺会造成晶硅片表面出现色差问题，色差问题不仅影响电池片合格率，返工造成大量物料浪费，还会降低电池片效率，为此，我们提出一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为340-360摄氏度、360-380摄氏度、380-400摄氏度、400-420摄氏度、420-440摄氏度、440-460摄氏度和460-480摄氏度；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为10-12秒、10-12秒、10-12秒、10-12秒、10-12秒、5-8秒和4-6秒；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。优选的，所述步骤S1中的板式PECVD的高频电源频率为13.56MHz，低频电源频率为380KHz。优选的，所述步骤S1中的惰性气体为氮气。优选的，所述步骤S2中的7个不同的温度区域从板式PECVD的炉口到炉尾依次设置。优选的，所述步骤S3中，硅烷和氨气的气体总流量为2000-2200sccm，且硅烷和氨气的流量比为1:5。优选的，所述步骤S3中的板式PECVD内的压力为500-600mTorr，微波源功率为3-3.5KW。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该专利技术提出的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，采用板式PECVD，能够激发出高均匀度的等离子，在沉积过程中不需要硅片和石墨框的作用，均匀性好，大大降低了电池片边缘发白率，增加电池成品率及转换效率，制备工艺简单，成本低廉。具体实施方式下面将本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺：实施例1该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体，板式PECVD的高频电源频率为13.56MHz，低频电源频率为380KHz，惰性气体为氮气；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为350摄氏度、370摄氏度、390摄氏度、410摄氏度、430摄氏度、450摄氏度和470摄氏度，7个不同的温度区域从板式PECVD的炉口到炉尾依次设置；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为11秒、11秒、11秒、11秒、11秒、7秒和5秒，硅烷和氨气的气体总流量为2100sccm，且硅烷和氨气的流量比为1:5，式PECVD内的压力为550mTorr，微波源功率为3.3KW；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。实施例2该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体，板式PECVD的高频电源频率为13.56MHz，低频电源频率为380KHz，惰性气体为氮气；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为360摄氏度、380摄氏度、400摄氏度、420摄氏度、440摄氏度、460摄氏度和480摄氏度，7个不同的温度区域从板式PECVD的炉口到炉尾依次设置；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为12秒、12秒、12秒、12秒、12秒、8秒和6秒，硅烷和氨气的气体总流量为2200sccm，且硅烷和氨气的流量比为1:5，式PECVD内的压力为600mTorr，微波源功率为3.5KW；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。实施例3该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体，板式PECVD的高频电源频率为13.56MHz，低频电源频率为380KHz，惰性气体为氮气；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为340摄氏度、360摄氏度、380摄氏度、400摄氏度、420摄氏度、440摄氏度和460摄氏度，7个不同的温度区域从板式PECVD的炉口到炉尾依次设置；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为10秒、10秒、10秒、10秒、10秒、5秒和4秒，硅烷和氨气的气体总流量为2000sccm，且硅烷和氨气的流量比为1:5，式PECVD内的压力为500mTorr，微波源功率为3KW；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。综合以上实施例，本专利技术的最佳实施例为实施例1，该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，采用板式PECVD，能够激发出高均匀度的等离子，在沉积过程中不需要硅片和石墨框的作用，均匀性好，大大降低了电池片边缘发白率，增加电池成品率及转换效率，制备工艺简单，成本低廉。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为340‑360摄氏度、360‑380摄氏度、380‑400摄氏度、400‑420摄氏度、420‑440摄氏度、440‑460摄氏度和460‑480摄氏度；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为10‑12秒、10‑12秒、10‑12秒、10‑12秒、10‑12秒、5‑8秒和4‑6秒；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。

【技术特征摘要】
1.一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为340-360摄氏度、360-380摄氏度、380-400摄氏度、400-420摄氏度、420-440摄氏度、440-460摄氏度和460-480摄氏度；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为10-12秒、10-12秒、10-12秒、10-12秒、10-12秒、5-8秒和4-6秒；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。2.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工...

【专利技术属性】
技术研发人员：关统州，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32