The invention provides a semiconductor laser, including a light source, a waveguide sheet, a FAC mirror, and an imaging lens arranged sequentially in a slow axis direction; a bar positive plate, a bar negative plate, and a mirror cavity are also included; the bar positive plate and the bar negative plate coincide with each other in a fast axis direction; and the mirror cavity is formed. The light source, the waveguide sheet, and the FAC mirror are located in the mirror chamber, and the FAC mirror covers an opening in the slow axis direction of the mirror chamber; the imaging lens is located outside the mirror chamber. In the fast axis direction, a plurality of the bar positive plates, the bar negative plates and the linear array of the mirror chamber are provided with the light source, the waveguide sheet and the FAC mirror in any of the mirror chambers.
【技术实现步骤摘要】
半导体激光器
本专利技术涉及激光器
，特别涉及半导体激光器。
技术介绍
一般半导体激光阵列由多个发光点构成，经过简单的光学成像整形后，总光束分布还是有强有弱，分布不够均匀。为此，有公开号为CN106941240A的专利申请公开了半导体激光器，其通过在慢轴方向上设置BAR条、FAC镜、聚焦透镜组、波导片以及成像透镜，使形成在慢轴方向上的光斑匀化。而且像点的尺寸比发光点尺寸放大n倍，增大了能量面积。实际上，其主要通过聚焦透镜组和波导片使光斑匀化，使像点的尺寸放大。但是，在慢轴方向上增加聚焦透镜组和波导片，显然增加成像的光路距离。所以，也增加了半导体激光器的体积。
技术实现思路
为解决上述的技术问题，本专利技术提出半导体激光器，改变传统的光路，在减小成像的光路距离的情况下，达到原来光斑匀化、像点的尺寸放大的效果。为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：半导体激光器，包括在慢轴方向上依次排列的光源、波导片、FAC镜、以及成像透镜；还包括bar条正极板、bar条负极板、以及镜面腔室；所述bar条正极板和所述bar条负极板在快轴方向上彼此贴合；所述镜面腔室形成于所述b...
【技术保护点】
1.半导体激光器，其特征在于，包括在慢轴方向上依次排列的光源(1)、波导片(2)、FAC镜(3)、以及成像透镜(4)；还包括bar条正极板(5)、bar条负极板(6)、以及镜面腔室(7)；所述bar条正极板(5)和所述bar条负极板(6)在快轴方向上彼此贴合；所述镜面腔室(7)形成于所述bar条正极板(5)和所述bar条负极板(6)之间，并且在慢轴方向上敞开；所述光源(1)、所述波导片(2)、以及所述FAC镜(3)位于所述镜面腔室(7)内，并且所述FAC镜(3)覆盖在所述镜面腔室(7)在慢轴方向上敞开的开口(7a)；所述成像透镜(4)位于所述镜面腔室(7)外；其中，在快轴方...
【技术特征摘要】
1.半导体激光器，其特征在于，包括在慢轴方向上依次排列的光源(1)、波导片(2)、FAC镜(3)、以及成像透镜(4)；还包括bar条正极板(5)、bar条负极板(6)、以及镜面腔室(7)；所述bar条正极板(5)和所述bar条负极板(6)在快轴方向上彼此贴合；所述镜面腔室(7)形成于所述bar条正极板(5)和所述bar条负极板(6)之间，并且在慢轴方向上敞开；所述光源(1)、所述波导片(2)、以及所述FAC镜(3)位于所述镜面腔室(7)内，并且所述FAC镜(3)覆盖在所述镜面腔室(7)在慢轴方向上敞开的开口(7a)；所述成像透镜(4)位于所述镜面腔室(7)外；其中，在快轴方向上多个所述bar条正极板(5)、所述bar条负极板(6)、以及所述镜面腔室(7)直线阵列，任一个所述镜面腔室(7)内均设有所述光源(1)、所述波导片(2)、以及所述FAC镜(3)。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述成像透镜(4)为半凸透镜，所述半凸透镜的平面面向所述FAC镜(3)所在的位置，所述半凸透镜的凸面背向所述FAC镜(3)所在的位置。3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，在慢轴方向上，多个所述FAC镜(3)均和所述成像透镜(4)相对。4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述bar条正极板(5)包括在快轴方向上对所述bar条负极板(6)敞开、在慢轴方向上对所述波导片(2)和所述FAC镜(...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。