一种黄光LED封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种黄光LED封装结构及封装方法，其中，该黄光LED封装结构中包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线；固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层；固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层；沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层；设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层，得到高稳定性的半峰宽窄黄光钙钛矿型量子点LED。

A yellow LED packaging structure and packaging method

The invention discloses a yellow LED packaging structure and a packaging method, wherein the Yellow LED packaging structure includes: a blue LED chip; a polymer base for fixing the blue LED chip; the polymer base includes a base and a enclosure arranged around the base; and the blue LED chip is fixed on the blue LED chip. An electrode wire connected to the blue LED chip and the polymer substrate; a thermal insulating silica gel layer solidified around and above the blue LED chip; a yellow perovskite quantum dot layer solidified on the surface of the thermal insulating silica gel layer; a protective layer deposited on the surface of the Yellow perovskite quantum dot layer; and a protective layer arranged on the protective layer Polysiloxane encapsulation layer on the surface of the layer was used to obtain yellow perovskite quantum dot LED with high stability.

【技术实现步骤摘要】
一种黄光LED封装结构及封装方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种黄光LED封装结构及封装方法。
技术介绍
LED（LightEmittingDiode，发光二极管）具有较高的可集成性，能被集成于各种标准化的模块中，实现智能化的控制，有助于节能环保、增强视觉效果、改善光线舒适度，广泛用于户内装饰照明、交通灯、汽车灯，显示等，传统的黄光LED多采用波长为580-595nm（纳米）波段的芯片上直接封装，但是黄光芯片普遍发光效率偏低，成本高。当然，也有其他封装黄光LED芯片的方法，如中国专利CN201210004373.7公开的一种黄光LED光源组件，其将黄色荧光粉和橙色荧光粉涂覆在LED芯片上实现黄色发光，涂覆层黄色粉为铝酸钇和橙色粉为碱土硅酸盐的混合物，但是其在使用过程中在不同电流驱动下，会发生明显的色坐标偏移，影响其在显示领域中的运用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种黄光LED封装结构及封装方法，有效解决现有黄光LED发光效率不高的技术问题。本专利技术提供的技术方案如下：一种黄光LED封装结构，包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线；固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层；固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层；沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层；设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层。进一步优选地，隔热硅胶层由双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合而成。进一步优选地，所述黄光钙钛矿量子点层由硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI2（碘化铅）以及PbBr2（溴化铅）为原材料采用热注射法合成。进一步优选地，所述保护层为氧化铝薄膜。本专利技术还提供了一种黄光LED封装方法，包括：S1将蓝光LED芯片固定在聚合物基座上，其中，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；S2将蓝光LED芯片的电极线与聚合物基座连接；S3在蓝光LED芯片表面注入硅胶并固化形成隔热硅胶层；S4在隔热硅胶层表面注入并固化合成的量子点形成黄光钙钛矿量子点层；S5在所述黄光钙钛矿量子点层表面形成保护层；S6在所述保护层表面形成聚硅氧烷封装层。进一步优选地，在步骤S3中包括：S31将双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合均匀并脱泡；S32将混合后的硅胶均匀注入固定了蓝光LED芯片的聚合物基座内直至淹没芯片0.8~1.2mm（毫米）；S33在真空干燥箱内60~80℃（摄氏度）的条件下恒温固化0.5~2h（小时）；S34在真空干燥箱内120~180℃的条件下恒温固化1~3h形成隔热硅胶层。进一步优选地，在步骤S4中包括：S41采用硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI2以及PbBr2为原材料使用热注射法合成黄光钙钛矿量子点CsPb(BrxI1-x)3，其中，x=0.50~0.60；S42将合成的黄光钙钛矿量子点经7000~10000rpm转速离心后，采用环己烷为溶剂，固液比为1:1~2(ml/mg)，经超声分散5~10s后注入到固化后的隔热硅胶层表面；S43在真空干燥箱内25~40℃的条件下静置1~3小时形成黄光钙钛矿量子点层。进一步优选地，在步骤S5中，所述保护层为氧化铝薄膜。进一步优选地，在步骤S5中，采用三甲基铝和氧气为原料，设备功率为W，在低温30~50℃的条件下以脉冲的形式交替地通入反应腔，经过30~100个周期后形成2~3nm厚度的致密的氧化铝薄膜。在本专利技术提供的黄光LED封装结构及封装方法中，采用热注射法合成波长为565-590nm的黄光钙钛矿量子点CsPb(Br,I)3并将其固化在蓝光LED芯片表面，得到高稳定性的半峰宽窄黄光钙钛矿型量子点LED；同时，在蓝光LED芯片表面设计隔热硅胶层，在黄光钙钛矿量子点层表面设计保护层（使用原子层沉积得到的氧化铝薄膜），对黄光钙钛矿量子点层进行包覆，有效的解决黄光钙钛矿量子点的水氧隔离以及隔热问题，以提高黄光钙钛矿量子的稳定性、寿命及黄光LED的色纯度，降低成本。附图说明下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对倒置定量气雾剂阀门的上述特性、技术特征、优点及实现方式予以进一步说明。图1为本专利技术中黄光LED封装结构示意图；图2为本专利技术中黄光LED封装方法流程示意图；图3为本专利技术实例一中黄光钙钛矿量子点的透射电镜图（a）、（b）以及能量色散x射线光谱图（c）。1-蓝光LED芯片，2-电极线，3-聚合物基座，4-隔热硅胶层，5-黄光钙钛矿量子点层，6-保护层，7-聚硅氧烷封装层。具体实施方式下面结合附图和实例进一步说明本专利技术的实质内容，但本专利技术的内容并不限于此。由现有黄光LED存在的发光效率不高的技术问题，本专利技术提出了一种全新的黄光LED封装结构。如图1所述，在该黄光LED封装结构中，包括：蓝光LED芯片1；用于固定蓝光LED芯片的聚合物基座3，聚合物基座中包括一底座及设置在底座四周的围挡，蓝光LED芯片固定在底座上；连接于蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线2；固化在蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层4；固化在隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层5；沉积在黄光钙钛矿量子点层表面的保护层6；设置在保护层表面的聚硅氧烷封装层7。具体，隔热硅胶层由双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合而成，且该隔热硅胶层固化在蓝光LED芯片四周及表面，超出蓝光LED芯片表面0.8~1.2mm；黄光钙钛矿量子点层（CsPb(BrxI1-x)3，其中，x=0.50~0.60）由硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI2以及PbBr2为原材料采用热注射法合成，保护层为氧化铝薄膜。如图1所示，在该黄光LED封装结构中，保护层的高度与聚合物基座中围挡的高度齐平，聚硅氧烷封装层设置在聚合物基座表面，形成封装结构。如图2所示，本专利技术还提供了一种黄光LED封装方法，具体，在该黄光LED封装方法中包括：S1将蓝光LED芯片固定在聚合物基座上，其中，聚合物基座中包括一底座及设置在底座四周的围挡，蓝光LED芯片固定在底座上；S2将蓝光LED芯片的电极线与聚合物基座连接；S3在蓝光LED芯片表面注入硅胶并固化形成隔热硅胶层；S4在隔热硅胶层表面注入并固化合成的量子点形成黄光钙钛矿量子点层；S5在黄光钙钛矿量子点层表面形成保护层；S6在保护层表面形成聚硅氧烷封装层。在步骤S3，在蓝光LED芯片表面注入硅胶并固化形成隔热硅胶层中具体包括：S31将双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合均匀混合后，放置真空干燥箱内室温下除泡至无气泡；S32将混合后的硅胶均匀注入固定了蓝光LED芯片的聚合物基座内直至淹没芯片0.8~1.2mm；S33在真空干燥箱内60~80℃的条件下恒温固化0.5~2h；S34在真空干燥箱内120~180℃的条件下恒温固化1~3h形成隔热硅胶层。在步骤S4，在隔热硅胶层表面注入并固化合成的量子点形成黄光钙钛矿量子点层中具体包括：S41采用硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI2以及PbBr2为原材料使用热注射法合成黄光钙钛矿量子点CsPb(BrxI1-x)3，其中，x=0.50~0.60；S42将合成的黄光钙钛矿量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种黄光LED封装结构，其特征在于，所述黄光LED封装结构中包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线；固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层；固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层；沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层；设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层。

【技术特征摘要】
1.一种黄光LED封装结构，其特征在于，所述黄光LED封装结构中包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线；固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层；固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层；沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层；设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层。2.如权利要求1所述的黄光LED封装结构，其特征在于，隔热硅胶层由双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合而成。3.如权利要求1所述的黄光LED封装结构，其特征在于，所述黄光钙钛矿量子点层由硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI2以及PbBr2为原材料采用热注射法合成。4.如权利要求1所述的黄光LED封装结构，其特征在于，所述保护层为氧化铝薄膜。5.一种黄光LED封装方法，其特征在于，所述黄光LED封装方法中包括：S1将蓝光LED芯片固定在聚合物基座上，其中，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；S2将蓝光LED芯片的电极线与聚合物基座连接；S3在蓝光LED芯片表面注入硅胶并固化形成隔热硅胶层；S4在隔热硅胶层表面注入并固化合成的量子点形成黄光钙钛矿量子点层；S5在所述黄光钙钛矿量子点层表面形成保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘虎，王立，章少华，何沅丹，孙沁瑶，姚勇，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：江西,36