一种高效太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高效太阳电池的制备方法，包括步骤：将原料硅片经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结，得到高效太阳电池。该方法采用的是先背抛光再制作选择性发射极的顺序将选择性发射极技术和背抛光技术结合，可节省对HNO3和HF大量的成本消耗，简单易行，相比IBC电池、异质结等高效电池，不仅可以减少工艺复杂性，还能进行大规模生产。该方法制备的太阳电池Uoc、Isc以及Eff得到了显著的提高。

A preparation method of high efficiency solar cells

The invention discloses a preparation method of high-efficiency solar cells, which comprises the steps of preparing high-efficiency solar cells by flocking, diffusing, polishing, making selective emitters, plating anti-reflection film, screen printing and sintering. This method combines the selective emitter technology with the back polishing technology, which can save a lot of cost for HNO3 and HF, and is simple and feasible. Compared with IBC batteries and heterojunction batteries, this method can not only reduce the process complexity, but also carry out large-scale production. The solar cells Uoc, Isc and Eff prepared by this method have been significantly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种高效太阳电池的制备方法
本专利技术涉及太阳电池领域，具体涉及一种高效太阳电池的制备方法。
技术介绍
随着光伏产业的快速发展，晶硅太阳电池以其高性价比的优势得到了迅速发展。目前晶硅太阳电池领域一般单纯的采用选择性发射极技术或者单纯的采用背抛光技术来制备太阳电池，例如采用将原料硅片经过制绒在硅片表面形成绒面，再进行抛光、高温高方阻扩散(一般温度在800℃-850℃，扩散方阻在70Ω/◇-100Ω/◇)、背面印刷背银、铝浆后烘干，经烧结和镀减反射膜，得到高效太阳电池。中国专利申请CN201410694985.2公开了一种RIE制绒的多晶硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)采用等离子体干法刻蚀去除多晶硅片的前表面损伤层；然后进行RIE制绒；(2)采用链式湿法化学处理方法对硅片依次进行背面腐蚀抛光、RIE损伤层去除以及后清洗处理；(3)采用背靠背插片方式对上述硅片的绒面进行磷源扩散；(4)将扩散后的硅片进行湿法刻蚀并去除表面PSG，然后在其正表面沉积钝化减反射膜；(5)在硅片背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到多晶硅太阳电池。其仅单纯的采用了背抛光技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效太阳电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：将原料硅片依次经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结，得到高效太阳电池；所述的扩散包括：在三氯氧磷气氛中对制绒后的硅片进行单面低方阻扩散，扩散后方阻控制在50Ω/□‑55Ω/□；所述的抛光包括：硅片的扩散面朝上放入60℃‑80℃碱溶液中进行背面抛光，清洗，烘干；抛光过程中，所述的碱溶液是质量百分浓度为10％‑35％的KOH水溶液或者质量百分浓度为10％‑35％的NaOH水溶液；所述背面抛光的时间为5.5min‑8.0min；抛光过程中，所述硅片以1.5m/min‑2.2m/min的速率通过60℃‑80℃碱溶液；所...

【技术特征摘要】
1.一种高效太阳电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：将原料硅片依次经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结，得到高效太阳电池；所述的扩散包括：在三氯氧磷气氛中对制绒后的硅片进行单面低方阻扩散，扩散后方阻控制在50Ω/□-55Ω/□；所述的抛光包括：硅片的扩散面朝上放入60℃-80℃碱溶液中进行背面抛光，清洗，烘干；抛光过程中，所述的碱溶液是质量百分浓度为10％-35％的KOH水溶液或者质量百分浓度为10％-35％的NaOH水溶液；所述背面抛光的时间为5.5min-8.0min；抛光过程中，所述硅片以1.5m/min-2.2m/min的速率通过60℃-80℃碱溶液；所述的制作选择性发射极包括：a.在抛光后的硅片的电极栅线区域印刷油墨作为掩模，烘干；b.刻蚀：将硅片的扩散面朝上，在扩散面铺满水膜，放入第一HNO3/HF混合水溶液中对硅片背面进行第二次背面抛光，清洗；再将硅片放入第二HNO3/HF混合水溶液中对无油墨保护的发射极区域进行正刻蚀，形成浅扩散层，清洗；所述的第一HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为30％-42％，HF的质量百分浓度为2％-10％；所述的第二HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为10％-26％，HF的质量百分浓度为2％-12％；c.去...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖斌，宋慧娟，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，湖北天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32