本实用新型专利技术公开了一种重合闸直流式驱动电源，为由电源接口、稳压二极管、二极管、三极管、电阻、晶闸管、电容、极性电容、N‑MOS管、芯片、电感等电子元器件构成的整流滤波电路和降压稳压电路。本实用新型专利技术所提供的直流式驱动电源，用于对重合闸的主控模块供电，进而对马达运动实现智能化控制，从而达到重合闸自动分/合闸的目的，具有性价比高、安全性好、工作稳定和使用寿命长的优点。
【技术实现步骤摘要】
一种重合闸直流式驱动电源
本技术涉及一种驱动电源，尤其是一种应用于重合闸的直流式驱动电源。
技术介绍
现有的重合闸产品，电源部分普遍采用简易开关电源，在驱动纽力变化很大的使用场合下，电源的电流波动达数倍，这就照成可靠性不佳的问题。为此，很多厂家都采用了高品质的原器件，把产品的可靠性寄望在优质零件上，但也造成产品成本过高，不利于提升重合闸生产厂家的市场竞争力。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了一种性价比高、安全耐用的重合闸直流式驱动电源。本技术的技术方案为：一种重合闸直流式驱动电源，其特征在于：包括VCC端，所述VCC端分别连接稳压二极管D18负极端和二极管D9负极端，稳压二极管D18正极端接地，二极管D9正极端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的集电极与电阻R11的一端连接，三极管Q4的基极分别与稳压二极管D8的负极和电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R11和三极管Q4的集电极之间，稳压二极管D8的正极接地，电阻R11的另一端与电阻R4一端连接，电阻R4的另一端分别与电阻R1和晶闸管Q1的A端连接，电阻R1与电源接口3端相连，电源接口1端接地，晶闸管的G端与二极管D2的负极端连接，二极管D2的正极端与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的发射极分别与电阻R5和电阻R30的一端连接，三极管Q3的基极分别与电阻R30的另一端和电阻R16的一端连接，电阻R5的另一端与晶闸管Q1的A端连接，晶闸管Q1的G端和K端之间连接有电容C14，电阻R16的另一端连接至三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极通过电阻R18连接至D_power端，晶闸管Q1的K端与二极管D1的正极端连接，自二极管D1的正极端到电源接口的接地端之间串联设置有电阻R6和电阻R12，自二极管D1的负极端到电源接口的接地端之间设置有极性电容C2；二极管D1的负极端与N-MOS管Q2的漏极连接，N-MOS管Q2的栅极与电阻R10一端连接，电阻R10与芯片U1的DRV端连接，自N-MOS管Q2的漏极至芯片U1的VCC端之间串联设置有电阻R7和电阻R13，N-MOS管Q2的源极分别与电阻R2、R3和R9连接，电阻R9的另一端与芯片U1的CS端连接，电阻R2、R3为并联设置后分别与芯片U1的GND端、电感L1的一端连接，两个二极管D3和D4并联设置且正极端接地及负极端设置在电阻R2和电感L1之间，芯片U1的FB端分别与电阻R14和电阻R17连接，电阻R14的另一端分别与二极管D6的负极端和电容C3一端连接，电阻R17的另一端与芯片U1的2端之间设置有电容C4，电容C3另一端连接至电阻R17和电容C4之间的接线，自电阻R13到芯片U1的VCC端之间的导线上依次连接有电容C5和电阻R19一端，电阻R19另一端连接至二极管D10的负极端，二极管D10的正极端通过接线分别与二极管D6的正极端和电感L1连接，电感L1分别与接地的极性电容C1和电阻R8连接，极性电容C1和电阻R8之间的接线上设置有12V端，电阻R8的另一端分别与二极管D5的正极、稳压二极管D7的负极连接，稳压二极管D7的正极接地，二极管D5的负极与VCC端连接。所述芯片U1采用IC-6芯片。本技术的有益效果为：本技术所提供的直流式驱动电源，用于对重合闸的主控模块供电，进而对马达运动实现智能化控制，从而达到重合闸自动分/合闸的目的，具有性价比高、安全性好、工作稳定和使用寿命长的优点。附图说明图1为本技术A部分的电路布局图；图2为本技术B部分的电路布局图。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明：如图1和图2所示，本技术所提供的直流式驱动电源，包括VCC端，所述VCC端分别连接稳压二极管D18负极端和二极管D9负极端，稳压二极管D18正极端接地，二极管D9正极端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的集电极与电阻R11的一端连接，三极管Q4的基极分别与稳压二极管D8的负极和电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R11和三极管Q4的集电极之间，稳压二极管D8的正极接地，电阻R11的另一端与电阻R4一端连接，电阻R4的另一端分别与电阻R1和晶闸管Q1的A端连接，电阻R1与电源接口3端相连，电源接口1端接地，晶闸管的G端与二极管D2的负极端连接，二极管D2的正极端与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的发射极分别与电阻R5和电阻R30的一端连接，三极管Q3的基极分别与电阻R30的另一端和电阻R16的一端连接，电阻R5的另一端与晶闸管Q1的A端连接，晶闸管Q1的G端和K端之间连接有电容C14，电阻R16的另一端连接至三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极通过电阻R18连接至D_power端，晶闸管Q1的K端与二极管D1的正极端连接，自二极管D1的正极端到电源接口的接地端之间串联设置有电阻R6和电阻R12，自二极管D1的负极端到电源接口的接地端之间设置有极性电容C2；二极管D1的负极端与N-MOS管Q2的漏极连接，N-MOS管Q2的栅极与电阻R10一端连接，电阻R10与IC-6芯片的DRV端连接，自N-MOS管Q2的漏极至IC-6芯片的VCC端之间串联设置有电阻R7和电阻R13，N-MOS管Q2的源极分别与电阻R2、R3和R9连接，电阻R9的另一端与IC-6芯片的CS端连接，电阻R2、R3为并联设置后分别与IC-6芯片的GND端、电感L1的一端连接，两个二极管D3和D4并联设置且正极端接地及负极端设置在电阻R2和电感L1之间，IC-6芯片的FB端分别与电阻R14和电阻R17连接，电阻R14的另一端分别与二极管D6的负极端和电容C3一端连接，电阻R17的另一端与IC-6芯片的2端之间设置有电容C4，电容C3另一端连接至电阻R17和电容C4之间的接线，自电阻R13到IC-6芯片的VCC端之间的导线上依次连接有电容C5和电阻R19一端，电阻R19另一端连接至二极管D10的负极端，二极管D10的正极端通过接线分别与二极管D6的正极端和电感L1连接，电感L1分别与接地的极性电容C1和电阻R8连接，极性电容C1和电阻R8之间的接线上设置有12V端，电阻R8的另一端分别与二极管D5的正极、稳压二极管D7的负极连接，稳压二极管D7的正极接地，二极管D5的负极与VCC端连接。上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理和最佳实施例，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种重合闸直流式驱动电源，其特征在于：包括VCC端，所述VCC端分别连接稳压二极管D18负极端和二极管D9负极端，稳压二极管D18正极端接地，二极管D9正极端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的集电极与电阻R11的一端连接，三极管Q4的基极分别与稳压二极管D8的负极和电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R11和三极管Q4的集电极之间，稳压二极管D8的正极接地，电阻R11的另一端与电阻R4一端连接，电阻R4的另一端分别与电阻R1和晶闸管Q1的A端连接，电阻R1与电源接口3端相连，电源接口1端接地，晶闸管的G端与二极管D2的负极端连接，二极管D2的正极端与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的发射极分别与电阻R5和电阻R30的一端连接，三极管Q3的基极分别与电阻R30的另一端和电阻R16的一端连接，电阻R5的另一端与晶闸管Q1的A端连接，晶闸管Q1的G端和K端之间连接有电容C14，电阻R16的另一端连接至三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极通过电阻R18连接至D_power端，晶闸管Q1的K端与二极管D1的正极端连接，自二极管D1的正极端到电源接口的接地端之间串联设置有电阻R6和电阻R12，自二极管D1的负极端到电源接口的接地端之间设置有极性电容C2；二极管D1的负极端与N‑MOS管Q2的漏极连接，N‑MOS管Q2的栅极与电阻R10一端连接，电阻R10与芯片U1的DRV端连接，自N‑MOS管Q2的漏极至芯片U1的VCC端之间串联设置有电阻R7和电阻R13，N‑MOS管Q2的源极分别与电阻R2、R3和R9连接，电阻R9的另一端与芯片U1的CS端连接，电阻R2、R3为并联设置后分别与芯片U1的GND端、电感L1的一端连接，两个二极管D3和D4并联设置且正极端接地及负极端设置在电阻R2和电感L1之间，芯片U1的FB端分别与电阻R14和电阻R17连接，电阻R14的另一端分别与二极管D6的负极端和电容C3一端连接，电阻R17的另一端与芯片U1的2端之间设置有电容C4，电容C3另一端连接至电阻R17和电容C4之间的接线，自电阻R13到芯片U1的VCC端之间的导线上依次连接有电容C5和电阻R19一端，电阻R19另一端连接至二极管D10的负极端，二极管D10的正极端通过接线分别与二极管D6的正极端和电感L1连接，电感L1分别与接地的极性电容C1和电阻R8连接，极性电容C1和电阻R8之间的接线上设置有12V端，电阻R8的另一端分别与二极管D5的正极、稳压二极管D7的负极连接，稳压二极管D7的正极接地，二极管D5的负极与VCC端连接。...
【技术特征摘要】
1.一种重合闸直流式驱动电源，其特征在于：包括VCC端，所述VCC端分别连接稳压二极管D18负极端和二极管D9负极端，稳压二极管D18正极端接地，二极管D9正极端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的集电极与电阻R11的一端连接，三极管Q4的基极分别与稳压二极管D8的负极和电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R11和三极管Q4的集电极之间，稳压二极管D8的正极接地，电阻R11的另一端与电阻R4一端连接，电阻R4的另一端分别与电阻R1和晶闸管Q1的A端连接，电阻R1与电源接口3端相连，电源接口1端接地，晶闸管的G端与二极管D2的负极端连接，二极管D2的正极端与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的发射极分别与电阻R5和电阻R30的一端连接，三极管Q3的基极分别与电阻R30的另一端和电阻R16的一端连接，电阻R5的另一端与晶闸管Q1的A端连接，晶闸管Q1的G端和K端之间连接有电容C14，电阻R16的另一端连接至三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极通过电阻R18连接至D_power端，晶闸管Q1的K端与二极管D1的正极端连接，自二极管D1的正极端到电源接口的接地端之间串联设置有电阻R6和电阻R12，自二极管D1的负极端到电源接口的接地端之间设置有极性电容C2；二极管D1的负极端与N-MOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶齐雄，
申请(专利权)人：陶齐雄，
类型：新型
国别省市：广东,44
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