The invention provides a transmission gate circuit with simple structure and high reliability, and belongs to the technical field of electronic circuits. The transmission gate circuit includes NMOS transistor M1, PMOS transistor M2 and N-level pull-up circuit, and the drain/source of NMOS transistor M1 is connected with the input VIN of the transmission gate circuit; the source/drain of NMOS transistor M1 is connected with the source of PMOS transistor M2, and is connected with the output VOUT of the transmission gate circuit; and the voltage control signal of NMOS transistor M1 and PMOS transistor M2 is on the opposite gate; The stage pull-up circuit is connected in series between the drain of the input VIN and the PMOS transistor M2. It is used to make the drain voltage and the voltage VDD of the PMOS transistor M2 the same when the transmission gate circuit is disconnected. If the positive integer with N greater than 1 achieves the same isolation effect, each additional stage pull-up circuit can effectively reduce the PMO in the pull-up circuit. S tube size.
【技术实现步骤摘要】
一种隔离高压输入的传输门电路
本专利技术涉及一种传输门电路,特别涉及一种隔离高压输入的传输门电路,属于电子电路
技术介绍
在传统的电路中,PMOS管和NMOS管一起可以组成传输门,如图1所示。图中CLK和为电压相反的信号,即当CLK为高电压时,为低电压,反之亦然。当CLK为低电压时,传输门导通;当CLK为高电压时,传输门断开。CLK的高电压一般等于芯片的供电电压,比如为5V。在实际应用过程中,常出现输入VIN高压的现象,比如8V,此时传统的传输门无法实现断开功能。因为当输入VIN上的电压高于PMOS管电压域电压后,即使传输门处于断开状态,但其中的PMOS管却关不断,VIN还是会通过传输门影响到输出VOUT的值。此时传输门就失去了作为开关的关的作用。针对上述技术问题,现有技术常规的解决办法是将PMOS管的电压域增加,使得输入VIN上的电压值不高于PMOS管电压域的电压。这样当传输门处于断开状态时,传输门可以正常关断,输入VIN上的高电压不会通过传输门影响到输出VOUT上的电压信号。但是该方法仍存在局限性:抬高PMOS管的电压域会使得电路的复杂性增加,不仅会增加电路成本,而且还会导致电路的可靠性降低。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供一种结构简单、可靠性高的隔离高压输入的传输门电路。本专利技术的一种隔离高压输入的传输门电路,所述传输门电路包括NMOS管M1和PMOS管M2,NMOS管M1的漏极/源极与与传输门电路的输入VIN连接;NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接,同时与传输门电路的输出VOUT连接,NMOS管M1和PMOS管 ...
【技术保护点】
1.一种隔离高压输入的传输门电路,所述传输门电路包括NMOS管M1和PMOS管M2,NMOS管M1的漏极/源极与传输门电路的输入VIN连接;NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接,同时与传输门电路的输出VOUT连接,NMOS管M1和PMOS管M2的栅极控制信号相位相反;其特征在于,所述传输门电路还包括N级上拉电路,所述N级上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M2的漏极之间,用于当传输门电路处于断开状态时,使PMOS管M2的漏极电压和电压VDD相同,N为大于1的正整数。
【技术特征摘要】
1.一种隔离高压输入的传输门电路,所述传输门电路包括NMOS管M1和PMOS管M2,NMOS管M1的漏极/源极与传输门电路的输入VIN连接;NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接,同时与传输门电路的输出VOUT连接,NMOS管M1和PMOS管M2的栅极控制信号相位相反;其特征在于,所述传输门电路还包括N级上拉电路,所述N级上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M2的漏极之间,用于当传输门电路处于断开状态时,使PMOS管M2的漏极电压和电压VDD相同,N为大于1的正整数。2.根据权利要求1所述的隔离高压输入的传输门电路,其特征在于,每级上拉电路由第一PMOS管和第二PMOS管组成;第一PMOS管的源极接电压VDD,第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接,且作...
【专利技术属性】
技术研发人员:张金弟,朱乐永,杨磊,章良,王铭义,刘松强,林啸,
申请(专利权)人:上海芯圣电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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