OLED封装方法及OLED封装结构技术

本发明专利技术提供一种OLED封装方法及OLED封装结构。该OLED封装方法通过对形成于OLED器件上的阻挡层进行图案化得到多个凹槽，在多个凹槽中形成表面活性层，然后制作缓冲层，由于表面活性层的作用，使得缓冲层的材料扩散速度加快，且更利于流平，提高缓冲层的膜厚均匀性。

OLED encapsulation method and OLED packaging structure

The invention provides a OLED encapsulation method and a OLED packaging structure. In this OLED packaging method, a number of grooves are obtained by patterning the barrier layers formed on the OLED devices, and a surface active layer is formed in the grooves. Then a buffer layer is fabricated. Because of the effect of the surface active layer, the material diffusion speed of the buffer layer is accelerated, which is more conducive to leveling, and the thickness uniformity of the buffer layer is improved.

【技术实现步骤摘要】
OLED封装方法及OLED封装结构
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED封装方法及OLED封装结构。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。在现有的OLED薄膜封装中，封装层一般采用真空沉积或者喷墨打印的方法制备阻挡(Barrier)层以及缓冲(Buffer)层，通过数层的叠加达到封装效果，为了得到较好的缓冲作用，通常会采用喷墨打印的方法，但是因为喷墨打印喷头之间会有间隙，所以喷墨打印之后的缓冲层，一般是通过静止流平的方式使缓冲层材料完全平铺到器件中，形成覆盖封装的目的。因此延长了封装的时间，需要较长时间的制备才可达到目的且缓冲层膜厚的均一性较难保证。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED封装方法，在阻挡层中的多个凹槽中形成表面活性层，使得缓冲层的材料扩散速度加快，且更利于流平，提高缓冲层的膜厚均匀性。本专利技术的目的还在于提供一种OLED封装结构，其阻挡层中的多个凹槽中形成有表面活性层，缓冲层的膜厚均匀性好。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED封装方法，包括如下步骤：步骤S1、提供基板，在所述基板上形成OLED器件；步骤S2、在所述基板上形成覆盖OLED器件的阻挡层，并对阻挡层进行图案化，形成位于阻挡层上的多个凹槽；步骤S3、在多个凹槽中形成表面活性层；步骤S4、在所述阻挡层及表面活性层上形成缓冲层。所述OLED器件具有多个呈阵列排布的子像素区，所述多个凹槽对应多个子像素区设置。所述凹槽的面积大于或等于子像素区的面积。所述表面活性层的厚度等于凹槽的深度。所述步骤S3中，在多个凹槽中通过涂布、喷涂或喷墨打印表面活性剂形成表面活性层。所述表面活性剂为含有羟基或者氢离子的亲水性高分子活性材料。本专利技术还提供一种OLED封装结构，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的OLED器件以及设于所述衬底基板上并覆盖OLED器件的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括：交替层叠设置的至少一层阻挡层与至少一层缓冲层以及设于所述阻挡层与缓冲层之间并位于所述阻挡层上的多个凹槽中的表面活性层。所述OLED器件具有多个呈阵列排布的子像素区，所述多个凹槽对应多个子像素区设置。所述凹槽的面积大于或等于子像素区的面积。所述表面活性层的厚度等于凹槽的深度。本专利技术的有益效果：本专利技术的OLED封装方法，通过对形成于OLED器件上的阻挡层进行图案化得到多个凹槽，在多个凹槽中形成表面活性层，然后制作缓冲层，由于表面活性层的作用，使得缓冲层的材料扩散速度加快，且更利于流平，提高缓冲层的膜厚均匀性。本专利技术的OLED封装结构，其薄膜封装层中的阻挡层上的多个凹槽中设置有表面活性层，由于表面活性层的作用，使得缓冲层的材料扩散速度加快，且更利于流平，提高缓冲层的膜厚均匀性。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的OLED封装方法的流程图；图2为本专利技术的OLED封装方法的步骤S1的示意图；图3为本专利技术的OLED封装方法的步骤S2的示意图；图4为本专利技术的OLED封装方法的步骤S3的示意图；图5为本专利技术的OLED封装方法的步骤S4的示意图暨本专利技术的OLED封装结构的示意图；图6为本专利技术的OLED封装结构的阻挡层的俯视图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术的OLED封装方法包括如下步骤：步骤S1、请参阅图2，提供基板10，在所述基板10上形成OLED器件20；步骤S2、请参阅图3，在所述基板10上形成覆盖OLED器件20的阻挡层31，并对阻挡层31进行图案化，形成位于阻挡层31上的多个凹槽311；步骤S3、请参阅图4，在多个凹槽311中形成表面活性层32；步骤S4、请参阅图5，在所述阻挡层31及表面活性层32上形成缓冲层33。需要说明的是，本专利技术对形成于OLED器件20上的阻挡层31进行图案化得到多个凹槽311，在多个凹槽311中形成表面活性层32，然后制作缓冲层33，由于表面活性层32的作用，使得缓冲层33的材料扩散速度加快，且更利于流平，提高缓冲层33的膜厚均匀性。具体地，所述OLED封装方法还包括步骤S5、重复步骤S2-S4，在OLED器件20上形成多层阻挡层31与多层缓冲层33交替层叠设置的结构，提高阻挡水氧的能力。具体地，请参阅图6，所述OLED器件20具有多个呈阵列排布的子像素区21，所述多个凹槽311对应多个子像素区21设置，使得表面活性层32覆盖多个子像素区21，进而使得多个子像素区21上的缓冲层33的膜厚均匀性一致，提高OLED器件20的出光均匀性。进一步地，所述凹槽311的面积大于或等于子像素区21的面积，有利于表面活性层32完全覆盖多个子像素区21。具体地，所述步骤S2中，通过化学气相淀积在所述基板10上形成覆盖OLED器件20的形成阻挡层31。具体地，所述步骤S3中，在多个凹槽311中通过涂布、喷涂或喷墨打印表面活性剂形成表面活性层32。进一步地，所述表面活性剂为含有羟基或者氢离子(H+)的亲水性高分子活性材料，优选为多元醇或者醚类材料(如十二烷基苯磺酸钠或者其同系物)，可与缓冲层33中的羟基和氢离子(H+)形成氢键，加强结合能力，改善封装效果。优选地，所述表面活性层32的厚度等于凹槽311的深度，有利于缓冲层33材料的扩散，保证缓冲层33的膜厚均匀性。具体地，所述步骤S4中，通过在所述阻挡层31及表面活性层32上涂布或喷墨打印缓冲层材料，静置流平后形成缓冲层33。具体地，所述步骤S1还包括在衬底基板10与OLED器件20之间形成TFT层40的步骤。请参阅图5，基于上述OLED封装方法，本专利技术还提供一种OLED封装结构，包括：衬底基板10、设于衬底基板10上的OLED器件20以及设于所述衬底基板10上并覆盖OLED器件20的薄膜封装层30；所述薄膜封装层30包括：交替层叠设置的至少一层阻挡层31与至少一层缓冲层33以及设于所述阻挡层31与缓冲层33之间并位于所述阻挡层31上的多个凹槽311中的表面活性层32。需要说明的是，本专利技术的OLED封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；步骤S2、在所述基板(10)上形成覆盖OLED器件(20)的阻挡层(31)，并对阻挡层(31)进行图案化，形成位于阻挡层(31)上的多个凹槽(311)；步骤S3、在多个凹槽(311)中形成表面活性层(32)；步骤S4、在所述阻挡层(31)及表面活性层(32)上形成缓冲层(33)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；步骤S2、在所述基板(10)上形成覆盖OLED器件(20)的阻挡层(31)，并对阻挡层(31)进行图案化，形成位于阻挡层(31)上的多个凹槽(311)；步骤S3、在多个凹槽(311)中形成表面活性层(32)；步骤S4、在所述阻挡层(31)及表面活性层(32)上形成缓冲层(33)。2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述OLED器件(20)具有多个呈阵列排布的子像素区(21)，所述多个凹槽(311)对应多个子像素区(21)设置。3.如权利要求2所述的OLED封装方法，其特征在于，所述凹槽(311)的面积大于或等于子像素区(21)的面积。4.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述表面活性层(32)的厚度等于凹槽(311)的深度。5.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤S3中，在多个凹槽(311)中通过涂布、喷涂或喷墨打印表面活性...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44