一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制造用的掩膜板，所述掩膜板包括用于形成薄膜晶体管中源极和漏极的源极图块和漏极图块；所述源极图块与所述阵列基板的源极相对应，所述漏极图块与所述阵列基板的漏极相对应；其中，所述源极图块和/或所述漏极图块包括位于其边缘的凸起状补偿图块。

An array substrate and a mask board for manufacturing the array substrate

The invention provides an array substrate and a mask plate for its manufacture, the mask plate comprises a source block and a drain block for forming a source and drain in a thin film transistor, the source block corresponds to the source of the array substrate, and the drain block corresponds to the drain of the array substrate. The source diagram block and / or the drain diagram block include a projection compensation block at its edge.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板
本专利技术涉及显示面板领域，尤其涉及一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板。
技术介绍
在TFT-LCD显示领域中，随着对画面分辨率的不断提高，像素尺寸不断减小，对设计和制程提出了更高的要求。在制程能力限制的情况下，普通的像素设计方法一般只能将线宽做到3um以上。在制程能力限制的情况下，若将光罩(Mask)上线宽设计得很窄(<3um)，则实际做出来的图形可能不能得到预想的宽度，出现断线或者线宽不均的现象。对于TFT-LCD面板内尤其关键的器件TFT，一般的实际如附图1所示。若当D、S减小到很小时(<3um)，TFT实做就会出现断线或不均，从而降低面板的品质。综上所述，现有技术的TFT-LCD面板，在TFT制备过程中，当Mask线宽设计得很窄时，TFT就会出现断线或不均，从而降低面板的品质。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板，能够将掩膜板的线宽设计的很窄，满足更小尺寸的TFT设计需求，避免TFT出现断线或不均现象，进而提高显示面板的性能。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种阵列基板，包括：基板；漏极，制备于所述基板上，所述漏极的纵截面的形状为马蹄状，所述纵截面为平行于所述基板的截面；源极，所述源极对应所述漏极的凹部制备于所述基板上，且与所述漏极绝缘设置；其中，所述漏极与所述源极的线宽均小于5um，且所述漏极以及所述源极各处线宽均保持均一。本专利技术还提供一种制造阵列基板的掩膜板，所述掩膜板包括用于形成薄膜晶体管中源极和漏极的源极图块和漏极图块；所述源极图块与所述阵列基板的所述源极相对应，所述漏极图块与所述阵列基板的所述漏极相对应；其中，所述源极图块和/或所述漏极图块包括位于其边缘的凸起状补偿图块。根据本专利技术一优选实施例，所述漏极图块包括沿所述漏极图块轮廓线均匀分布的凸起状的第一补偿图块，所述第一补偿图块通过所述漏极图块的边缘部位向外延伸形成。根据本专利技术一优选实施例，所述第一补偿图块包括为锯齿状，所述第一补偿图块的齿尖朝向外侧，齿根到齿尖的长度范围为0.2um～2um。根据本专利技术一优选实施例，所述漏极图块还包括用于形成实际所需线宽的第一本体图块，所述第一本体图块的宽度小于5um。根据本专利技术一优选实施例，所述漏极图块包括至少一个由所述漏极图块端部向外凸起形成的第二补偿图块。根据本专利技术一优选实施例，所述第二补偿图块的形状为矩形，且边长的范围在0.2um～2um。根据本专利技术一优选实施例，所述源极图块包括沿所述源极图块轮廓线均匀分布的凸起状的第三补偿图块，所述第三补偿图块通过所述源极图块的边缘部位向外延伸形成。根据本专利技术一优选实施例，所述源极图块包括至少一个由所述源极图块端部向外凸起形成的第四补偿图块；所述源极图块还包括用于形成实际所需线宽的第二本体图块，所述第二本体图块的宽度小于5um。根据本专利技术一优选实施例，所述第三补偿图块包括为锯齿状，所述第三补偿图块的齿尖朝向外侧，齿根到齿尖的长度范围为0.2um～2um；所述第四补偿图块的形状为矩形，且边长的范围在0.2um～2um。本专利技术的有益效果为：相较于现有的TFT-LCD面板，本专利技术的阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板，通过将制备TFT器件的掩膜板平滑的外轮廓设计为锯齿状，即把掩膜板设计成TFT器件所需的线宽外加上锯齿状结构，由此形成的图形较为均匀，不会出现断线，仅在首尾处变窄。因此，本方案还采用在首尾两端增加serif补偿(补偿图块)，如此可获得小尺寸TFT的均匀精确成形。本专利技术提供的掩膜板，线宽可设计的很窄，满足更小尺寸的TFT设计需求，避免TFT出现断线或不均现象，进而提高显示面板的性能。同时，因为TFT能够设计的很小，还可以使相应的显示面板实现窄边化。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的TFT在掩膜板上设计的结构示意图；图2为本专利技术提供的用于制造阵列基板的掩膜板结构示意图；图3a-3b为采用现有技术中的掩膜板和本专利技术实施例提供的掩膜板形成的薄膜晶体管的源极局部图形曝光光强的对比图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有技术的TFT-LCD面板，在TFT制备过程中，当Mask线宽设计得很窄时，TFT就会出现断线或不均，从而降低面板的品质的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图2所示，为本专利技术提供的用于制造阵列基板的掩膜板结构示意图，所述掩膜板包括：不透光区域，对应待实施光罩制程的显示器件的预设图案区域，所述不透光区域包括源极图块21和漏极图块22；透光区域，对应所述待实施光罩制程的显示器件的刻蚀区域；所述不透光区域与所述透光区域间隔设置于所述掩膜板上。其中，所述源极图块21与所述阵列基板的所述源极相对应，所述漏极图块22与所述阵列基板的所述漏极相对应；所述漏极图块22的形状为马蹄状，所述源极图块21正对于所述漏极图块22的凹部设计，且所述源极图块21与所述漏极图块22之间存在间隙，所述间隙对应所述阵列基板的薄膜晶体管的沟道区。所述漏极图块22包括沿所述漏极图块22轮廓线均匀分布的凸起状的第一补偿图块221，且所述第一补偿图块221是通过所述漏极图块22的边缘部位向外延伸形成的，图示给出的所述第一补偿图块221分布于所述漏极图块22的局部轮廓线，此处不做限制。其中，所述第一补偿图块221可为锯齿状，所述第一补偿图块221的齿尖朝向外侧，齿根到齿尖的长度范围为0.2um～2um，优选为0.5um～1.5um。所述漏极图块22还包括用于形成实际所需线宽的第一本体图块223，所述第一本体图块223的宽度小于5um，，优选为小于3um。所述漏极图块22还包括第二补偿图块222，所述第二补偿图块222是由所述漏极图块22的两端部向外延伸形成的。所述第二补偿图块222的形状为矩形，且边长的范围在0.2um～2um，优选为所述边长在0.5um～1.5um之间的正方形。所述第二补偿图块222靠近所述第一补偿图块221一侧设置于所述漏极图块22的端部，且与所述第一补偿图块221连接，所述第二补偿图块222还可以设置为多个，并沿所述端部排列。除上述图示外，所述漏极图块22还可形成一圈环绕所述轮廓线的补偿图块。所述第一补偿图块221的锯齿状图形可由多个连续排列的三角形图形组成。进一步地，组成所述锯齿状图形的各三角形图形的尺寸一致。还可将组成所述锯齿状图形的三角形图形的尺寸设置为沿设定方向依次排列。所述第一补偿图块221的形状还可设计成多个连续排列的半圆形或弧形状的凸起。本专利技术提供的所述源极图块21的局部图如图3a中的a所示，所述源极图块21包括沿所述源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；漏极，制备于所述基板上，所述漏极的纵截面的形状为马蹄状，所述纵截面为平行于所述基板的截面；源极，所述源极对应所述漏极的凹部制备于所述基板上，且与所述漏极绝缘设置；其中，所述漏极与所述源极的线宽均小于5um，且所述漏极以及所述源极各处线宽均保持均一。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；漏极，制备于所述基板上，所述漏极的纵截面的形状为马蹄状，所述纵截面为平行于所述基板的截面；源极，所述源极对应所述漏极的凹部制备于所述基板上，且与所述漏极绝缘设置；其中，所述漏极与所述源极的线宽均小于5um，且所述漏极以及所述源极各处线宽均保持均一。2.一种制造阵列基板的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括用于形成薄膜晶体管中源极和漏极的源极图块和漏极图块；所述源极图块与所述阵列基板的所述源极相对应，所述漏极图块与所述阵列基板的所述漏极相对应；其中，所述源极图块和/或所述漏极图块包括位于其边缘的凸起状补偿图块。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述漏极图块包括沿所述漏极图块轮廓线均匀分布的凸起状的第一补偿图块，所述第一补偿图块通过所述漏极图块的边缘部位向外延伸形成。4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述第一补偿图块包括为锯齿状，所述第一补偿图块的齿尖朝向外侧，齿根到齿尖的长度范围为0.2um～2um。5.根据权利要求4所述的掩膜板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘司洋，徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44