一种用于显示器件的抗静电失效装置制造方法及图纸

技术编号:18899450 阅读:40 留言:0更新日期:2018-09-08 14:19
本发明专利技术涉及一种用于显示器件的抗静电失效装置,解决的是显示器件抗静电失效能力差的技术问题,通过采用包括至少一组放电尖端组合,相邻的放电尖端组合设置间隙的技术方案,较好的解决了该问题,可用于各种显示器应用中。

An antistatic failure device for display devices

The invention relates to an anti-static failure device for a display device, which solves the technical problem of poor anti-static failure ability of the display device. By adopting a technical scheme including at least a group of discharge tip combinations and adjacent discharge tip combinations, the problem is better solved and can be used for various display devices. In use.

【技术实现步骤摘要】
一种用于显示器件的抗静电失效装置
本专利技术涉及显示器领域,具体涉及一种用于显示器件的抗静电失效装置。
技术介绍
当非导电性物体本身携带大量电荷(正电荷或负电荷)时,一般需要通过以下几种形式,才能将该物体本身携带的静电荷释放掉:第一种是直接与低电位的导体(或半导体)接触、靠近或接地时,会通过传导方式直接释放;第二种是当带电体携带足够多的电荷时,在与导体(或半导体)靠近的过程中,会选择相互间距离最近的一个尖端瞬间击穿空气(或其它介质)进行放电。第三种是在高湿度环境,即60%RH下,物体本身的静电荷会慢慢被空气中的正负离子中和掉。第一种和第二种方式的特点是瞬间电流非常高,施体和受体都会受到瞬间电击,同时以光或热的形式释放能量。目前,显示器件对静电敏感的电子器件所发生的静电失效,大部分都是前第一种和第二种静电释放形式下所产生的不良。因此,提供一种用于显示器件的抗静电失效装置就很有必要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有技术中存在的显示器件抗静电失效能力差的技术问题。提供一种新的用于显示器件的抗静电失效装置,该用于显示器件的抗静电失效装置具有结构简单、能有效防止抗静电失效的特点。为解决上述技术问题,采用的技术方案如下:一种用于显示器件的抗静电失效装置,显示器件用于显示器,显示器件包括功能走线,位于功能走线外围的非功能性走线,所述抗静电失效装置包括至少一组放电尖端组合,相邻的放电尖端组合设置间隙。本专利技术的工作原理:本专利技术采用堵不如疏的原理,在非功能性走线或接地线上设置放电尖端组合,利用静电释放的原理,通过优化产品线路的设计,有效引导或疏导静电的释放,降低电子产品在较高电压下释放静电时对显示器件的影响。本专利技术中的非功能性走线包括接地线(GND)、过程测试线、填充线(块)等多种走线。上述方案中,为优化,进一步地,所述放电尖端组合包括至少1个放电尖端,放电尖端包括与非功能性走线导通连接的主体部,还包括与主体一体连接的尖端部;所述尖端部的尖端远离主体部;所述主体部与非功能性走线之间的夹角β为30°~90°。进一步地,所述尖端部的尖端夹角a为30°~50°。进一步地,所述放电尖端组合内相邻尖端的间距d1≤L/2,其中L为放电尖端的长度。进一步地,所述相邻放电尖端组合之间的间隙距离d2≤2w,其中w为显示器件边缘与最外围功能线走线之间的距离。进一步地,所述尖端部为三角形或菱形。进一步地,所述放电尖端组合呈裸露态,所述功能走线及非功能性走线上均设置有保护层。进一步地,所述保护层为绝缘层或半导体层。当非导电性(半导体或绝缘体)物体本身携带大量电荷(正电荷或负电荷)时,如果直接与低电位的导体接触或接地时,会通过传导方式向导体直接释放能量;如果电压足够大时,可以在与导体逐渐靠近的过程中,向距离最近的一个尖端隔空放电,瞬间击穿空气或其它介质。在这个过程中,如果导体的承受能力不足(过载)时,就会发生电击伤的情况,烧毁线路,造成不可恢复的功能不良。能量过载一般容易发生在不同材质的导电性走线相互搭接的界面,或是同一材质的导线的体电阻阻抗值突然变大的位置,线路突然收窄、转弯或线路材质与前端不同导致的阻抗变化等等情况。本专利技术可用于各种类型的显示器或触摸屏器件的产品防静电设计。其中显示器或触摸屏的导线材质不限于透明氧化铟锡,即ITO,纳米银,镁银合金,石墨烯,钼,铝,钛,银,金,铟等金属组成的单层导电膜或多层导电膜,导电膜的制作形式不限。本专利技术适用的显示器或触摸屏类型不限于采用刚性结构或者柔性的基板制作而成的产品。本专利技术的有益效果:采用简单的结构实现了对于静电效应的防护,成本低廉,效果好。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1,显示器边缘示意图。图2,放电尖端的尺寸位置示意图。图3,放电尖端组合的位置示意图。图4,放电尖端与非功能性走线的位置示意图。附图中:1-功能走线,2-非功能性走线,3-显示器件边缘,4-放电尖端。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。实施例1本实施例提供一种用于显示器件的抗静电失效装置,显示器件用于显示器,显示器件包括功能走线1,位于功能走线1外围的非功能性走线2,如图1,所述抗静电失效装置包括至少一组放电尖端组合,相邻的放电尖端组合设置间隙。本实施例中,当受到外部静电影响时,最外围的放电尖端组合的尖端,会优先将静电导流向远离功能性走线的部位并释放掉,减小对于功能性走线的影响。非功能性走线2最常见的是GND线,还可以是过程测试线、填充线(块)等多种走线。具体地,所述放电尖端组合包括至少1个放电尖端4,放电尖端4包括与非功能性走线2导通连接的主体部,还包括与主体一体连接的尖端部;所述尖端部的尖端远离主体部;所述主体部与非功能性走线2之间的夹角β为30°~90°。本实施例中的尖端部为三角形或菱形以及其他可以形成尖端的形状,尖端用于对外部静电的吸引。优选地,在不影响产品外观及功能的情况下,尽可能的加大放电尖端4的长度;如图4,尖端部的角度a一般选用30~50°,角度设计太小不利于在蚀刻后保持锐利的形状,角度太大时,又不利于对静电的吸引。优选地,如图2,所述放电尖端组合内相邻尖端的间距d1≤L/2,其中L为放电尖端4的长度。优选地,所述相邻放电尖端组合之间的间隙距离d2≤2w,其中w为显示器件边缘与最外围功能线走线之间的距离。例如:当最外侧一条功能走线1距离产品边缘的距离为1mm时,相邻的两组放电尖端4的距离,应该小于等于2mm。优选地,所述放电尖端组合呈裸露态,所述功能走线1及非功能性走线2上均设置有保护层。优选地,所述保护层为绝缘层或半导体层。本专利技术中的放电尖端4不限于以均匀的、渐变的或突变的尺寸进行设计的方式。同一组内相邻的两条走线之间的间距,不限于最优的小于等于放电尖端4长度的1/2,相邻两组引线之间的间距,不限于最优的小于最外侧功能线与边缘之间距离的两倍;放电尖端4的数量不限于以一条或若干条为一组的形式间隔(等距或不等距)排列,或以无规则的间距进行不同数量的引线设计。放电简单尖端部外的部分,不限于以均匀线条的形式或异型的形式进行设计;当外围GND走线或其它非功能走线(填充线、过程测试线或内层防静电线等等)1相邻时,可以同时进行内、外两层静电尖端的二级防护形式设计。放电尖端组合是需要作为导体,用于吸引或引导带电物体静电电荷在指定的方向上传导和释放。因此,在本专利技术中关于防静电引线及尖端的设计,是需要裸露出来的,放电效果最佳。但是,如果采用其它材料对引线及尖端实施全部或部分尺寸的覆盖或保护时,产品的防静电效果就会有所下降,但是仍然对产品的抗静电性发挥一定的作用。本实施例中,针对引线及尖端之外部分的保护设计,为了更好的保护功能走线1,对功能走线1可以采用不同的工艺及绝缘性或半导体材料进行覆盖时,会起到更好的防静电性能。基于IEC61000-4-2标准进行测试,一般LCD产品(贴合前)的抗静电能力在±6~±8KV左右,OLED产品(贴合前)的抗静电能力在±2~±4KV左右,TP产品(贴合前)的抗静电能力在±6~±8KV左右;原因主要有两个:一个是器件结构决定的,一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于显示器件的抗静电失效装置,其特征在于:显示器件包括功能走线,位于功能走线外围的非功能性走线,所述抗静电失效装置包括至少一组放电尖端组合,相邻的放电尖端组合设置间隙。

【技术特征摘要】
1.一种用于显示器件的抗静电失效装置,其特征在于:显示器件包括功能走线,位于功能走线外围的非功能性走线,所述抗静电失效装置包括至少一组放电尖端组合,相邻的放电尖端组合设置间隙。2.根据权利要求1所述的用于显示器件的抗静电失效装置,其特征在于:所述放电尖端组合包括至少1个放电尖端,放电尖端包括与非功能性走线导通连接的主体部,还包括与主体一体连接的尖端部;所述尖端部的尖端远离主体部;所述主体部与非功能性走线之间的夹角β为30°~90°。3.根据权利要求2所述的用于显示器件的抗静电失效装置,其特征在于:所述尖端部的尖端夹角a为30°~50°。4.根据权利要求2所述的用于显示器件的抗静电失效...

【专利技术属性】
技术研发人员:李源
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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