一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜制造技术

技术编号:18899371 阅读:50 留言:0更新日期:2018-09-08 14:14
本发明专利技术公开一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜及制备方法,该电磁屏蔽膜包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树脂绝缘层上设金属刺穿层,所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂布纯树脂胶层,所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层;其中,所述载膜层厚度为15~100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3~10μm,所述金属屏蔽层厚度为1~5μm,所述纯树脂胶层厚度为3~5μm,所述保护离型层厚度为15~150μm。

An ultra-thin, low dielectric constant, low resistance electromagnetic shielding film

The invention discloses an ultra-thin electromagnetic shielding film with low dielectric constant and low resistance and a preparation method thereof. The electromagnetic shielding film comprises a carrier film layer, the top face of the carrier film layer is coated with a resin insulating layer with low dielectric constant, the resin insulating layer is provided with a metal piercing layer, the metal piercing layer is coated with a metal shielding layer formed by coating, and the metal screen is described. The shelter layer is coated with pure resin adhesive layer, and the pure resin adhesive layer is pressed with detachable protective release layer, wherein the thickness of the carrier layer is 15-100 micron, the total thickness of the resin insulating layer and the metal piercing layer is 3-10 micron, the thickness of the metal shielding layer is 1-5 micron, and the thickness of the pure resin adhesive layer is 3-5 micron, and the thickness of the protective release layer is 3-5 micron. It is 15~150 micron m.

【技术实现步骤摘要】
一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜
本专利技术涉及电磁屏蔽膜
,尤其是一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜及制备方法。
技术介绍
柔性线路板(FPC)也称扰性线路板、软硬结合板,其采用印制方式形成线路板,印制线路在聚酰亚胺或聚脂薄膜上形成单面或双面线路。FPC具有重量轻、体积小、厚度薄、外形设计灵活等优点,FPC近几年被广泛应用于电子通讯、摄影摄像设备、打印机、手机、便携电脑的线路板中。柔性线路板的屏蔽必须在其表面形成屏蔽膜层。中国专利屏蔽膜、屏蔽印制电路板、屏蔽印制柔性电路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印制柔性电路板制造方法(专利号:200680016573.7),披露了一种用于FPC的屏蔽膜,该屏蔽膜包括:分离膜;覆膜,设于该分离膜的一个表面上;以及粘合层,其通过金属层形成于与该分离膜相对的该覆膜的表面上,其中该覆膜包括至少一硬层和至少一软层,且面向该分离膜的该覆膜的表面是由该硬层组成。在上述200680016573.7专利中,各功能层采用印制方式形成。在FPC厂电磁屏蔽膜绑定时不容易操作,同时,由于导电胶层内含有大量导电粒子,导电胶层表面触粘情差,不易完成假性贴合,并且对于信号传输插入损耗较大,不能适应高频、高速传输的使用要求。因此,市场亟需一种高表面平整度、触粘性高、低介电常数的电磁屏蔽膜及制备方法。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是针对上述现有技术中的问题,提供一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,该电磁屏蔽膜表面平整度高、介电常数低、触粘性高;与之同时,本专利技术还提一种制备方法。根据本专利技术的一方面,本专利技术采取的一种技术方案如下:一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树脂绝缘层上设金属刺穿层,所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂布纯树脂胶层,所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层;其中,所述载膜层厚度为15~100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3~10μm,所述金属屏蔽层厚度为1~5μm,所述纯树脂胶层厚度为3~5μm,所述保护离型层厚度为15~150μm。作为对上述技术方案的进一步阐述:在上述技术方案中,所述载膜层包括基膜和离型层,所述离型层热固成型于所述基膜上,且所述离型层厚度为1~3μm。在上述技术方案中,所述离型层为无硅离型剂离型层或硅油离型层,所述基膜为聚酰亚胺基膜、PPS基膜和聚脂薄膜基膜其中一种。在上述技术方案中,所述树脂绝缘层为介电常数为2.5~3.0的环氧树脂绝缘层,所述金属刺穿层为在所述树脂绝缘层上填入粒径为1~5μm的导电粒子填料成型的粗糙度为1~5μm的金属刺穿层,所述金属刺穿层为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合的金属刺穿层,且金属刺穿层厚度3~5μm。在上述技术方案中,所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层,且所述环氧树脂绝缘层和纯环氧树脂胶层的介电常数为2.5~3.0。在上述技术方案中,所述金属屏蔽层为铜膜屏蔽层和/或不锈钢屏蔽层。在上述技术方案中,所述保护离型层为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜其中一种,且所述保护离型层与纯树脂胶层采用冷压贴合或热压贴合方式连接。根据本专利技术的另一方面,本专利技术采取的另一种技术方案如下:一种制备超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,包括如下步骤:步骤A基膜清洁;选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净,并通过薄膜干燥箱将基膜干燥;步骤B载体膜制备在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层的载体膜,其中,涂布的无硅离型剂或硅油厚度为1~3μm,烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃~150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟;步骤C绝缘层与金属刺穿层制备利用涂布机在载体膜上涂布低介电常数树脂胶,并将涂布树脂胶的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上成型半固化树脂绝缘层,在半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料,并在将填入导电粒子填料的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上固化成型树脂绝缘层和粗糙的金属刺穿层,其中,载体膜上成型半固化树脂绝缘层时,烘烤炉设定的温度为80℃~150℃,烘烤时间为30分钟至45分钟;载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为80℃~150℃,烘烤时间为15分钟至30分钟;步骤D屏蔽层成型采用化学镀膜或真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层和/或采用真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型不锈钢屏蔽层;步骤E纯树脂胶层制备利用涂布机在屏蔽层上涂布介电常数为2.5~3.0的纯树脂胶,并在烘烤炉内进行烘烤固化,使屏蔽层上形成纯树脂胶层,其中,纯树脂胶涂布的厚度为5~10μm、烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃~150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟;步骤F保护离型层压贴采用冷压贴合和/或热压贴合工艺将厚度为15μm~150μm的聚脂薄膜、聚脂离型膜、硅胶保护膜其中一种压贴在纯树脂胶层上,压贴可剥离的保护离型层。作为对上述技术方案的进一步阐述:在上述技术方案中,步骤C中,载体膜上成型固化树脂层的厚度为5~7μm,金属刺穿层的厚度为3~5μm,且金属刺穿层的粗糙度为1~5μm。在上述技术方案中,步骤B中,涂布的无硅离型剂或硅油厚度为3μm,烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟;步骤C中,载体膜上成型半固化树脂绝缘层时,烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为45分钟;载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为30分钟,金属刺穿层的粗糙度为3μm;步骤D中,采用磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层;步骤E中,纯树脂胶涂布的厚度为5μm、烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟。本专利技术的有益效果在于:通过本专利技术的制备方法制备的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜表面平整度高、介电常数低、触粘性高;该电磁屏蔽膜主要是采用了低介电常数树脂层的绝缘层、低介电常数的纯树脂胶层,胶层内不含导电粒子触粘性较好,在FPC电磁屏蔽膜绑定时可以室温假贴,低介电常数树脂层的采用大大降低了绝缘层的介电常数,降低了高频、高速信号传输的插入损耗。附图说明图1是本专利技术电磁屏蔽膜的一种结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树脂绝缘层上设金属刺穿层,所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂布纯树脂胶层,所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层;其中,所述载膜层厚度为15~100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3~10μm,所述金属屏蔽层厚度为1~5μm,所述纯树脂胶层厚度为3~5μm,所述保护离型层厚度为15~150μm。

【技术特征摘要】
1.一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树脂绝缘层上设金属刺穿层,所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂布纯树脂胶层,所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层;其中,所述载膜层厚度为15~100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3~10μm,所述金属屏蔽层厚度为1~5μm,所述纯树脂胶层厚度为3~5μm,所述保护离型层厚度为15~150μm。2.根据权利要求1所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述载膜层包括基膜和离型层,所述离型层热固成型于所述基膜上,且所述离型层厚度为1~3μm。3.根据权利要求2所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述离型层为无硅离型剂离型层或硅油离型层,所述基膜为聚酰亚胺基膜、PPS基膜和聚脂薄膜基膜其中一种。4.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述树脂绝缘层为介电常数为2.5~3.0的环氧树脂绝缘层,所述金属刺穿层为在所述树脂绝缘层上填入粒径为1~5μm的导电粒子填料成型的粗糙度为1~5μm的金属刺穿层,所述金属刺穿层为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合的金属刺穿层,且金属刺穿层厚度3~5μm。5.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层,且所述环氧树脂绝缘层和纯环氧树脂胶层的介电常数为2.5~3.0。6.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述金属屏蔽层为铜膜屏蔽层和/或不锈钢屏蔽层。7.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述保护离型层为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜其中一种,且所述保护离型层与纯树脂胶层采用冷压贴合或热压贴合方式连接。8.一种制备如权利4~7任一项所述的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤A基膜清洁;选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净,并通过薄膜干燥箱将基膜干燥;步骤B载体膜制备在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层...

【专利技术属性】
技术研发人员:张德友
申请(专利权)人:东莞市航晨纳米材料有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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