I制造技术

本实用新型专利技术提供的I2C总线死锁恢复电路和电子设备，涉及电子电路技术领域。其中，I2C总线死锁恢复电路，包括：总线控制设备，该总线控制设备包括与I2C总线的数据线连接的数据接口以及与所述I2C总线的时钟线连接的时钟接口；开关器件，该开关器件连接在所述总线控制设备的控制接口和所述时钟线之间；其中，当所述I2C总线处于死锁状态时，所述总线控制设备控制所述开关器件交替导通与关断，以向所述时钟线输出脉冲信号，以解除所述I2C总线的死锁状态。通过上述设置，可以改善现有的I2C总线死锁恢复电路中存在电路结构复杂的问题。

I

The I2C bus deadlock recovery circuit and electronic equipment provided by the utility model relate to the technical field of electronic circuits. The I2C bus deadlock recovery circuit includes a bus control device including a data interface connected with the data line of the I2C bus and a clock interface connected with the clock line of the I2C bus; a switch device connecting the control interface of the bus control device and the clock line of the bus control device. Among them, when the I2C bus is in the deadlock state, the bus control device controls the switch device to alternately turn on and off to output pulse signal to the clock line to release the deadlock state of the I2C bus. Through the above settings, the problem of complex circuit structure in the existing I2C bus deadlock recovery circuit can be improved.

【技术实现步骤摘要】
I2C总线死锁恢复电路和电子设备
本技术涉及电子电路
，具体而言，涉及一种I2C总线死锁恢复电路和电子设备。
技术介绍
I2C(interintegratedcircuit，内部集成电路)总线是一种通用串行总线，可以用于实现各种电子设备中的主设备(master)和从设备(slave)相互之间的数据通信。其中，在主设备与从设备进行通信时，若主设备发生异常复位，可能会导致I2C总线处于死锁状态，进而导致主设备与从设备之间无法正常通信。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种I2C总线死锁恢复电路和电子设备，以改善现有的I2C总线死锁恢复电路中存在电路结构复杂的问题。为实现上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：一种I2C总线死锁恢复电路，包括：总线控制设备，该总线控制设备包括与I2C总线的数据线连接的数据接口以及与所述I2C总线的时钟线连接的时钟接口；开关器件，该开关器件连接在所述总线控制设备的控制接口和所述时钟线之间；其中，当所述I2C总线处于死锁状态时，所述总线控制设备控制所述开关器件交替导通与关断，以向所述时钟线输出脉冲信号，以解除所述I2C总线的死锁状态。在本技术实施例较佳的选择中，在上述I2C总线死锁恢复电路中，所述开关器件包括与所述控制接口连接的控制端、与所述时钟线连接的高电位端、以及接地的低电位端。在本技术实施例较佳的选择中，在上述I2C总线死锁恢复电路中，所述开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，该金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，所述栅极作为所述控制端，所述源极和漏极的其中一个作为所述高电位端、另一个作为所述低电位端。在本技术实施例较佳的选择中，在上述I2C总线死锁恢复电路中，所述开关器件为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为所述控制端、漏极作为所述高电位端、源极作为所述低电位端。在本技术实施例较佳的选择中，在上述I2C总线死锁恢复电路中，所述开关器件为三极管，该三极管包括基极、集电极和发射极，其中，所述基极作为所述控制端，所述集电极和发射极的其中一个作为所述高电位端与、另一个作为所述低电位端。本技术实施例还提供了一种电子设备，包括：I2C总线，该I2C总线包括数据线和时钟线；主设备，该主设备包括与所述数据线连接的数据接口以及与所述时钟线连接的时钟接口；开关器件，该开关器件连接在所述主设备的控制接口和所述时钟线之间；其中，当所述I2C总线处于死锁状态时，所述主设备控制所述开关器件交替导通与关断，以向所述时钟线输出脉冲信号，以解除所述I2C总线的死锁状态。在本技术实施例较佳的选择中，在上述电子设备中，所述电子设备还包括至少一个从设备，每个从设备包括与所述数据线连接的数据接口以及与所述时钟线连接的时钟接口,其中，所述主设备通过所述I2C总线与所述从设备进行数据通信。在本技术实施例较佳的选择中，在上述电子设备中，所述开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，该金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，所述栅极作为所述控制端，所述源极和漏极的其中一个作为所述高电位端、另一个作为所述低电位端。在本技术实施例较佳的选择中，在上述电子设备中，所述开关器件为三极管，该三极管包括基极、集电极和发射极，其中，所述基极作为所述控制端，所述集电极和发射极的其中一个作为所述高电位端与、另一个作为所述低电位端。在本技术实施例较佳的选择中，在上述电子设备中，所述数据线和所述时钟线分别通过上拉电阻与电源连接。本技术提供的I2C总线死锁恢复电路和电子设备，通过总线控制设备或主设备和开关器件的配合，控制开关器件交替导通和关断以向I2C总线的时钟线SCL输出脉冲信号，以解除I2C总线的死锁状态，进而改善现有的I2C总线死锁恢复电路中存在电路结构复杂的问题。进一步地，优选将开关器件设置为N型金属氧化物半导体场效应晶体管时，利用该晶体管具有低导通电阻的特性，可以使开关器件在工作中产生的功耗保持在一个较低的范围内，从而降低I2C总线死锁恢复电路和电子设备的整体功耗。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明图1为现有技术中用于解除I2C总线死锁状态的电路原理图。图2为现有技术中用于解除I2C总线死锁状态的另一电路原理图。图3为本技术实施例提供的电子设备的电路原理图。图4为本技术实施例提供的电子设备的另一电路原理图。图5为本技术实施例提供的电子设备的另一电路原理图。图6为本技术实施例提供的I2C总线死锁恢复电路的电路原理图。图标：100-电子设备；110-I2C总线；SDA-数据线；SCL-时钟线；R1-第一上拉电阻；R2-第二上拉电阻；VCC-电源；130-主设备；150(230)-开关器件；Q1-N型金属氧化物半导体场效应晶体管；Q2-NPN型三极管；170-从设备；200-I2C总线死锁恢复电路；210-总线控制设备。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。图1和图2是现有技术中用于解除I2C总线死锁状态的电路原理图。在图1所示的解除I2C总线死锁状态的电路中，在I2C总线上增加一个额外的总线监测恢复设备。当总线监测恢复设备检测到SDA信号被拉低超过预设时长时，可以在I2C总线的时钟线上产生时钟脉冲(如9个时钟脉冲)，使I2C总线连接的从设备完成读操作，从死锁状态上恢复出来。总线监测恢复设备需要有具有编程功能，一般可以用单片机或CPLD实现这一功能。如图2所示的解除I2C总线死锁状态的电路中，在I2C总线上串入一个具有死锁恢复功能的总线缓冲器，如Linear公司的型号为LTC4307的芯片，其可以是一个双向的总线缓冲器，并且具有I2C总线死锁恢复的功能。总线缓冲器的输入侧连接主设备，输出侧连接从设备。当检测到输出侧的SDA信号或SCL信号被拉低预设时长(如30ms)时，就自动断开I2C总线输入侧与输出侧的连接。并且在输出侧的时钟线上产生时钟脉冲(如16个时钟脉冲)来释放总线。当总线成功恢复后，总线缓冲器再次连接输入输出侧，使总线能够正常工作。经专利技术人研究发现，在上述解除I2C总线死锁状态的电路中，通过设置总线监测恢复设备或总线缓冲器，以实现死锁状态的检测和解除，需要额外增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种I2C总线死锁恢复电路，其特征在于，包括：总线控制设备，该总线控制设备包括与I2C总线的数据线连接的数据接口以及与所述I2C总线的时钟线连接的时钟接口；开关器件，该开关器件连接在所述总线控制设备的控制接口和所述时钟线之间；其中，当所述I2C总线处于死锁状态时，所述总线控制设备控制所述开关器件交替导通与关断，以向所述时钟线输出脉冲信号，以解除所述I2C总线的死锁状态。

【技术特征摘要】
1.一种I2C总线死锁恢复电路，其特征在于，包括：总线控制设备，该总线控制设备包括与I2C总线的数据线连接的数据接口以及与所述I2C总线的时钟线连接的时钟接口；开关器件，该开关器件连接在所述总线控制设备的控制接口和所述时钟线之间；其中，当所述I2C总线处于死锁状态时，所述总线控制设备控制所述开关器件交替导通与关断，以向所述时钟线输出脉冲信号，以解除所述I2C总线的死锁状态。2.根据权利要求1所述的I2C总线死锁恢复电路，其特征在于，所述开关器件包括与所述控制接口连接的控制端、与所述时钟线连接的高电位端、以及接地的低电位端。3.根据权利要求2所述的I2C总线死锁恢复电路，其特征在于，所述开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，该金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，所述栅极作为所述控制端，所述源极和漏极的其中一个作为所述高电位端、另一个作为所述低电位端。4.根据权利要求3所述的I2C总线死锁恢复电路，其特征在于，所述开关器件为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为所述控制端、漏极作为所述高电位端、源极作为所述低电位端。5.根据权利要求2所述的I2C总线死锁恢复电路，其特征在于，所述开关器件为三极管，该三极管包括基极、集电极和发射极，其中，所述基极作为所述控制端，所述集电极和发射极的其中一个作为所述高电位端与、另一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：何磊，潘胜君，
申请(专利权)人：新华三技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33