The object of the present invention is to provide a gas barrier film with high gas barrier and excellent bending resistance. The gas barrier film of the present invention is characterized in that at least one side of the polymer substrate is successively provided with an inorganic layer [A] and a silicon compound layer [B], an inorganic layer [A] containing zinc compounds and silicon oxides, a silicon compound layer [B] containing silicon oxynitride, and an inorganic layer [A] and a silicon compound [B] Layer [B] contacts.
【技术实现步骤摘要】
阻气性膜本申请专利技术是申请号为201380069794.0、专利技术名称为“阻气性膜”、申请日为2013年12月25日的申请的分案申请。
本专利技术涉及在需要高阻气性的食品、药品的包装用途、太阳能电池、电子纸、有机电致发光(EL)显示器等电子器件用途中使用的阻气性膜。
技术介绍
在高分子基材的表面，使用氧化铝、氧化硅、氧化镁等无机物(包含无机氧化物)，利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相生长法(PVD法)、或等离子体化学气相生长法、热化学气相生长法、光化学气相生长法等化学气相生长法(CVD法)等形成该无机物的蒸镀膜而成的阻气性膜作为需要阻断水蒸气、氧气等各种气体的食品、药品等的包装材和平板电视、太阳能电池等电子器件构件使用。作为提高阻气性的技术，公开了例如，使用含有有机硅化合物的蒸气和氧气的气体，通过等离子体CVD法在基材上，形成以硅氧化物作为主体并含有碳、氢、硅和氧的至少1种的化合物，从而维持透明性同时提高阻气性的方法(专利文献1)。此外，作为等离子体CVD法等成膜方法以外的提高阻气性的技术，公开了使用成为使阻气性降低的针孔、破裂的产生原因的突起、凹凸减...
【技术保护点】
1.一种阻气性膜，是在高分子基材的至少一侧，从所述高分子基材侧起依次具有无机层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层[B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。
【技术特征摘要】
2013.01.11 JP 2013-003089;2013.11.15 JP 2013-236561.一种阻气性膜，是在高分子基材的至少一侧，从所述高分子基材侧起依次具有无机层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层[B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。2.根据权利要求1所述的阻气性膜，在所述高分子基材与所述无机层[A]之间具有底涂层[C]，所述底涂层[C]包含由具有芳香族环结构的聚氨酯化合物[C1]交联而得的结构。3.根据权利要求1或2所述的阻气性膜，所述无机层[A]为由氧化锌与二氧化硅与氧化铝的共存相形成的无机层[A1]、和由硫化锌与二氧化硅的共存相形成的无机层[A2]中的任一种。4.根据权利要求3所述的阻气性膜，所述无机层[A]为所述无机层[A1]，该无机层[A1]是通过下述组成所构成的，所述组成是：通过ICP发射光谱分析法测定的锌原子浓度为20～40原子％、硅原子浓度为5～20原子％、铝原子浓度为0.5～5原子％、氧原子浓度为35～70原子％。5.根据权利要求3所述的阻气性膜，所述无机层[A]为所述无机层[A2]，该无机层[A2]是通过下述组成所构成的，所述组成是：硫化锌相对于硫化锌与二氧化硅的合计的摩尔分率...
【专利技术属性】
技术研发人员：森健太郎，上林浩行，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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