双环激光器的波长控制制造技术

技术编号:18844233 阅读:38 留言:0更新日期:2018-09-05 08:59
光学源包括提供光学信号的半导体光学放大器,以及具有作为游标环操作的第一环谐振器和第二环谐振器的光子芯片。当光学源在激光发射阈值以下操作时,可以基于光学地耦合到第一环谐振器和第二环谐振器的共享光学波导上测量的光学功率,来调整可以热耦合到第一环谐振器和/或第二环谐振器的一个或多个热调谐机制,以对齐第一环谐振器和第二环谐振器的谐振。然后,当光学源在激光发射阈值以上操作时,可以基于在光学地耦合到第一环谐振器的光学波导上测量的光学功率,来调整公共热调谐机制,以将经对齐的谐振与光学源的光学腔模式锁定。

Wavelength control of dual ring lasers

The optical source includes a semiconductor optical amplifier providing optical signals, and a photonic chip having a first ring resonator and a second ring resonator operating as a cursor ring. When the optical source operates below the laser emission threshold, one or more thermal tuning mechanisms that can be thermally coupled to the first ring resonator and/or the second ring resonator can be adjusted to align the first ring resonator based on optical power measured on the shared optical waveguide optically coupled to the first ring resonator and the second ring resonator. The resonance of the device and the second ring resonator. Then, when the optical source operates above the laser emission threshold, the common thermal tuning mechanism can be adjusted based on the optical power measured on the optical waveguide optically coupled to the first ring resonator to lock the aligned resonator with the optical cavity mode of the optical source.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双环激光器的波长控制背景
本公开涉及用于操作光学源的技术。更具体地,本公开涉及用于调谐外腔激光器的技术。
技术介绍
混合III-V半导体硅激光器正在被研究作为硅光子光源。通过独立地充分利用III-V半导体和硅光子的成熟技术,可以使用硅光子平台实现最高效并且可制造的光源。具体而言,绝缘体上硅(SOI)平台可以提供波长选择性并且III-V半导体芯片可以提供光学增益。此外,激光器波长可调谐性正在变成光学通信中光源的重要能力。在光学信号包括多个波长的波分复用(WDM)应用的情况下尤其如此。因此,在这些应用中,可调谐的激光源可以提供灵活性并且可以消除对于多个单波长激光器的需求。激光器可调谐性对于允许激光器波长匹配其他部件(诸如基于谐振器的调制器)也是重要的。在混合激光器配置中,激光器波长控制电路典型地在SOI芯片上实现。此外,由于它们的谐振性质(洛伦兹型线形)和高效的波长调谐机制(诸如热光效应和/或自由载流子色散),微环谐振器可以提供出色的波长选择性。例如,微环谐振器连同1×2分路器(或者Y结)可以形成将微环谐振器的谐振波长反馈到光学腔的回路型反射器。注意,反馈信号的光学带宽由微环谐振器的质量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学源,包括:半导体光学放大器,被限定在除了硅之外的半导体中,其中所述半导体光学放大器具有第一边缘和第二边缘,在第一边缘上包括反射性涂层,并且在操作期间在第二边缘处提供光学信号;以及光子芯片,光学地耦合到所述半导体光学放大器,其中所述光子芯片包括:第一光学波导,具有第三边缘和第四边缘,第三边缘光学地耦合到所述半导体光学放大器的第二边缘;第一环谐振器,光学地耦合到第一光学波导;第二光学波导,光学地耦合到第一环谐振器,具有第五边缘和光学地耦合到第一终止部的第六边缘;第二环谐振器,光学地耦合到第二光学波导;公共热调谐机制,热耦合到第一环谐振器和第二环谐振器;第一热调谐机制,热耦合到第一环谐振...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.22 US 15/004,5691.一种光学源,包括:半导体光学放大器,被限定在除了硅之外的半导体中,其中所述半导体光学放大器具有第一边缘和第二边缘,在第一边缘上包括反射性涂层,并且在操作期间在第二边缘处提供光学信号;以及光子芯片,光学地耦合到所述半导体光学放大器,其中所述光子芯片包括:第一光学波导,具有第三边缘和第四边缘,第三边缘光学地耦合到所述半导体光学放大器的第二边缘;第一环谐振器,光学地耦合到第一光学波导;第二光学波导,光学地耦合到第一环谐振器,具有第五边缘和光学地耦合到第一终止部的第六边缘;第二环谐振器,光学地耦合到第二光学波导;公共热调谐机制,热耦合到第一环谐振器和第二环谐振器;第一热调谐机制,热耦合到第一环谐振器;第二热调谐机制,热耦合到第二环谐振器;监控设备,光学地耦合到第四边缘和第五边缘;以及控制逻辑,电气地耦合到所述监控设备、所述公共热调谐机制、第一热调谐机制和第二热调谐机制,所述控制逻辑在操作期间调谐第一环谐振器和第二环谐振器。2.根据权利要求1所述的光学源,其中所述控制逻辑通过以下操作来调谐第一环谐振器和第二环谐振器:当所述光学源在激光发射阈值以下操作时,基于在第五边缘处测量的光学功率来调整第一热调谐机制和第二热调谐机制中的至少一个,以对齐第一环谐振器的第一谐振和第二环谐振器的第二谐振;以及当所述光学源在所述激光发射阈值以上操作时,基于在第四边缘处测量的光学功率来调整所述公共热调谐机制,以将经对齐的第一谐振和第二谐振与具有载波波长的所述光学源的光学腔模式锁定。3.根据权利要求2所述的光学源,其中在操作期间,所述控制逻辑通过以下操作来维持第一谐振和第二谐振与所述光学腔模式的对齐:调整所述公共热调谐机制以使得在第四边缘处测量的输出功率最小化;以及调整第一热调谐机制和第二热调谐机制中的至少一个,以使得在第五边缘处测量的输出功率最小化。4.根据权利要求2所述的光学源,其中通过使得在第五边缘处测量的光学功率最小化来对齐第一谐振和第二谐振。5.根据权利要求2所述的光学源,其中通过使得在第四边缘处测量的光学功率最小化来对齐第一谐振和第二谐振。6.根据任一前述权利要求所述的光学源,其中所述半导体光学放大器是以下各项之一:边缘耦合到所述光子芯片;以及表面法向耦合到所述光子芯片。7.根据任一前述权利要求所述的光学源,其中给定热调谐机制包括以下各项之一:掺杂半...

【专利技术属性】
技术研发人员:JH·李郑学哲A·V·克里什纳莫西
申请(专利权)人:甲骨文国际公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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